Способ обогащения сочных кормов при силосовании

Номер патента: 881604

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Веселова, Дергачев, Якимова

МПК: G01N 27/62

Метки: анализа, вещество, изотопного, масс-спектрометрического, серы, состава

...ускорения и упро.щения процесса анализа и сокращениярасхода анлизируемого вещества, оносостоит из сульфида меди и окисиртути в следующих количествах вес.ЕСульфида меди 75-80Окиси ртути 20-25Источники информации,принятые во внимание при экспертизе35 чительные трудности, а получениесернистого газа в отдельной отмасс-спектрометра аппаратуре обычными химическими методами трудоемко,длительно и требует значительныхколичеств анализируемого дорогостоящего элемента,Цель изобретения - уменьшениерасхода анализируемого элемента,упрощение и ускорение анализа, ОПоставленная цель достигаетсятем, что вещество для масс-спектрометрического. анализа изотопного состава серы путем ионизации электронным ударом, содержащее сульфид металла и окись металла, в...

Номер патента: 1108876

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Васюта, Гречишников, Держиев, Ремендик

МПК: B01D 59/44, G01N 27/62

Метки: анализа, веществ, масс-спектрометрического, твердых

...влияющими на атомизацию иионизацню вещества и тем самым на Ео 22 2 10 Дж,правильность и точность результатованализа, являются плотность выделе- а плотность мощности в анодном пятния мощности в приповерхностных слоях з 5 2 10-Фтвердого тела, длительность разряда, не И = = 2 -10 вт/и, в пе "величина напряжения пробоя и ппощадь, 10 10выделения энергии в одном пробое, ресчете на объемную плотность Ю/ зпричем указанные параметры должны - 2 10 вт/ибыть постоянными в процессе проведе- При изменении плотности мощностиния анализа.30состав . масс-спектра меняется. ПриС этой точки зрения известный спо- обычно используемых параметрах разсоб атомизации и ионизации вещества ряда отношение двухразрядных ионовне является оптимальным Полная...

Номер патента: 1226554

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Васильев, Коляда, Черепин, Швецов

МПК: G01N 27/62, H01J 49/26

Метки: анализа, веществ, масс-спектрометрического, твердых

...меньшечем знаменатель зависит от состоянияповерхности в связи с чем 1 характеризует состояние поверхности, аизменение его - изменение состояния поверхности, чтс учитывают при получении и обработке результатов анализа и что является технической сущностью изобретения,В масс-спектрометрии вторичныхионов, ионном легировании, катодномраспылении материалов и других областях техники широко применяют пучки ионов различной массы и энергии,Изменяя последнюю достигают различных глубин проникновения ионов, скоростей распыления, выходов ионов илиизлучений из мишеней и т.д. Предлагаемый способ существенно отличается отизвестных тем, что позволяет контролировать состояние поверхности твердого вещества путем учета специфических особенностей...

Номер патента: 983829

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Поволоцкая, Танцырев

МПК: H01J 49/26

Метки: анализа, веществ, масс-спектрометрического, молекулярных, нелетучих

...молекулярными ионами ъ -аланина, Н + ИН (СН )2 СО 2 Н 3, цифрой Й пик протонированных молекулярных ионов глицерина Н + СНОН(СН ОН)2 3+, цифрой 5 - пик протонировайных молекулярных ионов валина 1 Н + (СН З) к фСН СНИН 2 . СО 2 Н 3+, цифрой 6 - пик протонированных молекулярных ионов 0 - лизинаН + ИН (СН),СНЙ Нх х СОН 3 и цифрой 7 - пик протонированных молекулярных ионов- аргинина Н + МНС(МН) . МН(СН 2) х х СН(НН)СО Й 3. П р и м е р 1, Иишень приготавливают следующим образом. Навеску сухого валина растворяют в глицерине.Концентрация валина в глицерине составляет 0,75 вес.Ф. Полученный раствор наносят на никелевую подложку слоем, 0,3 мм. Подложку с раствором вводят в масс-спектрометр. Записьмасс-спектра производят при следующих условиях:...

Номер патента: 983830

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Агафонов, Бессмертная, Фаерман

МПК: H01J 49/26

Метки: анализа, веществ, летучих, масс-спектрометрического, накопительная, ячейка

...4 ионного источника. Внутри ее коаксиально укреплена спомощью изолятора с отверстиями 5 стеклянная трубка 6, покрытая проводящимслоем 7, на поверхности которого выращены иглообразные полупроводниковые45монокристаллы 8, длина которых в 210 раз меньше зазора между трубками 1и 6, Исследуемый газ пропускают череззазор между трубками 1 и 6,; при этомна поверхности полупроводниковых микро Овыступов 8 происходит сорбция менее.летучих компонентов смеси. Периодическиосуществляют электрический разряд между усами и электродом (трубкой 1); подавая на них по токовводам 9 разностьпотенциалов в несколько киловольт. Приэтом под действием электрического разряда за время Т полупроводниковые усы 0нагреваются, а накопленные на них вещества испаряются,...