Устройство для измерения усилий

Номер патента: 1819070

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Балабуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, интегральных, поликремниевым, резистором, схем

...удаляют эту маску и формируют маску с отверстием+над областью контакта к и -скрытому слою, внедряют примесь и-типа в область контакта к и -скрытому слою и проводят разгонку примеси р-типа в области охранного кольца до смыкания ее с подложкой и примеси и-типа в области контакта к и+-скрытому слою до смыкания ее с и -скрытым слоем. Окислением полученной структуры при 1000 С в атмосфере водяного пара формируют изолирующий диэлектрический слой из двуокиси кремния толщиной 0,05 мкм, Осаждением из газовой фазы выращивают на изолирующем диэлектрическом слое слой поликристаллического кремния толщиной5 1819070 бПри внедрении ионов бора с энергией100 кэВ в двуокись кремния Крр=0,247 мкм,ЬК.рр =0,053 мкм, Следовательно условие:11 пас 1 рр+...

Номер патента: 1575849

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/8232

Метки: моп-интегральных, поликремниевыми, резисторами, схем

...маски из нитрида кремния с окнами на резистивных участках резисторов, Удаляют маску иэ фотореэиста в смеси Каро (смесь серной кислоты и перекиси водорода, Вновь формируют маску из фоторезиста ФПТ.Для экспонирования используют темнопольный шаблон со светлым окном, содержащим темные фигуры поликремниевых резисторов, торцы которых выходят за пределы окон в нитриде кремния, вскрытых на предыдущей операции фотолитографии, Проводят плазмохимическое травление нитрида кремния и поликремния в плазме СГ 4, формируя области резисторов, оставляя нитрид кремния на контактных участках резисторов (фиг,2), Удаляют маску из фоторезиста и формируют фоторезистивную маску для проведения имплантации ионов фосфора в резистивные области...

Номер патента: 1609399

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 21/8232

Метки: моп-интегральных, поликремниевыми, резисторами, схем

...и разводку. Область поликремниевых резисторов при этом закрытаслоем фоторезиста,Далее известными методами формируют области истоков, стоков и- и р-канальных40 .транзисторов, межслойную изоляци о, омические контакть и алюминиевую разводку,П р и м е р 2. Процесс проводят попримеру 1 до операции вскрытия резистивных участков поликремния резисторов45 включительно.Далее удаляют фотомаску в смеси Ка-ро и формируют фоторезистивную маску.для . формирования электродов затворов имежсоединений. Проводят плазмохимиче 50 ское травление слоев нитрида кремния ипервого слоя поликристаллического кремния, Область поликремниевых резисторовпри этом закрыта слоем фоторезиста. Послеудаления фотомаски создают новую для55 проведения ионной имплантации...

Номер патента: 290495

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Ворона, Матвейчук, Сапегин

МПК: H05K 3/14

Метки: держатель, печатной, подложки, схемы

...сжимающее кольцо 1 и удерживающее подложку 3 в проточке 2. Проточка 4 может иметь прямоугольную или любую другую форму.Предмет изо 6 р етен и я Держатель подложки печ 5 держащий основание и пруж ся тем, что, с целью умень жателя и обеспечения досту двух сторон, основание вы разрезного кольца, снабжен 0 треугольной проточкой для ружной проточкой любой ф размещено пружинное разрсо- ий- ервиде иней на- орой относится к области технолоа радиоаппаратуры, в частноивному выполнению держатечатной схемы, используемого и печатных схем вакуумным Известны держатели подложки печатной схемы, снабженные основанием и пружиной, прижимающей подложку к этому основанию,Однако известные держатели обладают значительной массой, что увеличивает время их...

Номер патента: 486497

Опубликовано: 30.09.1975

Автор: Лобиков

МПК: H05K 3/14

Метки: маски, напыляемой, пленочной, подложкой, совмещения, схемы

...к которым при помощи пружинных фиксаторов прижата подложка, и выполнением узла крепления маски в виде охватывающих ее двух рамок, одна из которых снабжена шариковыми толкателями, установленными с внешней стороны рамки против базовых пальцев и расположенными по ее внутреннему контуру выступами, опирающимися на базовые пальцы со стороны, противоположной участку соприкосновения базовых пальцев с подложкой.Конструкция описываемого устройства приведена на чертеже.Приспособление для нагрмаски снабжено двумя рамкакоторыми размещена маска 3 ковыми толкателями 4 пр новленным на держателе 5 вым пальцам 7. К базовьв тивоположной стороны пр 5 жиненными фиксаторами 8 Таким образом, подложк зируются беззазорно одни; ) вымп пальцами 7; при это...