Управляемый аттенюатор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советские Социалистически РесптблнкЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 23,Ч 1,1970 ( 1452439/26-9) озд 1 юритет Комнтет по делает нзобрвтвнкй и открытн прн Совете Министров СССРУДК 621,395.665.1(088,8) но 02,Х 1.1971. Бюллетень33икования описания 7.1.1972 публико ата опу авторыизобрете Ю, Д. Крисилов и А, Н, Тыныныка Одесский политехнический институт аявите МЫй АТТЕНЮАТОР противле ра 2.Р ез еи тер транзисие подано следу ах р истор ющии. гулирую 2 близ- оединенистор 1, тивление ия и ре- эмиттер: ре опро жен ьзующая 2 нюаторе. из двух истора 1 анзистод и со казана схема, испол в двухзвенном атте устройство состоит вено состоит из рез база - эмиттер тр о содержит резистор На чертеже поодин транзисторПредложенноезвеньев, Первое зи сопротивленияра 2, Второе звен присоединением заявки1Изобретение относится к автоматической и дистанционной ручной регулировке усиления и может быть использовано в усилительной аппаратуре.Известны управляемые аттенюаторы (УА), представляющие собой усилители напряжения, в качестве регулируемого сопротивления поперечной ветви которых использован переход коллектор в эмитт транзистора с переменным базовым смещением. 10Известные устройства, однако, обладают недостаточной глубиной регулировки. Приходится использовать двухзвенный аттенюатор, т. е. требуется дополнительный нелинейный элемент (НЭ), 15Целью изобретения является увеличение глубины регулировки при использовании одного НЭ.Поставленная цель достигается тем, что в качестве сопротивления продольной ветви ис пользованы два включенных последовательно резистора, место соединения которых подключено к базе транзистора. ние коллек т егулирующе н р р з стор 4.Принцип работы устройства При слабых входных сигнал щее напряжение на базе транз ко к нулю, и УА состоит из д ных последовательно делителе резистор 4 плюс внутреннее источника регулирующего нап зистор 3, сопротивление коллек транзистора 2. С ростом входного сигнала и регулирующего напряжения сопротивления база - эмит тер и коллектор - эмиттер уменьшаются, Уменьшение сопротивления коллектор - эмиттер приводит к уменьшению коэффициента передачи второго звена, а уменьшающееся сопротивление база - эмиттер шунтирует резистор 4 и снижает коэффициент передачи первого звена. Поскольку глубина регулировки двухзвенного аттенюатора равна произведению глубины регулировок звеньев, общая глубина регулировки предлагаемого УА значительно превышает глубину, которую можно получить в однозвенном аттенюаторе, использующем только сопротивление коллектор - эмнттер или только сопротивление база - эмиттер транзистора.320 О 19 смешением, отличающийся тем, что, с целью увеличения глубины регулировки, в качестве сопротивления продольной ветви использованы два включенных последовательно резистора, место соединения которых подключено к базе транзистора. хад выходче Составитель А. ГорбачТсхред 3. Тараненко ректор 3. Тарасова актор Ю. Поляков Изд.1534 итета по делам изобрет Москва, ЖТираний и открытийРаушская наб.,Типография, пр. Сапунова, 2 Предмет изобретения Управляемый аттенюатор, выполненный в виде делителя напряжения, в качестве регулируемого сопротивления поперечной ветви которого использован переход коллектор - эмиттер транзистора с переменным базовым 473 Подписнори Совете Министров СССР
СмотретьЗаявка
1452439
Ю. Д. Крисилов, А. Н. Тыныныка Одесский политехнический институт
МПК / Метки
МПК: H03G 1/00
Метки: аттенюатор, управляемый
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-320019-upravlyaemyjj-attenyuator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Управляемый аттенюатор</a>
Амплитудный дискриминатор
Номер патента: 319059
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Алипов, Гус, Стахов, Удовиченко
МПК: H03K 5/02
Метки: амплитудный, дискриминатор
...транзистора 2 и его коллектор, конденсатор 9, переход базаэмиттер транзистора 1 и его коллектор, конденсатор 10.20 Второй ключевой элемент содержит резистор 11, источник напряжения смещения Е., отрицательный потенциал которого подключен к клемме 12, а положительный - к обще.му проводу 5, диоды 1 З и 14, коммутирующие 25 вторую цепь положительной обратной связимультивибратора, включающую в себя конденсатор 15, переход база-эмиттер транзистора 2, коллектор последнего, конденсатор 9, переход база-эмиттер транзистора 1, коллек тор последнего и конденсатор 16.319059 из 1 ипь ееиерацои еи г 2 Составитель Н, Герасимоваорозова Техред Л. Богданова Корректор Л, Орл едакт Изд.1491 Тираж 473 Подписноепо делам изобретений и открытий при Совете...
