Оптико-электронное запоминающее устройство

Союз Советскиъ Социалистическиз РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 15.1.1970 ( 1395830/18-24)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 11.17.1972, БюллетеньДата опубликования описания 1 бЛ,1972 11 с 11 4 Комитет по изобретении и открытипри Совете МинистровСССР ДК 681,327.025(088,8) ф. Медведев, С. С. Мескин, В. Н. Рав. С. Хейнман Заявител 56 .,ИЕРИО Е ПТИ КО-ЭЛ ЕКТРО Н НОЕ ЗАПОМИ Н ЕЕ УСТРОЙСТВО 2 выборке излуронные запоминаюиопользованы матей, матрицы фотовформации в виде Известны оптико-электщие устройства, в которыхрицы диодных излучателприемников и носитель ипластины с отверстиями,Недостатком таких устройств является необходимость оптического совмещения носителя информации с матрицей источников света,что во-первых, усложняет сборку осттико-электронной матрицы, во-вторых, ведет к увеличению потерь световой энергии из-за неизбежных ошибок при совмещении,Предложенное устройство отличается тем, что в нем носитель информации выполнен в виде прозрачных и непрозрачных участков на фоточувствительном слое, неподвижно нанесенном на световьсводящую поверхность матрицы излучателей,Непрозрачные участки на фоточувствительном слое создаются экспонированием слоя (с последующим проявлением и закреплением) светом диодных излучателей, входящих в матрицу излучателей, на которую нанесен слой. Прозрачные участки образуются в местах, на которые не подействовал свет, после закрепления, Поэтому спектры излучения диодов и фоточувствительного слоя должны быть согласованы, Очевидно, что произвольная информация может быть записана только при вторызобретения К, К, Ещин, Б, А, Красю произвольнои индивидуальноичателей в матрице.Число излучателей в матрице должно бытьравно числу хранимых чисел, а число оптико 5 электронных матриц в запоминающем устройстве для хранения разрядных чисел - единица,На чертеже представлено оптико-электронное за 1 поминающее устройство.10 Оно содержит матрицу 1 диодных излучателей, например, из арсенида галлия. Матрица 1 вьвполнена на подложке 2 из полуизолирующего арсенида галия. Р-и переходы диодных излучателей 8 образованы поверхностя 15 ми пересечения полос 4 арсенида галлияп-типа, легированного теллуром, и полос 5 арсенида галлия р-типа легированного кремнием. Полосы 4 и 5 служат проводникамиэлектрического тока к р-и переходам, образу 20 ют координатную систему, и таким образомобеспечивают произвольную индивидуальнуювыборку диодных излучателей при минимальном числе внешних электрических выводовматрицы,25 Фоточувствительный слой б нанесен на световыводящую поверхность 7 матрицы диодных излучателей. На ее противоположную поверхность 8 нанесен поглощающий слой 9,устраняющий оптические помехи, которые30 возникают из-за распространения света. генеСоставитель И. ГореловаУтехина Техред А. Камышникова Корректор Е. Исакова Редак Заказ 1172/б Изд.524 Тираж 448 ПодписноЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, К.35, Раунская наб д. 4/5 пография пунова,рируемого диодными излучателями по кристаллу матрицы. Наличие оптических помех в матрице ведет к уменьшению контрастности записи. Фотоприемник - кремниевый фото- диод 10 приклеен к фотослою б клеемпрозрачным для излучения диодных источников.Для записи, например, нулей двоичного кода информации, хранимой оптико-электронной матрицей, через соответствующие диодные излучатели поочередно пропускают прямой ток, Величина тока и время его протекания выбраны достаточными для экспонирования фоточувствительного слоя,Фотоприемник приклеивают к фоточувствительному слою, после проявления и фиксирования полученного изображения,Считывание одного разрядного числа в устройстве производится путем пропускания,прямого тока считывания через соответствующие диодные излучатели всех оптико-электронных матриц (по одному излучателю в каждой матрице). Свет, генерируемый этими излучателями, проходит через прозрачные участки в фоточувствительном слое, если в данном разряде записана единица, либо;поглощается слоем, если в данном разряде записан нуль хранимого числа, Прохождение или поглощение света фиксируется фотодиодом в матрице 5 соответствующего разряда.Таким образом, на выходе всех фотодиодовсоздается электрическое изображение информации, записанной на фоточувствительном слое.10 Оптико-электронное запоминающее устройство, содержащее матрицу излучателей с ин дивидуальной выборкойноситель информации, в котором информация представлена в виде, прозрачных и непрозрачных участков, и фотоприемяик, отличающееся тем, что, с целью уменьшения оптических потерь и упроще ния технологии изготовления и обеспечениявозможности резервирования излучателей, на световыводящую поверхность матрицы излучателей нанесен фотослой, чувствительный к длине волны излучения,