340987

Номер патента: 680567

Опубликовано: 07.07.1981

Автор: Климовская

МПК: H01L 43/06

Метки: датчик, магнитного, поля

...пробега по импульсу, длиной энергети.ческой релаксации, длиной внутридолинного пробега, длиной спиновой релаксации. Смысл этих длин состоит в том, что после соударения, например с дефектом кристалла,носитель на характерной длине не изменяет свой характерный парамет, т.е, импульсэнергию, номер длины и спин. Ограничивающие полупроводниковый образец поверхности являются тем дефектом, подходя к которому носители рассеиваются, т.е. изменяют все свои характерные параметры. Поэтому отражаясь от поверхности, в слое, равном соответствующей характерной длине, они двигаются без изменения характерного параметра, Сила Лоренца, являющаяся функцией характерного параметра, по разному отклоняет носители с разными характерными параметрами, в...

Номер патента: 826256

Опубликовано: 30.04.1981

Авторы: Грибников, Гуга, Малозовский, Малютенко

МПК: G01R 33/00

Метки: датчик, магнитного, поля

...того, применение известных дат,чиков ограничено в области низких темпе-,.ратур, твк квк в этих условиях концентрация электронно-лырочных пар становится ниже концентрации примеси, и изменее числа этих пар в магнитном по чика.Цепь изобретения - повышение чувительности датчика,Поставленная цель достигается тем,что в датчике магнитного поня, содержащем полупроводниковую пластину с омическими контактами нв торцах, две противоположные грани которой имеют разнуюскорость поверхностной рекомбинации, полуроводниковая пластина выполнена изпримесного лолупроводникв, подвижностьнеосновных носителей тока в которомбольше подвижности основных носителей,при этом для примесного полупроводникавыполняется следующее соотношение между...

Номер патента: 1046720

Опубликовано: 07.10.1983

Автор: Вальтас

МПК: G01R 33/02

Метки: вальтаса, датчик, магнитного, поля

...областями с различными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока 13, 15Недостатком данного датчика является сравнительно низкая чувствительность к магнитному полю из-за малого пути прохождения носителей токаи однопорядкового изменения сопротив лений обеих частей .пластины,Цель изобретения - повышение чувствительности датчика магнитного поля.Поставленная цель достигается тем, 25 что в датчике магнитного поля, содержащем полупроводниковую пластину с токовыми электродами на ее торцах, двумя равными по площади областями с различными скоростями поверхност ной рекомбинации носителей тока на одной из граней, выходной электрод, на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токопроводящий растр, а область с повышенной ско...

Номер патента: 1290214

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Зорин, Тельминов, Уткин

МПК: G01R 33/02

Метки: датчик, магнитного, поля

...бпричем выходгенератора 1 соединен с измерительным контуром 2, сердечник вместе спьезокерамической пластиной 4 и виброгасящим основанием 5 размещен ввакуумированном баллоне 6, а пьезокерамическая пластина 4 подключенак генератору 1. Устройство работает следующим образом.Сигнал с генератора 1 подается на измерительный контур 2, который частично расстроен по отношению к частоте генератора. Расстройка контура выбирается такой величины что. бы частота возбуждения приходилась на нижнюю границу полосы пропускания, т.е. на индуктивную ветвь. Измеряемое магнитное поле, направленное вдоль сердечника, вызывает изменение индуктивности катушки контура 2, в результате чего изменяется частота по отношению к частоте генератора 1, а следовательно,...

Номер патента: 1500055

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Безяев, Скрипкин, Увакин

МПК: G01C 17/30

Метки: датчик, магнитного, поля

ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ, содержащий расположенный в корпусе кольцевой магнитопровод из четырех секторных пластин с торцами и воздушными зазорами между ними, распределенные основные обмотки возбуждения и основные сигнальные обмотки, расположенные в одной плоскости попарно друг против друга с взаимно перпендикулярными осями чувствительности и включенные последовательно встречно, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения функциональных возможностей, он снабжен пятой и шестой секторными пластинами с дополнительными обмотками возбуждения и дополнительными сигнальными обмотками, расположенными в плоскости, перпендикулярной плоскости расположения основных обмоток, торцевые части каждой из секторных пластин выполнены...