Многокаскадный усилитель

Номер патента: 284047

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Прищепов

МПК: H03F 1/34, H03F 3/42

Метки: каскадов, многокаскадного, последовательно-балансного, соединения, усилителя

...содержит четыре каскада. При увеличении количества каскадов транзисторы вместе с сопротивлениями образуют две последовательные цепи (гирлянды 1 и 2), связанные друг с другом таким сбразом, что база триода одной гирлянды соединяется с коллектором триода соседней гирлянды,Ток, протекающий через коллекторную нагрузку каждого триода, оказывается равным току эмиттера первого триода соответствующей гирлянды.Для гирлянд триоды 8 и 4 яляются генераторами тока, Если предположить, что обеспечена абсолютная стабильность токов, то при повышении температуры ток коллектора каждого триода возрастает, а ток базы уменьшается на величину изменения начального тока коллектора этого триода, при этом ток, протекающий через нагрузочные сопротивления, не...

Номер патента: 1480094

Опубликовано: 15.05.1989

Авторы: Акопов, Осипов

МПК: H03F 3/26

Метки: выходной, каскад, операционного, усилителя

...этом возрастает базовый ток транзистора 5, приводя к увеличению падения напряжения на его бдзд-эмиттерном переходе, во: рдстдющий же ток змиттерд трднзистора 5 приводит к увеличению падения напряжения на диоде 7, Так как цепь 3 включена параллельно цепи, образованной из база-эмиттерного перехода транзистора 5, диодов 7, 8 и эмиттер-бдзового перехода транзистора 6, то увеличение падения напряжения на база-эмиттерном переходе транзистора 5 и диода 7 приводит к .уменьшению на ту же величину падения напряжения между базой транзистора 6 и выходом схемы, ГТ 12 задает в эмиттер транзистора 6 ток определенный величины, благодаря чему транзистор 6 остается в проводящем состоянии, сохраняя примерно на одном уровне падение напряжения на...

Номер патента: 1569944

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Акопов, Осипов

МПК: H03F 3/26

Метки: выходной, каскад, операционного, усилителя

...транзистора 6 и эмиттер-базовом переходе транзистора 8.Соответствующее уменьшение падения .напряжения на эмиттер-базовом переходе транзистора 8 приводит к уменьшению базового тока этого транзистора, вследствие чего онпереходит из насыценного состояния в активный режим работы.Дальнейшее возрастание эмиттерных токов транзисторов 5 и 7, связанное с ростом падения напряжения набаза-эмиттерных переходах этих транзисторов, вызывает дальнейшее уменьшение падения напряжения на базаэмиттерных переходах транзисторов 6 и 8, что, в свою очередь, переводит транзистор 8 в закрытое состояние.Так как входная ВАХ транзистора, работающего в активной области, имеет более пологий характер, чем диода, в той части, где происходит переключение из проводящего...

Номер патента: 48578

Опубликовано: 31.08.1936

Автор: Иванов

МПК: H03F 1/14

Метки: каскада, мощного, нейтрализации, усилителя

...собой видоизменение указанного устройства, сводящееся к тому, что баланс моста устанавливается. не путем подбора точки присоединения цепи сетки катушки анодного контура, а при помощи диференциального конденсатора, обе части которого включаются в плечи моста.На чертеже фиг. 1 изображает принципиальную схему каскада усиления высокой частоты, нейтрализованного по предлагаемому способу и фиг. 2 - развернутую в виде моста эквивалентную схему фиг. 1.На чертеже буквами Л, и .т., изображены катушки, образутощие внешнюю часть анодного контура, буквами ( зи Ь, - катушки связи с нагрузкой, бук-вами М, и Ма - коэфициент взаимодействия между катушками, буквой Е,св - катушка связи с анодным контуром предыдущего каскада, буквой Са - переменный...

Номер патента: 1408393

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Латышев, Лисовский, Ломако

МПК: G01R 31/3181

Метки: интегральных, качества, мдп, схем, тестовыми, транзисторами

...без ошибок. При этих же лозах измеряют значения пороговых напряжений тестовых и- и р-канальных транзисторов. Циклы облучения - измерения параметров проводят до тех пор, пока це будет достИГНУто ЭНДЧЕНИЕ Я = Со. ЗДВИСИМОСтИ Г и П от лозы облучения (Р) испольгрЗУются Д 5151 пос ГРО ения ФУцк дни Го (11 с ) которая позволяет оценить качество схемотехпичес 1 со 1 о п 11 ое 1 стд. Нд фиг, 1-3 приведецы графики, логясцяющие предлагаемый способ.На фиг.1 показаны зависимости пороговых напряжений тестовых р-канальных транзисторов от дозы облучениядля схем 1 и 11. Указаны точки перехода линейной зависимости 1), (Р) кнелинейной, которые в нашем случаесоответствуют дозе = 10 Р. Видно,что изменение Б,р (Р) для схемы 11вьш 1 е, чем для схемы 1....