Невзаимное устройство
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ч ччО Л И С А Н И Е 362378ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеслтблинКомитет ло делам ивобретеиий и открытиВ лри Совете Министров СССР. И. Баранов, В. Б, Гаманюк, Д, А. Усанов аявитель физикитете аучно-исследовательскии институт при Саратовском государственно ханик униве ВЗАИМНОЕ УСТРОЙСТВ щимся, например, по линеинохснования.На чертеже показано прмное устройство и разрез закону от Ч и мо- миллитносги,мое невз состоялновода, ика магНевзаимно прямоугольн кового обра поля. О Полупрово вается из м натной темп низкой конц пример анги 5 положен в ц щен относит стенки, е устройство сос го волновода 1 ца 2 и источник из отрезка лупроводни- магнитного Работа невзаимного устроиства основана 20 на эффекте смещения полей прямой и обратной волн к противоположным стенкам волновода в поперечно намагниченном полупроводнике. Так как у стенки волновода, вдоль которой волна должна распространяться, обра зец тоньше и короче, то и поглощение энергии волны у этой стенки мало, У противоположной стенки образец толще и длинее, поэтому поглощение энергии волны у этой стенки велико. Примерами полупроводниковых ЗО образцов, которые можно использовать в обладаютдостижесильных при одрь и ве- предлаие поду- меньшас присоединением заяПриоритетОпубликовано 13.Х 11.Дата опубликования Изобретение относится к технике С жет быть использовано в аппаратур метрового диапазона длин волн, в ч как элемент СВЧ-развязки.Известны невзаимные устройства, щие из отрезка прямоугольного во полупроводникового образца и источи нитного поля. Невзаимность распространения волны в этом устройстве достигается тем, что около одного из оснований пластинки прямоугольного поперечного сечения, выполненной из ангимонида индия и-типа с концентрацией электронов 2 10" см - , вырезается часть широкой стенки волновода и заменяется поглощающим материалом. Для уменьшения прямых потерь несмежное с поглотителем основание полупроводникового образца делается короче. Однако известные устроиства большими прямыми потерями, а для ния большой СВЧ-развязки требуют магнитных полей.;С целью увеличения СВЧ-развязки новременном снижении прямых поте личины индукции магнитного поля в гаемом устройстве поперечное сечен проводникового образца выполнено у дниковый образец 2 изготавлиатериалов, обладающих при комературе высокой подвижностью и ентрацией носителей зарядов (намонид индия), и может быть расентре волновода и несколько смеельно центра в сторону узкойА А.А Составитель В, КлюкинТехред Л, Куклина Редактор Т. Морозова Корректоры: Л. Корогод и М. Коробова Заказ 66/8 Изд. 14 1073 Тираж 403 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 предлагаемом валноводном твердотельноплазменном невзаимном устройстве, являются образцы треугольной и трапецеидальной форм поперечного сечения и трапецеидальной продольного сечения. Дополнительное увеличение СВЧ-развязки достигается тем, что часть широкой стенки волновода, к которой прилегает сторона образца с большой площадью, вырезается и заменяется поглощающим материалом. Невзаимное устройство, состоящее из отрезка прямоугольного волновода, полупроводникового образца и источника магнитного поля, отличаюиевся тем, что, с целью увеличения СВЧ-развязки при одновременном снижении прямых потерь и величины индукции магнитного поля, поперечное сечение полупроводни кового образца выполнено уменьшающимся,например по линейному закону, от основания.
СмотретьЗаявка
1708772
Научно исследовательский институт механики, физики при Саратовском государственном университете
витель Л. И. Баранов, В. Б. Гаманюк, Д. А. Усанов, Л. Н. Кабанов
МПК / Метки
МПК: H01P 1/36
Метки: невзаимное
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-362378-nevzaimnoe-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Невзаимное устройство</a>
Устройство для измерения напряженности поля анизотропии тонких магнитных пленок
Номер патента: 746362
Опубликовано: 05.07.1980
МПК: G01R 33/12
Метки: анизотропии, магнитных, напряженности, пленок, поля, тонких
...Гельмгольца," З 5подключено к выходу генератора 12 прямоугольных импульсов, связанного также со вторым входом блока 7 переключения и через интегрирующий блок 13 свычислительным блоком 9. 4 ОРаботает устройство следующим образом.Тонкую ферромагнитную пленку 14 перемагничивают полем проводника 2 с то.ком от звукового генератора 3. Величи "йу тока звукового генератора выбираюттакай, чтобы магнитное поле, создаваемое этим током, было достаточно для ,поворота вектора намагниченности наугол до ЗОО . Сигнал потока переключе Ония с выхода датчика 4 поступает визбирательный усилитель 5 и детекторб, с выхода которого снимается йостоянное напряжение, пропорциональное амплитуде второй гармойикМсйгналапотока переключения пленки.Общее...
