Усилитель класса d
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 365016
Автор: Ленинградский
Текст
365016 ОП ИСАН И ЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 26.1 Ч,1971 ( 1649678/26-9) Кл. Н 03 т 1/06 присоединением заявкиКомитет оо дел риоритетпубликовано 28.Х 11.1972ата опубликования опис зобретений и открытири Совете МинистровСССР УДК 621.375.4,(088,8) юллетень5 за 1973 ия 21.11.1973. Арты Ленинградский ордена им.нина политехнический инстиИ. Калинина явите Л ИТЕЛЬ. КЛАССА 10 Изобретение относится к радиотехнике.Известны усилители класса Р на транзисторах, включенных по схеме с общим эмиттером или общей базой.Цель изобретения - повышение к. п. д. усилителя, Для этого в предлагаемом усилителе коллектор транзистора предоконечного каскада соединен со входом оконечного каскада через резистор, шунтированный двумя цепями, каждая из которых содержит резистор, соединенный последовательно соответственно с высокочастотным дросселем и диодом, включенным в обратном направлении.На фиг. 1, 2 и 3 изображены варианты схем предлагаемого усилителя.База транзистора 1 оконечного каскада соединена с коллектором транзистора 2 пред- оконечного каскада через дроссель высокой частоты 3, шунтированный цепочкой, состоящей из последовательно соединенных резистора 4 и диода 5, включенного в обратной полярности так, что ток базы транзистора 1 через него не протекает. Эмиттер транзистора 2 соединен с источником питания б, а на базу подается напряжение возбуждения, имеющее вид прямоугольных высокочастотных импульсов постоянной амплитуды, модулированных по длительности по закону изменения усиливаемого сигнала. С целью линеаризации входного сопротивления транзистора 1 и ограничения тока его базы последовательно с дросселем 3 может быть включен низкоомный резистор 7 (фиг, 2), а для увеличения тока при малых длительностях импульсов параллельно цепи, состоящей из дросселя 3 и резистора 7, - высокоомный резистор 8 (фиг. 3).Высокочастотные прямоугольные импульсы постоянной амплитуды, модулированные по длительности, подают на базу транзистора 2, который работает в ключевом режиме. Когда длительность импульсов значительно меньше периода их следования, ток в дросселе 3 достигает относительно малой величины. С удлинением импульсов он нарастает. Если сопротивление резистора 4 (с учетом внутреннего сопротивления диода 5) равно сумме входного сопротивления транзистора 1 п выходного сопротивления транзистора 2 (в ключевом режиме), ток в дросселе 3 и в цепи базы транзистора 1 прямо пропорционален длительности импульсов, Напряжение питания, подаваемого от источника б, выбирается таким образом, чтобы при максимальной длительности импульсов (равный периоду их следования), когда падение напряжения на дросселе 3 равно нулю, ток базы транзистора 1 был равен расчетному значению, необходимому для обеспечения максимального тока коллектора.365016 Предмет изобретения Ри Составитель Ю, ЕркинРедактор Б, Федотов Техред А. Камышникова Корректоры; Л, Новожиловаи А. Степанова Заказ 320/2 Изд,102 Тираж 780 ПодписноЦ 11 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССМосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Типография, пр, Сапунова Усилитель класса 0 на транзисторах, включенных по схеме с общим эмиттером или общей базой, отличающийся тем, что, с целью повышения к,п.д коллектор транзистора предоконечного каскада соединен со входом оконечного каскада через резистор, шунтированный двумя цепями, каждая из которых содержит резистор, соединенный последовательно соответственно с высокочастотным дросселем 5 и диодом, включенным в обратном направлении.
СмотретьЗаявка
1649678
Ленинградский ордена Ленина политехнический институт М. И. Калинина
МПК / Метки
МПК: H03F 3/217
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-365016-usilitel-klassa-d.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Усилитель класса d</a>
Устройство для преобразования электрических сигналов с изменяющейся интенсивностью в последовательность импульсов с изменяющейся длительностью
Номер патента: 69952
Опубликовано: 01.01.1947
Автор: Житомирский
МПК: H03K 11/00
Метки: длительностью, изменяющейся, импульсов, интенсивностью, последовательность, преобразования, сигналов, электрических
...Ь от пилообразного генератора, но усеченной формы (фиг. 4). Усечение амплитуды колебания происходит вследствие того, что колебания на выходе возникают при разбалансированном состоянии только в промежутке между напряжениями (с 1 и У (фиг. 3), При значениях напряжений Ь, выходящих за пунктирные линии, схема снова приходит в уравновешенное состояние, и на выходе трансформатора Тр, напряжение будет равно цулю,Это свойство схемы ограничивать величину напряжения заданным значением и удалять все, что выше этого значения, позволяет применять ее в качестве ограничителя амплитуд. Схема производит ограничение как верха, так и низа колебаний, т. е, вырезает среднюю часть колебаний. Для, этого включают смещающую батарею Е, которая сместит...
