Выходной каскад операционного усилителя

.Осипов8)0216,лик. 19ОПЕРАЦИ НОГ 7) Из хинке обретени . Цель и инейных относится к радобретения - умескажений. Выходусилитель напряи резисторе 2,диодов, г-р 4терный повторит5 и 6, прямосмещ о ние нелкаскадна тран3 прямо ен сторе епь ока,ель мещен ный э вухтак а тран то е ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССРОПИСАНИЕ ИЗ ВТОРСНОМУ СВИ(54) ВЫХОДНОЙ КАСКАДУСИЛИТЕЛЯ ЯО 14 ао 4 БРЕТЕНИЯСТВУ ных диодах 7 и 8, резисторах 9 иО и . г-рах 11 и 2 тока, а такжешины 13 и 4 источника питания. Коллекторные токи транзисторов 5 и 6определяются соотношением вольт-амперных х-к база-эмиттерных переходовсамих транзисторов и диодов в цепи 3.Кроме того, коллекторный ток транзистора 5 зависит от номинала резистора9 и величины тока, формируемого г-ром11, а коллекторный ток транзистора 6зависит от номинала резистора 1 О ивеличины тока, формируемого г-ром 2,Цель достигается введением резисторов 9 и 10, с помощью которых х-кивыходных транзисторов 5 и б, а такжевеличина нагрузки не влияют на режимработы транзисторов 5 и 6. 1 ил.Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в устройствах автоматики, измерительнойтехники, радиотехнических устройствах различного назначения.Цель изобретения - уменьшениенелинейных искажений,На чертеже представлена принци"пиальная электрическая схема выход Оного каскада операционного усилителя.Выходной каскад операционногоусилителя содержит усилитель напряжения на первом транзисторе 1 и резисторе 2, цепь 3 прямосмещенных диодов, первый генератор тока (ГТ) 4,двухтактный эмиттерный повторительна втором и третьем транзисторах 5и 6, первом и втором прямосмещенныхдиодах 7 и 8, втором и третьем резисторах 9 и 1 О, втором и третьемгенераторах тока (ГТ) 11 и 2, атакже первую и вторую шины 13 и 14источника питания.25Выходной каскад операционногоусилителя работает следующим образом,При отсутствии сигнала на базу транзистора 1 подан потенциал, поддерживающий этот транзистор в начальном проводящем состоянии. Через транзистор 1 протекает ток, сформированный ГТ 4, который поддерживает цепь 3 в прямосмещенном состоянии, кото- рая в свою очередь поддерживает в открытом состоянии транзисторы 5, 6 и диоды 7, 8. Коллекторные токи транзисторов 5 и 6 определяются соотноше нием вольт-амперных характеристик (ВАХ) база-эмиттерных переходов самих транзисторов и диодов в цепи 3, и, кроме того, коллекторный ток транзистора 5 зависит от номинала ре зистора 9 и величины тока, формируемого ГТ 11, а коллекторный ток транзистора 6 зависит от номинала резистора 10 и величины тока, формируемого ГТ 12.При прохождении отрицательной полуволны сигнала проводимость транзистора 1 уменьшается, что приводит к увеличению потенциала на его коллекторе, что, в свою очередь, приводит к возрастанию потенциала на базах транзисторов 5 и 6. При этом возрастает базовый ток транзистора 5, приводя к увеличению падения напряжения на его бдзд-эмиттерном переходе, во: рдстдющий же ток змиттерд трднзистора 5 приводит к увеличению падения напряжения на диоде 7, Так как цепь 3 включена параллельно цепи, образованной из база-эмиттерного перехода транзистора 5, диодов 7, 8 и эмиттер-бдзового перехода транзистора 6, то увеличение падения напряжения на база-эмиттерном переходе транзистора 5 и диода 7 приводит к .уменьшению на ту же величину падения напряжения между базой транзистора 6 и выходом схемы, ГТ 12 задает в эмиттер транзистора 6 ток определенный величины, благодаря чему транзистор 6 остается в проводящем состоянии, сохраняя примерно на одном уровне падение напряжения на база-эмиттерном переходе. Поэтому уменьшающееся напряжение между базой транзистора Ь и выходом схемы оказывается приложенным к диоду 8, При запирании диода 8 наличие резистора 10 сохранит связь между выходом нижнего плеча и нагрузкой схемы.При этом при запирании диода 8 не происходит скачкообразного уменьшения тока и искажения носят характер низкочастотного сигнала, Аналогично работает верхнее плечо схемы при прохождении положительной полуволны сигнала, т,е. транзистор 5 остается в проводящем состоянии, а резистор 9 сохранит связь между выходом верхнего плеча и нагрузкой схемы.При изменении нагрузки в случае прохождения отрицательной полуволны сигнала происходит изменение падения напряжения на база-эмиттерном переходе транзистора 5 и диоде 7, которое приводит к соответствующему падению напряжения на диоде 8, а следовательно, режим работы транзистора 6 не изменяется, он не зависит от характеристик транзистора, так как ГТ 12 поддерживает режим работы выходного транзистора 6,Аналогично работает верхнее плечо схемы при прохождении положительной полуволны сигнала. Т.е. характеристики выходных транзисторов 5 и 6, а также величина нагрузки не влияют на режим работы выходных транзисторов схемы, чем обеспечивается высокая надежность работы и уменьшениеискажений1480094 Формула изобретения Составитель И,Водяхина Техред И.Ходанич Корректор Н,Повидайчик Редактор А.Долинич Заказ 255 Ь/54 Тираж 885 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 Выходной каскад операционного усилителя, содержащий усилитель напряжения, выполненный на первом транзисторе, база которого является входом выходного .каскада операционного усилителя, эмиттер первого транзистора через первый резистор подключен к первой шине источника питания, а коллектор через последовательно соединенные цепь прямосмещенных диодов и первый генератор тока - к второй шине источника питания, двухтактный 15 эмиттерный повторитель, выполненный на втором и третьем транзисторах, включенных по схеме с общим коллектором, базы которых соединены с выходом первого генератора тока и коллектором первого транзистора соответственно, эмиттеры соединены через второй и третий генераторы токас первой и второй шинами источникапитания соответственно, а между собой - через первый и второй прямосмещенные диоды, точка соединениякоторых является ьыходом выходногокаскада операционного усилителя, приэтом первый и второй транзисторы имеют одну структуру, а третий транзистор другую структуру, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью уменьшения нелинейных искажений, введенывторой и третий резисторы, включенные параллельно первому и второмупрямосмещенным диодам соответственно,