Способ измерения поля анизотропии тонких магнитных пленок
Номер патента: 205372
Опубликовано: 01.01.1967
Автор: Август
МПК: G01R 33/12
Метки: анизотропии, магнитных, пленок, поля, тонких
...значения к текущему измеряют мгновенное значение результирующего поля вдоль оси легкого намагничивания,В качестве входной величины при измерении предлагаемым способом используется амплитуда составляющей индукции пленки, направленной вдоль трудной оси. Эта величина пропорциональна з 1 пО, где О - угол между направлением намагниченности и легкой осью. Так как поле, приложенное вдоль трудной оси, мало,тох(0) =Аз 1 пб=СН,з 1 пМ где:Н, - амплитуда поля, приложенного вдольтрудной оси;ш - частота этого поля; ное значение поля Нс= й и, в частности, при и= ный способ основан на том, ч ии намагничивания смещением" ( - .) в 1 п 6, сов 6, яп 6 = - з 1 п 8,.1Л Составитель В. М. ЩегловТехред Т. П, Курилко Корректор М. П. Ромашова Редактор...
Способ измерения поля анизотропии тонких магнитных пленок с одноосной анизотропией
Номер патента: 207261
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Торотенков
МПК: G01R 33/12
Метки: анизотропией, анизотропии, магнитных, одноосной, пленок, поля, тонких
...поля определяют анизотропию исследуемой пленки.С целью пояснения описываемого способа на чертеже приведена схема устрой:тва для его осуществления.При измерении поля анизотропии вдоль оси легкого намагничивания создают импульсное магнитное поле, меняющееся по знаку, Импульсы магнитного поля должны иметь длиочную для перемагничиватной пленки из насыщенного м направлении в насыщен- противоположном направле207261 Составитель В. Агапов 2 ЬлгОои Типография, пр. Сапунова При дальнейшем увеличении постоянного поля по оси трудного намагничивания вид сигналов с тонкой магнитной пленки принципиально не меняется, уменьшается лишь их площадь и амплитуда за счет меныпего отклонения намагниченности от о и трудного намагничивания импульсами поля по...
Измерительный свч магнитный зонд
Номер патента: 1095073
Опубликовано: 30.05.1984
Авторы: Кобзарев, Топольницкий
МПК: G01R 1/06
Метки: зонд, измерительный, магнитный, свч
...в отрезке двухпроводной линии 2 передачичетный тип колебаний (волну ТЕМ коаксиального типа), который быстро затухает за счет большого поверхностного сопротивления резистивного экрана 3. В результате петля 5 связибудет возбуждаться только за счетсоставляющей магнитного поля, перпендикулярной плоскости измерительнойпетли 1.Таким образом, выполнение отрезка двухпроводной линии передачи иизмерительной петли в виде металлизации на поверхности плоской диэлектрической подложки с большой диэлектрической проницаемостью и заключениеотрезка двухпроводной линии передачив резистивный экран, т.е. в видепланарной конструкции, обработаннойпо высокому классу точности, позволило в чистом виде измерить одну составляющую магнитного поля, нормальную к...
Свч-резонатор на прямых объемных магнитостатических волнах
Номер патента: 1755344
Опубликовано: 15.08.1992
Авторы: Балинский, Ерещенко, Кудинов, Кущ, Монголов, Московченко
МПК: H01P 7/00
Метки: волнах, магнитостатических, объемных, прямых, свч-резонатор
...которыми выбрано равным Ь, Между торцами центральных полосков отрезков копланарных линий имеется зазор 5, являющийся элементом связи между входом и выходом СВЧ-резонатора.Поверх преобразователей 3 и 4 установлен второй диэлектрический слой 6 толщиной б 2, на котором размещена ферритовая пленка 7 толщиной Я, Ферритовуо пленку 7 сверху полностью покрывает второй проводящий слой 8.СВЧ-резонатор на ПОМСВ находится во внешнем магнитном поле Й 0, создаваемом с помощью комбинированного электромагнита (не показан). Внешнее магнитное поле направлено перпендикулярно плоскости ферритовсй пленки 7, что обуславливает работу СВЧ-резонатора на ПОМСВ,Рассмотрим работу СВЧ-резонатора на ПОМСВ.Работа СВЧ-резонатора основана на явлении полного внутреннего...
Предыдущий патент: Всесоюзная -tcfuunrir. j пйтгйгно. г)шй: т
Следующий патент: Ферритовый циркулятор-переключатель
Случайный патент: Стекло