Функциональный проволочный резистор

Номер патента: 305394

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Крыжановска, Молдавский, Раик

МПК: C12G 1/02, G01N 33/14

Метки: продуктах, содержащих, фотоколориметрический, цинка

...НИИПИ Комитет по дламн)оботеи и открьпиири (.овс;с Мсстро 5 С:С,ГР Исссссгн,с 1(-35, Раугнскан най., л. 4 5 Гинос рацнс)Ь н;), С:ассуона, 2 ды 1 О гис Волы. ),г 5 рсэкстракцпп цинка при,НВс 1 От 10 .г 1 и. сол 51 НОЙ 1(ислоты 1 Б 302,тыБ 21 от Б теение 1 лик. Г 1 осге расслаивания нижний Водный слой (соЛержащий цинк) тцагельно отделяют, слизая В мерный цилиндр с 5 притертой пробкой на 50 г.г. Оставшийся и Воронке этилацстатньш слой промынают 3 л,г ВОЛЫ, и промывную иоду сливают в тот же цЛиндр. Солнокислый растзор, нахолягцийся в цилиндре, нейтралзуеот Ло желтой окрдски 10 пс) мстилоРанжУ Раст)оР;с 1 Х 11 ЕОН 1:1 и обратно одной-двумя каплями 11 С 1 1 н, до розоВой окраски. Охлджлаот раствор до комнат:ой температуры Б водяной бане,...

Номер патента: 541287

Опубликовано: 30.12.1976

Авторы: Квитка, Мартынюк, Самофалов

МПК: H03K 19/16

Метки: логический, элемент

...возбуждения, имеют один знак, а 1/3 заряда, вызванного механической деформацией компенсирующей секции - противоположный зн ак. 1/3 часть нескомпенсированного заряда д в электроде 14 приведет к возникновению на выходе пьезотрансформатора 1 импульса напряжения, амплитуда которого равна У.=.- 1 ОСг (С 2 - емкость конденсатора, образованного электродами 13, 14 и пластиной 12,) Импульс напряжения с выхода пьезотрансформатора 1 через разделительный конденсатор 17 и опс рационный усилитель 18 поступает на выход 19. Для обеспечения нормального фупкционированпя синхронно с информационными пмпульсамп папр 5 жснпя, поступаюцпмп па логические входы 6, 7, па компенсирующий вход 50 11 подают импульсньш сигнал положительной полярности одинаковой с...

Номер патента: 970292

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Кулаков, Фадеев

МПК: G02B 1/11

Метки: оптических, просветления, селенида, цинка, элементов

...с образованиемслоя окиси цинка равной толщины. Показатель преломления 2 пО ниже, чем.у 2 пЯеи меняется от 1,89 до 1,61в интервале длин волн 2,5-11 мкм.30 Просветление является результатом970292 Величина отраженияот обеих поверхностейэлемента, В длина волны,на .которойполучено минимальноеотражение,мкм Время выдержки Темпе- элемента в печи, ратурач печи,С Образец до отжига после отжига 30,0+1,0 9,0+1,0,2,5 500 1,0 500 5,5+1,0 3,0+1,0 30,0+1,0 6,0 3,0 11,0 30,0+1,0 500 6,0 Составитель И. Осташенко Редактор Н, Гришанова ТехредЛ.Пекарь Корре ктор И. Ватрушки наЗаказ 8383/56 Тираж 518 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035 уМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул....

Номер патента: 1349543

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Загоруйко, Комар, Кривошеин, Росторгуева

МПК: C03C 23/00, G02B 1/12

Метки: оптических, просветления, селенида, цинка, элементов

...на ноздухе до комнатной температуры,После охлаждения измеряют спектр пропускания оптического элемента, Максимальное зцачение пропускания получается ца длине волны 5,5 мкм и составляет 98,87 Коэффициент поглощения элеиента на длине волны ИК-излучения 10,6 икм после отжига состанляет 0,02 см П р и и е р 2, Оптический элемент,окак в примере 1, отжигают при 500 Св течение 30 мин при одновременномоблучении оптической поверхности элемента УФ-излучением с длиной волны0,2537 мкм и плотностью на поверхности образца 0,4 Вт/си, после чегооптический элемент охлаждают на воздухе до комнатной температуры.После охлаждения измеряют спектрпропускания оптического элемента,Максимальное пропускание получаетсяна длине волны 2,5 мкм и...

Номер патента: 1526303

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Гальчинецкий, Рыжиков, Старжинский, Файнер

МПК: C30B 29/46, C30B 33/00

Метки: оптических, селенида, термообработки, цинка, элементов

...относится к обработке кристаллов, конкретно селенидд цинка, и позволяет уменьшить их коэффициент оптического поглощения в инфракрасной области, Иэ кристалла селенида цинка резкой, шлифовкой и полировкой получают оптический элемент, Элемент подвергают термообработке в атмосфере насыщенного пара еллура при 1000-1050" С в течение 40-44 ч, Достигают уменьшения коэффициента оптического поглощения по длине волны 10,6 мкм до 3,5 10 см . 1 табл,электропечь сопротивления. Температуру в печи доводят до 1000 С, оыдержиоаот при этой темературе 40 ч, здтел печь выключдют, После остыоднил печи до комнатной температуры ампулу вынимают, разбивают ее, извлекают оптические элементы и измеряют их коэффициенты поглощения, которые оказываотся равными...