Способ измерения электрических параметров тупнельных диодов

ОмО.,ооЙЯ =-=, ":но;е .ъ йс 1 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АТЕСК 0 МУ СИДЕТЕЛСТУ 280681 Сова Советских Социалистических РеспуйликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 06,Л.1966 ( 1087887/26-25) Кл, 21 д, 11/02 исоединением заявкиПриорите 1 г 31/2 Комитет по делам аобретений и открытий(088.8) рри Сосете Министр СССРта опуоликования описания 10.Х 11.197 Авторизобретен Е по аявитель ПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРО ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ/пр - (пр.ср - ра Изобретение относится к полупроводниковой и радиотехнической промышленности и может;найти применение при производстве туннельных диодов.Для измерения параметров туннельного диода известным способом, основанным на фиксировании способности диода к регенерации мощности переменного сигнала, - способом прямого измерения предельной частоты туннельного диода - требуется сверхширокополосная и сверхчувствительная аппаратура.Измерение предельной частоты диода производится путем измерения максимальной частоты генерируемой туннельным диодом мощности. Однако величина этой мощности уменьшается с увеличением частоты и при предельной частоте стремится к нулю. Так как волномер - индикатор генерируемой мощности: - отсасывает часть мощности, то измеренная максимальная частота генерации всегда ниже предельной частоты.Кроме того, известный опособ позволяет измерять предельную частоту лишь тех диодов, у которых частота собственного резонанса выше предельной частоты. Однако большинство диодов имеет частоту собственного резонанса ниже предельной частоты.Предложено измерять параметры диода пу. тем фиксирования способности диода к регенерации (или генерации) мощности переменного сигнала прп изменении смещения на диоде.Для этого на туннельный диод подают синусоидальный сигнал малой мощности на лю бой (постоЯнной) частоте 1 раб ниже пРедельной частоты диода и, изменяя смещение на диоде, устанавливают те точки смещения, в которых диод перестает регенерировать (или генерировать) мощность переменного сигнала.0 У туннельного диода имеются две такие точки - выше и ниже точки перегиба вольтамперной характеристики. Затем измеряют соотношение низкочастотных дифференциальных сопротивлений диода в установленных 5 точках смещения (Р,о, И ) и в точке перегиба вольтамперной характеристики Яп ) После этого находят предельную частоту туннельного диода/ пр = г пр. ср2 Наиоолее точное значение предельной час тоты соответст 1 вУет ее опРеделению как 1 пр,ср (погрешность не превышает нескольких процентов).Кроме предельной частоты, предложенным способом можно определить соотношение ем костей р - п-перехода в точках в и н, не прибегая к непосредственному измерению емкостей, с,ничтожно малой погрешностью, не превышающей десятых долей процента.Из найденного предложенным способом 15 соотношения емкостей и известного равенства С=Со 3/ 1,(1, - К) можно найти другойпараметр диода - контактную разность потенциалов , (С - барьерная емкость р - и перехода диода при смещении р). При этом, кроме измерения соотношения низкочастотных дифференциальных сопротивлений диода, требуется измерить величину напряжения смещения в точках в и и. 25Следует отметить, что для измерения электрических параметров туннельного диода не нужно измерять или знать параметры эквивалентной схемы диода (сопротивление и емкость р - п-перехода, паразитную индуктив ность, сопротивление потерь и емкость патрона). Предельную частоту или соотношение емкостей находят не только путем вычислений, Значения этих велични можно ситывать со шкалы измерителя соотношений, и тогда процесс измерения становится механическим, что можно использовать для создания стенда с целью отбраковки диодов на предприятии, выпускающем ту ннельные диоды.Предмет изобретенияСпособ измерения электрических параметров туннельных диодов,;например предельной частоты, основыванный на фиксировании способности диода к регенерации мощности переменного сигнала, отлггчагогггггггся тем, что, с целью повышения точности и упрощения процесса измерения, на туннельный диод подают синусоидальный сигнал малой мощности на любой частоте пикс предельной частоты туннельного диода, уста;авливают напряжение смещения а нем до получения коэффициента отражения, равного единице, и затем измеряют соотношение низкочастотных дифференциальных . сопротивлений диода в найденных точках смещеия и в точке персгиба падающего участка вольтамперной характеристики, при этом,находят предельную частоту как произведение частоты синусоидального сигнала на ивадратный корень из найденного ранее соотношения низкочастотных сопротивлений, Составитель О. Б. Федюкииа1 едактор Т. 3. Орловская Текред А, Л. Камышникова Корректор Л. В. ЮшинаЗаказ 3362 г 16 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Миппс;ров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2