Способ получения легированного железного

Номер патента: 1044599

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Лыко, Миронюк, Огенко, Романюк, Сушко, Хабер, Хома, Чуйко

МПК: C01B 33/18

Метки: дисперсных, кремния, окислов, титана

...газы,в Факеле при потаеннойтемпературе, предпочтительно 10501100 С 21, 35Недостатками известного способаявляются низкие светорассеивающие качества продукта вследствие малых раз-.мерой частиц двуокиси кремния, а .также сложность технологического процес са, заключающаяся, в частности, в необходимости предварительного испарения жидких галогенидов.Цель изобретения - повышение светорассеивающих свойств продукта,Поставленная цель достигаетсятем, что, согласно способу., включающему подачу и последующий гидролизгалогенидов кремния или титана впламени, образованном сжиганием водорода в кислородсодержащем газе, охлаждение и разделение продуктов, удаление адсорбированных примесей, подачу осуществляют путем распылениягалогенида в жидком виде...

Номер патента: 132628

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Грошев, Рабовский, Фурман, Щеголь

МПК: C01B 33/08, C01F 7/60

Метки: алюминия, кремния, одновременного, хлоридов

...восстановителя.Отвал шахтных печей содержит значительные количества непгировавших окислов алюминия и кремния и характеризуется вьстепенью чистоты: он содержит до 99,8% полезных веществ.Установлено, что отвал, взвешенный в мелкодиспев среде расплавленных хлоридов щелочных металлов встановителя, в качестве которого применялся нефтянойся с достаточнои скоростью.П р и м е р,9 г измельченного до дисперсности 80 леш отваловнефтяного кокса той же дисперсности загружались в кварцевую прку диаметром 20 лл, содержащую расплав эквимолекулярнойКС 1, аС с добавкой 10% А 1 С 1 з. Через расплав со скоростью 3пропускался хлор. Опыт длился в течение часа. Результаты привв таблице. о ве. отвал овых рореа- сокой рсном состоянии присутствии воскокс,...

Номер патента: 265317

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Архангельска, Феофилов

МПК: G02B 1/02

Метки: материал, оптическоеизлучение, регистрирующей, среды

...энергия кванта в полосе наглощения иона КЕз2+ Регистрирую по крайней ме щения одного шенин фотоп волны оптиче тор, восстанав переноса, не на длине вол честве такои среды может кристалл флюорита, акт редкоземельными ионами ;ш 2+ Щз+ быть испольивированныйнапример ован вумя Регистрация и считывание происходят слеующим образом. Облуч ким сиг при кот считыва светопро соответс веществ реноса. щением ния акти ив регистрирующую среду оптичесналом, охлаждают ее до температуры, орой нет обратного термопереноса; от пространственную неравномерность пускания среды, освещая излучением, твующим любой полосе поглощения а, не вызывающей обратного фотопеСтирают запись нагревом или осве. в коротковолновой полосе поглощеватора. где ЙЕ ервый активирующи...

Номер патента: 464991

Опубликовано: 25.03.1975

Авторы: Аксель, Жан, Людвиг, Ханс

МПК: C01B 13/14

Метки: кремния, металлов, окислов, тонкодисперсных

...га.за не окислял р й водород с образованием хлора,Для упрощения процесса предлагается 5 способ, по которому в качестве вещества, подавляющего образование галогенов, используют водяные пары. Перегретый водяной пар подают, например, непосредственно через кольцеобразное сопло, концентрически распо ложенное по отношению к соплу горелки. Необязательно, чтобы водяные пары подводились извне, их можно получать непосредственно в реакционной зоне путем подачи избыточного количества вторичного воздуха. Под 15 вторичным воздухом понимается воздух, добавляемый независимо в зазор между устьем горелки и нижней частью пламени под лю.бым углом, При этом водород горит с образованием паровой оболочки вокруг пламени.20П р и м е р. В горелку вводят...

Номер патента: 913762

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбида, кремния, политипа, эпитаксиального

1. Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4Н путем пересублимации исходного материала на монокристаллическую подложку карбида кремния в присутствии паров вещества, трансформирующего ее в политип 4Н, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов, их совершенства и чистоты, в качестве трансформирующего вещества используют олово, или свинец, или германий, или их смесь.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины переходного слоя, пересублимацию ведут со скоростью нагрева исходного материала 100 1000oС/мин.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что, с целью легирования кристаллов, пересублимацию ведут в присутствии паров легирующего вещества из ряда:...