Способ изготовления пленочных микросхем
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О И Е 38131 Союз Советсюй Социапистицеских РеспубликИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 04.1.1972 ( 1733828/26-9)с присоединением заявки(л. Н 051 3 Приоритет Гасударственный комит Совета Министров ССС аа делам изобретений и открытий.1974, БюллетеньК 621,3.049.75(088,8 Дата опубликования описания 28 Х 1.1974 Авторызобретени Шепрут. Смирнов аявитель ПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ Известен способ изготовления пленочныхмикросхем фотолитографическим методом,включающий нанесение на поверхность подложки сплошного слоя вентильного материалаи его локальное анодирование. 5Цель изобретения - упрощение технологииизготовления и повышение эксплуатационнойнадежности микросхем.По предлагаемому способу в сплошном слоевентильного металла создают сквозные окна, 10обнажающие торцовые участки элементов схемы, подлежащие анодированию, а после локального анодирования наносят сплошнойслой токопроводящего материала и выполняют полный коммутационный рисунок микро всхемы на обоих токопроводящих слоях с учетом ранее полученного рисунка,На фиг. 1 изображена общая топология интегральной микросхемы, выполненной предлагаемым способом; на фиг. 2 - последовательность операций при изготовлении интегральной микросхемы.Как видно из фиг. 1, топологией предусматривается выполнение одного пересечения 1проводников с изоляцией, выращенной на первом слое, и одного конденсатора 2 с диэлектриком также из анодированного материала(участки, подлежащие анодированию, заштри.хованы). Для простоты изложения примем,что диэлектрическая пленка как в ооласти ЗО пересечения, так и в конденсаторе должна быть одинаковой толщины.По предлагаемому способу первоначально или после выполнения каких-либо предварительных операций напыляют сплошной слой из вентильного материала 3 (фиг, 2 а), в котором вскрывают небольшие окна 4 (фиг. 2 б), обнажающие боковые участки элементов микросхемы, которые подлежат обязательному анодированию (на фиг. 2 б выделены жирной линией). Затем наносят изоляционную маску 5, например, из пассивного к электролиту фоторезиста (фиг. 2 в), проводят локальное анодирование обнаженных участков 6 (фиг. 2 г), снимают защитную маску (фиг. 2 д); сразу или после проведения каких-либо дополнительных операций наносят сплошной проводящий слой 7 (фиг. 2 е) и с учетом ранее полученных конфигураций выполняют полный коммутационный рисунок микросхемы на двух проводящих слоях (фиг. 2 ж),Предлагаемый способ исключает удаление технологических перемычек или нанесение и удаление сплошного закорачивающего слоя и его фотолитографию. Закорачивающим слоем служит сплошноп слой вентпльного материала, что обеспечивает надежное и низкоомное соединение любых точек поверхности при анодировании. Материал анодируемого слоя пропускает ток практически во всей ком38310 Составител овалева рректор М. Лейзерман хред Т дактор Б. Федотов кова Г 1 одписнв СССР раж 760ета Минирытий, д, 45 Изд К 2 1267И Государственного комитета но делам изобретений и Москва, Ж, Раушская Заказ 1371,5ЦНИ Со оТипография, пр. Сапунова, 2 мутирующей част схемы, что приводит к уменьшению сопротнвлс 1 ня проводников, к повышению процеп га выхода годных схем благодаря дублг 1 ровани 0 Одного проводника другим и, в итоге, к повышегио эксплуатационной надежности мпкрссхсм,Предмет изобретенияСпособ изготовления пленочш х микросхем фотолитографическим ме годов, включа 1 опий нанесение на поверхность подложки сплошного слоя вентильного материала и его локальпое анодирование, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрсшения технологии изготовления и повышения эксплуатационной надежности микросхем, в сплошном слое вентильно го металла создаот сквозные окна, обнажаюцие горцовые учас 1 ки элементов схемы, подлежащие анодированию, а после локального аподирования наносят сплошной слой токо- проводящего материала и выполняют полньш 10 комутационпый рисунок микросхемы на обоих токопроводящих слоях с учетом ранее получешого рисунка.