Генератор импульсов
Номер патента: 519846
Опубликовано: 30.06.1976
Автор: Абрукин
МПК: H03K 3/66
...эмиттером транзистора 1, коллектор - с общей шиной, а база - с входной клеммой 12.База выходного транзистора 13 соединена с точкой соединения коллектора транзистора 1 и базы транзистора 2, коллектор - с общей шиной, а эмиттер - с выходной клеммой 14.Генератор импульсов работает следующим образом.В исходном состоянии, когда на входную клемму 12 подан высокий логический уровень, транзисторы 11 и 2 открыты, а транзистор 1 закрыт. Токи генераторов тока 3 и 4 протекают через транзисторы 11 и 2 соответственно. На выходной клемме 14 поддерживается высокий логический уровень.При подаче на входную клемму 12 низкого логического уровня транзистор 11 закрывается, ток генератора тока 3 переключается в транзистор 1, и мультивибратор, выполненный на...
Линейный преобразователь активного сопротивления в постоянное напряжение
Номер патента: 469100
Опубликовано: 30.04.1975
МПК: G01R 27/02
Метки: активного, линейный, напряжение, постоянное, сопротивления
...резистора 8.Если сопротивления обоих резисторв 8 равны, то и в ветви моста, где включены резисторы 9, 11, протекает такой же ток. Резистор 9является эталонным, величина его сопротивления Я 9 может быть выбрана равной номинальному значению Ях, тогда при условииЯ -- Я , вольтметр 13 показывает нулевоезначение напряжения (ЬР=О), При этом отклонения напряженияот номинального значения и дрейф напряжения 1, опорного источника вызывают одинаковые приращениятока в измерительной (ЯЯю) и компенсирующей (ЯЯ 1), ветвях моста, Так как эталонное и измеряемое сопротивления включены впараллельных ветвях, то приращения токоввызывают одинаковые приращения напряжения на этих резисторах, а выходное напряжение Л не изменяется,При отклонении...
Устройство для получения отрицательных сопротивлений
Номер патента: 1042165
Опубликовано: 15.09.1983
Автор: Обод
МПК: H03K 3/28
Метки: отрицательных, сопротивлений
...а эмиттер соединен с.общим выводом источников,база биполярного транзистора соединена с истоком полевого транзистора,затвор которого подключен к общейточке соединения второго резистораи коллектора биполярного транзистора 1 .Однакоизвестное устройство имеетнедостаточный диапазон пределов регулировки.Цель изобретения - расширение пре-.делов регулировки отрицательныхсопротивлений.Для достижения цели в устройстводля получения отрицательных сопротивлений, содержащее полевой траизистор ЗОс диффузионным затвором и типа, стоккоторого через первый резистор под-.ключен к положительному полюсу источника напряжения смещения, и биполярный транзистор и- р -и типа,коллектор которого через второй резистор подключен к положительномуполюсу источника...
Способ контроля качества токопроводящего слоя и контактного узла непроволочных сопротивлений
Номер патента: 149821
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Привер
МПК: G01R 31/00, H01C 17/00, H01H 33/26
Метки: качества, контактного, непроволочных, слоя, сопротивлений, токопроводящего, узла
...импульсного напряжения у некоторых образцов наблюдается в условиях затемнения небольшое искрение. Искрение возникает в дефектных149821 Предмет изобретения 1. Способ контроля качества токопроводящего слоя и контактного узла непроволочных сопротивлений, например сопротивлений типа МЛТ, ВС, УЛМ, отл и ч а ю щи й ся тем, что в затемненном помещении на испьпуемые сопротивления подают импульсное напряжение и отбраковывают сопротивления по появлении на них искрения.2. Способ по п. 1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что качество токопроводящего слоя проверяют на заготовках сопротивлений до их нарезки,3. Способ по пп, 1 и 2, отличающийся тем, что контроль качества токопроводящего слоя и контактного узла производится во время испытаний...
Предыдущий патент: Ооюзная
Следующий патент: Устройство для оптимальной обработки сложногосигнала
Случайный патент: Устройство для групповой выдачи ферромагнитных деталей