Конденсаторный частотомер

Номер патента: 420125

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Высочина, Солод, Яровой

МПК: H03K 3/353

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...состояние) ца выходе формирователя (клемма 11) возникает отрицательный потенциал, который открываеттранзисторы 4, 5 и 6, при этом в точке а устанавливается низкий потенциал, близкий к потенциалу земли (фцг. 2, КД. В точках б и втакже устанавливаются низкие потенциалыь (фиг. 2, Уа, l,), так как транзисторы 5 ц 7заперты низким напряжением, поступающимна их затворы с выхода открытого транзистора 4,конденсаторы 10 и 13 в исходном состоянии30 заряжены до напряжения, равного потецциа420125 Предмет изобретения Г Йсл Составитель Ю. ЕркинРедактор Т, Морозова Техред Л, Богданова Корректор Л. Чуркина Изд.13сударственпопо делам иМосква, Ж6 Тираж 811о комитета Совета Министровобретений и открытий, Раушская наб д. 4(5 аказ 185813ЦНИИПИ одписьлзе...

Номер патента: 503353

Опубликовано: 15.02.1976

Автор: Солод

МПК: H03K 5/02

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь

...транзисторы 1 и 5, 3 и 9, 7 и 12, при этом потенциалы в точках а, б и в стремятся достигнуть потенциала, равного Е - Уо, где 1.1 о - пороговое напряжение МДП-транзисторов,ираж 1 Изд.11 Заказ 1504 И одписное Типография, пр. Сапунов С приходом на вход положительного перепада и установления на затворах транзисторов 5, 9 и 12 напряжения ниже порогового, последние закрываются и начинает увеличиваться потенциал в точке д, в точке а также возрастает отрицательный потенциал, составляющий сумму из уровня напряжения в точке в (Со) и напряжения на накопительном конденсаторе 2, которое равно Е - Ио, при этом транзистор 1 закрыт, так как напряжение между его затвором и истоком меньше порогового напряжения а= с - Епит - УОПри достижении напряжения в...

Номер патента: 525247

Опубликовано: 15.08.1976

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, мдп, транзисторах, усилитель-формирователь

...подачи на входной вывод 1 нулевого потенциала накопительный конденсатор 10 заряжается через транзистор 9 до напряжения Епит - 0 о, где Уо - пороговое напряжение МДП-транзистора, в результате чего на верхней обкладке накопительного конденсатора 10 устанавливается потенциал Е - соС приходом на входной вывод 1 импульса открываются транзисторы 3 и 7. На правой обкладке накопительного конденсатора 8 и на выходном выводе 2 устанавливаются потенциалы, близкие к нулевому, а на верхней обкладке конденсатора 10 напряжение воз- раСТЯЕТ ДО уроВНя, раВНОГО Увх+Епит - 0 где Увх - амплитуда входных импульсов, при этом напряжение на верхней обкладке конденсатора 10 превышает напряжение питания, благодаря чему накопительный конденсатор 8 заряжается...

Номер патента: 1236604

Опубликовано: 07.06.1986

Авторы: Буй, Животовский, Копытов, Солод

МПК: H03K 19/094, H03K 5/01

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...транзисторов 9 и 12, способствуя ускоренному заряду емкости выходной шины 16 и разряду емкости транзистора 10 и, следовательно, его эапиранию. На выходной шине устанавливается сигнал с уровнем логической единицы.Поскольку Формирующие бутстрапное напряжение второй и третий каскады в устройстве непосредственно к выходной шине не подключены, скорость нарастания этого напряжения оказывается вьипе, что способствует повышению общего быстродействия устройства, 1(роме того, здесь вплоть до момента включения цепи ускоряющей обратной связи потенциал кочденсатора 8 поддерживается равным напряжению питания, что позволяет новы- сить амплитуду потенциала стока транзистора 5 и, тем самым, повысить быстродействие устройства эа счет более полного...

Номер патента: 1277380

Опубликовано: 15.12.1986

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирования

...и черезинвертирующие транзисторы усилителя4 и двухтактного усилителя 15 цепи.Рассмотрим процесс формирования высоковольтных импульсов на шине20, С приходом на шину 7 высокогопотенциала такой же потенциал устанавливается на входе усилителя 10, что в свою очередь устанавливает низкий потенциал на входе элемента 6 и на инвертирующем входе усилителя15 цепи. В результате этого начнет повышаться потенциал на шине 20 и синфазно с ним начнет, повышаться потенциал на выходе усилителя 15 цепи и, когда последний превысит порог срабатывания усилителя 5, на выходе установится низкий потенциал и зарядные транзисторы и инвертирующие транзисторы усилителей 4 и 15 закроются, вследствие чего начнут повышаться потенциалы на выходах усилителей 15 и...