СмотретьЗаявка
1733828
Ю. А. Шепрут, Ю. А. Смирнов
МПК / Метки
МПК: H05K 3/02
Опубликовано: 15.02.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-381310-sposob-izgotovleniya-plenochnykh-mikroskhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления пленочных микросхем</a>
Устройство для зачистки кольцевых сварных швов на телах вращения после автоматической сварки под слоем флюса
Номер патента: 747668
Опубликовано: 15.07.1980
Авторы: Баранов, Виноградов, Полянский
МПК: B23K 37/02
Метки: автоматической, вращения, зачистки, кольцевых, после, сварки, сварных, слоем, телах, флюса, швов
...вращения после автоматической сварки под слоем фл оса, содержащее опорные ролики с приводом, зачистной инструмент, глеханиэм перемещения зачистного инструмента в направлении, перпендикулярном оси обрабатываемого изделия, пло-. щадку для размещения сварочного ап/парата, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения качества сварного соединения при многопроходной- сварке кольцевых швов путем надежного удаления шлака, зачистной инструмент выполнен в аиде пакета одноплечих рычагов, одни концы которых закреплены на площадке для размещения сварочного аппарата с воэможностью вращения, а другие концы, копирующие поверхность разделки сварного гва под действием силы тяжести, имеют крючкообразную форму, при этом рычаги выполнены с пазом...
Способ армирования металлических изделий износостойким слоем
Номер патента: 451503
Опубликовано: 30.11.1974
Авторы: Макаров, Трахтенберг, Шубина
МПК: B22F 7/00
Метки: армирования, износостойким, металлических, слоем
...никелирования наносят слой никеля толщиной 30 мкм. Содержание фосфора в никеле составляет 9,5%. На слой никеля наносят слой порошка карбида вольфрама толщиной 0,05 мм, При помощи груза порошок прижимают к поверхности изделия под давлением 0,3.ривариващ,е к поверхнос.1оода при 1050 С в течети в среде водние 30 мин, П том никель, содержаляется шии фосфор, расп слой карбида врльПосле спекани пропитывае рама.изделие нанесенным1 О10-4 вакууме и выде слоем нагреваюто рт. ст, до 1050 этой температуре этом происходит келевой связки и рживают цри 5 мин. При фосфора из н ечен дополнительисх ое приваривани я к поверхности изделия.15 В зависимости о содержанияпеканиясходи осфора в связке темможет быть. сниженаой связке) и до 102ой связке).В...
Способ образования металлического герметизирующего слоя на контактирующих поверхностях уплотнительных элементов
Номер патента: 296456
Опубликовано: 10.05.2000
Авторы: Ванин, Камардин, Поляков
МПК: F16J 15/12
Метки: герметизирующего, контактирующих, металлического, образования, поверхностях, слоя, уплотнительных, элементов
Способ образования металлического герметизирующего слоя на контактирующих поверхностях уплотнительных элементов запорных и разъемных устройств, работающих в условиях вакуума или избыточного давления, заключающийся в помещении уплотнительных элементов в вакуум, обжатии их, выдержке при усилии обжатия и температуре, обеспечивающих молекулярно-диффузионное сцепление контактирующих поверхностей, разведении их с отрывом друг от друга и повторении всего цикла несколько раз, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического цикла при одновременном улучшении характеристик слоя, металлический герметизирующий слой формируют на контактирующих поверхностях уплотнительных элементов...
Способ изготовления шаблона
Номер патента: 1064352
Опубликовано: 30.12.1983
Авторы: Кривутенко, Папченко
МПК: H01L 21/312
Метки: шаблона
...следующем соотношении, об.ч.;Плавиковая кислота 90Фтористый аммоний , 300Вода дистиллированная 600Нанося на полученную заготовкузащитноепокрытие из фотореэиста,формируют широкое окно с обратнойстороны подложки путем травлениясапфира в травителе, в качестве ко"торого используется, подогретая до130 ОС, ортофосфорная кислота.Время травления около 60 мин,При этом сапфировая подложка протравливается до слоя монокремния.Полученный таким образом шаблон имЕет пленку мембрану ) из монокристаллического кремния С 100) толщиной0,7 мкм со сформированными в нейпоглощающими шинами иэ палладия толщиной 50 нм, Расстояние между шинами около 2 мкм,П р и м е р 3. На стекляннуюподложку, например, марки ЛКнаносят прозрачный проводящий слой 3 о...
Способ изготовления структур мдп-интегральных схем
Номер патента: 1410783
Опубликовано: 30.05.1994
Авторы: Гогиберидзе, Красножон, Паринов, Хворов
МПК: H01L 21/82
Метки: мдп-интегральных, структур, схем
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР МДП-ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий последовательное формирование на рабочей стороне кремниевой подложки слоев двуокиси кремния, фоторезиста, нитрида кремния и поликремния, плазмохимическое травление этих слоев, формирование областей МДП-транзисторов и контактов к ним, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур за счет предотвращения электрического пробоя слоев двуокиси кремния толщиной до 75 нм на рабочей стороне подложки при плазмохимическом травлении, перед плазмохимическим травлением на обратной стороне подложки формируют слой двуокиси кремния в виде равномерно распределенных по площади участков толщиной не менее, чем на рабочей стороне подложки.