Датчик магнитного поля вальтаса

СОЮЗ СОЕЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 720 1(5 В а 01 В 33 02 ГОСУД АРСПО ДЕЛА НИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ;,Фвр ЕЛЬСТ ВТОРСИОМУ С ление Всесоюэтельского,кого и технолоалых электри-. во СССР1975 етель 33/02 ВАЛЬТАСА я, содертину с орцах, астями ЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРЭОБРетений и ОтнРытий(прототип),(54) ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ (57) 1.Датчик магнитного пол жащий полупроводниковую пла токовыми электродами на ее двумя равными по площади обл с различными скоростями поверхност. ной рекомбинации носителей тока на одной из граней, выходной электрод, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения чувствительности, на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токопроводящий растр, а область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока расположена на одной из граней пластины, перпендикулярной грани с токопроводящим растром.2, Датчик по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что скорости поверхностной рекомбинации носителей тока выбраны из соотношения Я /Б 20,1 г где 8.1, 82 - скорости поверхностной рекомбинации носителей тока соответствующих областей.1046720 Составитель Ф.ТарнопольскаяРедактор Н.Стащишина Техред Ж,Кастелевич КорректорС.Шекмар Заказ 7725/46 Тираж 710 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раущская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4 Изобретение относится к приборостроению и может быть использованов устройствах автоматики и измерительной техники.Известен датчик магнитного поля,содержащий полупроводниковую пластину с токовыми электродами, установленными на ее торцах, и областьюс повышенной скоростью поверхностнойрекомбинации носителей тока, расположенной на одной из граней пластины и занимающей половину ее площади,выходной электрод, установленныймежду областями с различными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока 13, 15Недостатком данного датчика является сравнительно низкая чувствительность к магнитному полю из-за малого пути прохождения носителей токаи однопорядкового изменения сопротив лений обеих частей .пластины,Цель изобретения - повышение чувствительности датчика магнитного поля.Поставленная цель достигается тем, 25 что в датчике магнитного поля, содержащем полупроводниковую пластину с токовыми электродами на ее торцах, двумя равными по площади областями с различными скоростями поверхност ной рекомбинации носителей тока на одной из граней, выходной электрод, на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токопроводящий растр, а область с повышенной ско ростью поверхностной рекомбинации носителей тока расположена на одной . из граней пластины, перпендикулярной грани с токопроводящим растром. 40Кроме того, скорости поверхностной рекомбинации носителей тока выбраны из соотношения Б /Б 2 7,20, где Б, Б 2 -скорости поверхностной рекомбинации носителей тока соответствующих областей.На чертеже представлен,предлагаемый датчик магнитного поля.Датчик содержит полупроводниковую пластину 1, к торцам 2 которой присоединены токовые электроды 3. Грань 4 пластины 1 имеет область 5 с повышенной и область 6 с меньшей скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока, занимающие соответствующую половину площади грани 4. На половину грани 7 пластины 1 нанесен токопроводящий растр 8, крайний проводник 9 которого служит основанием выходного электрода 10. Отношение скоростей поверхностной рекомбинации области 5 и области 6 выбрано не меньшим двадцати ,20). Скорость поверхностной рекомбинации на грани 11, параллельной грани 4, такая же, как в области 6.Датчик магнитного поля работает следующим образом.При воздействии магнитного поля параллельно грани 4 на пластину 1, по которой между контактами электродов 3 и по растру 8 протекает электрический ток, происходит перераспределение носителей тока в сечении между гранями 4 и 11. При этом изменение сопротивления части пластины 1 с растром .8 значительно превышает изменение сопротивления другой части пластины 1. Разностный сигнал частей пластины 1 пропорционален значению напряженности. воздействующего на датчик магнитного поля,Исследование предлагаемых датчиков магнитного поля показало, что при отношении скоростей поверхностной рекомбинации носителей тока, не меньшим двадцати, чувствительность на два порядка превышает чувствительность датчика, выбранного в качестве прототипа.