Ультразвуковой объектив

Номер патента: 347795

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Васильева, Малютин, Ордена, Телемеханики

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитных, передачи, пленках, тонких

...последовательности импульсов стоп-поля,На фиг. 1 (а, 6, в, г, д) схематичсскп показаны стадии процесса движения домена обратной намагниченности в полоске тонкой 50 магнитной пленки; на фиг. 2 - временные эпюры импульсов полей, необходимых для продвижения информационного домена.Первоначально вся полоска тонкой магнитной пленки 1 намагничена в одном направлении, например, слева направо. Далее с помощью шины записи 2 в полоску записывается домен 3 обратной намагниченности (фиг. 1, тт). Затем ко всеи полоске прикладывается однородное продвигающее поле Нп (фиг. 1,6), которое вызывает рост записанного домена в обе стороны от его первоначального положения. Одновременно с включением продвигающего поля подаются импульсы тока в стоп-шины 4 ц...

Номер патента: 851217

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Казак, Каразеев, Нестеров

МПК: G01N 24/02

Метки: возбуждения, пленках, спиновогоэха, тонких, ферромагнитных

...сигнала спиновогоэха от каждой решетки. Эффект увеличения амплитуды эха-отклика достигается за счет того, что возбуждается не вся площадь ферромагиитнойпленки, а отдельные ее участки, эхосигнал с которых впоследствии сум мируется на последовательно соединенных индуктивных сопротивлениях решеток съема сигнала спинового эха,На фиг. 1 представлено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг,2 - то же, в плане,Устройство включает подложку 1 из диэлектрического или немагнитного материала, на которой размещены тонкие ферромагнитные пленки 2-б,изолированные друг от друга (а в случае металлической подложки и от.подложки диэлектрическими слоями 7-9, Над ферромагнитными пленками размещен узел 10 для создания высокочастотного магнитного поля и...

Номер патента: 1109800

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Бухштаб, Васильева, Гал, Касаткин, Кузнецова, Куликов, Малютин, Седых, Тимофеев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, каналами, магнитных, низкокоэрцитивными, пленок, плоских, продвижения, тонких, ферромагнитных

...силу пленки, примыкающей к каналам. Затем на протравленную часть магнитомягкой пленки наносят магнитожесткую пленку. Таким образом, исчезает необходимость в обменном взаимодействии ,между магнитомягкой и магнитожест-, кой пленками, так как коэрцитивная сила пленки вне каналов определяется минимальной коэрцитивной силой или протравленной части магнитомягкой пленки, или магнитожесткой пленки, В то же время магнитожесткая пленка устраняет полученный в результате . травления перепад в толщине магнитомягкой пленки, уничтожая существовавшие на краях канала рассеивания, и одновременно может служить материалом для магнитожестких аппликаций для регистра сдвига на ПМД с локальными полями стабилизации (ЛПС) .На фиг. 1 изображена конструкция...

Номер патента: 1346977

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Верченко, Колесниченко

МПК: G01N 13/00

Метки: диффузии, коэффициента, металлических, пленках, примесей, тонких

...значение),где 0 55 по 1 134697Изобретение относится к исследованию физических свойств веществ и может быть использовано для определения коэффициента диффузии примесей5в тонких металлических пленках, атакже для изучения размерных явленийв проводимости тонких пленок.Целью изобретения является повышение точности определения путем исклю Очения влияния диффузионного рассеянияносителей тока на результаты измерений.П р и м е р. Определение коэффициента диффузии примесей золота в 15тонкой металлической пленке серебра,Пленку серебра толщиной й = 5 к1.0 см помещают в магнитное полекатушки так, что магнитное поле перпендикулярно поверхности пленки, 20Измеряют электропроводность пленкипри различных значениях напряженности Н магнитного поля и...

Номер патента: 1499419

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Евстигнеев, Елесин, Опенов

МПК: H01L 39/00

Метки: перехода, пленок, плоских, сверхпроводящего, температуры, тонких

...тока.Сигнал с термометра 10 регистрируется графопостроителем 7 по координате Х. В результате перечисленных операций на графопостроителе 7 получаютзависимость ЭДС индукции в катушке 4индуктивности от температуры.Малость диаметра и длины катушкииндукзивности, являющейся источникоммагнитного поля, и малость расстоянияот нее до пленки приводит к тому, чтомагнитное поле, в котором находитсяисследуемая пленка, является неоднородным.Характерный масштаб неоднородности магнитного поля .в областирасположения, пленки равен расстояниюот катушки индуктивности, являющейсяисточником магнитного поля, до плен.ки. Экранирование неоднородного магнитного поля сверхпроводящвй пленкойпри Ь(Т)йюопределяется параметром1 с 1/Лф(Т), где 1 - характерный...