Патенты с меткой «вальтаса»

Номер патента: 928269

Опубликовано: 15.05.1982

Автор: Вальтас

МПК: G01R 33/02

Метки: вальтаса, датчик, магнитного, поля

...из соотношения м/ЯД.20, где Яг - скорость по10 формула изобретения1, Датчик магнитного поля, содер"жащий полупроводниковую пластину с то.ковыми электродами на ее торцах,1 з двумя, равными по.площади областями с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока,на одной из граней выходной электрод,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,рв с целью повышения чувствительности,на половине грани полупроводниковойпластины выполнен токопроводящийрастр, а область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинацииц носителей тока расположена на одной из граней пластины, перпендикулярной грани с токопроводящим растром,2, Датчик по п,1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что скорости поверхностной рекомбинации носителей токавыбраны из соотношения Ч...

Номер патента: 1046720

Опубликовано: 07.10.1983

Автор: Вальтас

МПК: G01R 33/02

Метки: вальтаса, датчик, магнитного, поля

...областями с различными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока 13, 15Недостатком данного датчика является сравнительно низкая чувствительность к магнитному полю из-за малого пути прохождения носителей токаи однопорядкового изменения сопротив лений обеих частей .пластины,Цель изобретения - повышение чувствительности датчика магнитного поля.Поставленная цель достигается тем, 25 что в датчике магнитного поля, содержащем полупроводниковую пластину с токовыми электродами на ее торцах, двумя равными по площади областями с различными скоростями поверхност ной рекомбинации носителей тока на одной из граней, выходной электрод, на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токопроводящий растр, а область с повышенной ско...