Усилитель класса d

Номер патента: 69952

Опубликовано: 01.01.1947

Автор: Житомирский

МПК: H03K 11/00

Метки: длительностью, изменяющейся, импульсов, интенсивностью, последовательность, преобразования, сигналов, электрических

...Ь от пилообразного генератора, но усеченной формы (фиг. 4). Усечение амплитуды колебания происходит вследствие того, что колебания на выходе возникают при разбалансированном состоянии только в промежутке между напряжениями (с 1 и У (фиг. 3), При значениях напряжений Ь, выходящих за пунктирные линии, схема снова приходит в уравновешенное состояние, и на выходе трансформатора Тр, напряжение будет равно цулю,Это свойство схемы ограничивать величину напряжения заданным значением и удалять все, что выше этого значения, позволяет применять ее в качестве ограничителя амплитуд. Схема производит ограничение как верха, так и низа колебаний, т. е, вырезает среднюю часть колебаний. Для, этого включают смещающую батарею Е, которая сместит...

Номер патента: 74294

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Заварин

МПК: H03K 11/00

Метки: длительностью, изменяющейся, импульсов, интенсивностью, последовательность, преобразования, сигналов

...открывается при полож;- тельном напряжении на экранирующей сетке в момент наличия на управляющей сетке лишь небольшого отрицательного мгновенного напряжения, недостаточного для запира:пия лампы, Начиная с этого момента, в анодной цепи лампы течетток.Когда мгновенное напряжен 1 е на экранирующей сетке упадет до нуля (или до небольшого положительно. го значения), ток прекратится,Анодный ток лампы имеет импульсный характер. Наличие цепи Р,С обладающей постоянной времечи, значительно большей, чем период колебаний тактового напряжения, вызывает фазовый сдвиг между н- пряжением на экраннрующей сет е и напряжением на управляюп 1 ей сетке, необходимым для полученя только одного импульса за период тактового напряжения.Графическая...

Номер патента: 95956

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Свет

МПК: H03K 7/08

Метки: длительности, зависимости, импульсов, модулированных, последовательность, преобразования, сигнала

...имс 101 иел 11-Обрязню Х 111 РЯКТСОИСТИКУ, СОВЛ 1 ЕЦ 1 ЮТ ИЯППЯ- ,:ения сигнала и экспонеициально- О 1111 ПУ 1 ЬС 1 ГЯ 1, Топой .ЯСТОТЬ Принцип предлагяелОго способа преобразования поясняется диаграммой, изображенной ня чертеже.Ня нелииеиный элемент, имеюгци П-образную вольт-ямпериуо характеристику, одиоврел 1 енио воздействуют напряжение У сигнала и напряжение У, (1 ) экспоненциального импульса тактовон частоты, т, е.-., -. сонэк, п Предмет изобретения оиитет по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР едактор И, В. Макаров печ, 11,1 Х1.1 ена 25 коп Информационно-издательский отделОб ьсм (Л 17 и. л. Зак. 427 Поди. ира 1 к 360.ор. Ал ырь, типография2 11 инистерст туры Чувашской АССР тельность выход ого импульса и,...

Номер патента: 478436

Опубликовано: 25.07.1975

Авторы: Новиков, Омельченко, Школьников

МПК: H03K 7/08

Метки: длительности, импульсов, модулированных, прямоугольных

...2, 3 и трансформаторе 4, вторичная обмотка 5 которого подключена к формирователю запускаюших импульсов 6, состояшему из конденсатора 7, резистора 8 и выпрями- тельного моста 9, Формирователь запус ц 1 их импульсов 6 подключен к генератор пилообразного напряжения 10, состояше из транзисторов 11, 12, резисторов 13 - 16 и конденсатора 17. Генератор пил- образного напряжения 10 через диод 18 и резистор 19, на который подается управляюшее напряжение, подключен к входу порогового элемента 20, состоящего из транзисторов 21, 22 и резисторов 23- 27. Импульсные трансформаторы 28,29 своими первичными обмотками через диоды 30, 31 и транзистор 22 подключены к вторичным обмоткам 32, 33 трансформатора 4 задающего генератора 1,Устройство...

Номер патента: 940605

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Каусова, Копицын, Назаревская

МПК: H01L 21/283

Метки: кремниевых, резисторами, тонкопленочными, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов при улучшении их параметров, после формирования контактных окон в диэлектрических слоях в эти окна дополнительно наносят пленку SiO2 толщиной 10 40 нм, локально формируют дополнительный слой металла со слабой адгезией к SiO2, растворяющийся в травителе, не взаимодействующем с нихромом, а после осаждения нихрома удаляют...