Устройство для преобразования сигналов с изменяющейся интенсивностью в последовательность импульсов с изменяющейся длительностью
Номер патента: 74294
Опубликовано: 01.01.1949
Автор: Заварин
МПК: H03K 11/00
Метки: длительностью, изменяющейся, импульсов, интенсивностью, последовательность, преобразования, сигналов
...открывается при полож;- тельном напряжении на экранирующей сетке в момент наличия на управляющей сетке лишь небольшого отрицательного мгновенного напряжения, недостаточного для запира:пия лампы, Начиная с этого момента, в анодной цепи лампы течетток.Когда мгновенное напряжен 1 е на экранирующей сетке упадет до нуля (или до небольшого положительно. го значения), ток прекратится,Анодный ток лампы имеет импульсный характер. Наличие цепи Р,С обладающей постоянной времечи, значительно большей, чем период колебаний тактового напряжения, вызывает фазовый сдвиг между н- пряжением на экраннрующей сет е и напряжением на управляюп 1 ей сетке, необходимым для полученя только одного импульса за период тактового напряжения.Графическая...
Способ преобразования напряжения сигнала в последовательность импульсов, модулированных по длительности в зависимости от напряжения сигнала
Номер патента: 95956
Опубликовано: 01.01.1953
Автор: Свет
МПК: H03K 7/08
Метки: длительности, зависимости, импульсов, модулированных, последовательность, преобразования, сигнала
...имс 101 иел 11-Обрязню Х 111 РЯКТСОИСТИКУ, СОВЛ 1 ЕЦ 1 ЮТ ИЯППЯ- ,:ения сигнала и экспонеициально- О 1111 ПУ 1 ЬС 1 ГЯ 1, Топой .ЯСТОТЬ Принцип предлагяелОго способа преобразования поясняется диаграммой, изображенной ня чертеже.Ня нелииеиный элемент, имеюгци П-образную вольт-ямпериуо характеристику, одиоврел 1 енио воздействуют напряжение У сигнала и напряжение У, (1 ) экспоненциального импульса тактовон частоты, т, е.-., -. сонэк, п Предмет изобретения оиитет по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР едактор И, В. Макаров печ, 11,1 Х1.1 ена 25 коп Информационно-издательский отделОб ьсм (Л 17 и. л. Зак. 427 Поди. ира 1 к 360.ор. Ал ырь, типография2 11 инистерст туры Чувашской АССР тельность выход ого импульса и,...
Устройство для получения прямоугольных импульсов, модулированных по длительности
Номер патента: 478436
Опубликовано: 25.07.1975
Авторы: Новиков, Омельченко, Школьников
МПК: H03K 7/08
Метки: длительности, импульсов, модулированных, прямоугольных
...2, 3 и трансформаторе 4, вторичная обмотка 5 которого подключена к формирователю запускаюших импульсов 6, состояшему из конденсатора 7, резистора 8 и выпрями- тельного моста 9, Формирователь запус ц 1 их импульсов 6 подключен к генератор пилообразного напряжения 10, состояше из транзисторов 11, 12, резисторов 13 - 16 и конденсатора 17. Генератор пил- образного напряжения 10 через диод 18 и резистор 19, на который подается управляюшее напряжение, подключен к входу порогового элемента 20, состоящего из транзисторов 21, 22 и резисторов 23- 27. Импульсные трансформаторы 28,29 своими первичными обмотками через диоды 30, 31 и транзистор 22 подключены к вторичным обмоткам 32, 33 трансформатора 4 задающего генератора 1,Устройство...
Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами
Номер патента: 940605
Опубликовано: 10.01.1997
Авторы: Диковский, Каусова, Копицын, Назаревская
МПК: H01L 21/283
Метки: кремниевых, резисторами, тонкопленочными, транзисторов
Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов при улучшении их параметров, после формирования контактных окон в диэлектрических слоях в эти окна дополнительно наносят пленку SiO2 толщиной 10 40 нм, локально формируют дополнительный слой металла со слабой адгезией к SiO2, растворяющийся в травителе, не взаимодействующем с нихромом, а после осаждения нихрома удаляют...