Газомагнитный подшипник

Номер патента: 652829

Опубликовано: 15.03.1980

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Чертков

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый

...и Ги, Суммарный сигнал обеспечивает такое распределениепотенциалов по линейке фотодиодов Оцчто на ячейках номера 9 и иОц =О.Соответственно, фототок через эти ячейки равен нулю, а токи через все осталь 40ные ячейки пропорциональны их освещенности. Число ячеек, находящихся под нулевым напряжением, зависит от амплитуды управляющего. импульса, и может из-,меняться каждый такт работы устройст 45ва. Таким образом, осуществляется оперативное управление апертурой сканирования без перестройки устройства.В случае использования р-и фото 5 одиодов устройство работает следующимобразом. В исходном состоянии регистрируемое распределение освещенности создает электронно-дырочные пары. Положительное смешение на линейке достаточно для того, чтобы область...

Номер патента: 771818

Опубликовано: 15.10.1980

Авторы: Бардаш, Басовский, Брик, Старожилов

МПК: H02M 3/335

Метки: полупроводниковый, постоянного

...транзисторы 11, 12 усилителя мощности, выходной трансформатор 13 усилителя мощности, выпрямитель 14, выходной фильтр 15, сопротивление нагрузки 16 преобразователя. Выход фильтра является выходом преобразователя.Преобразователь работает следующим образом.Напряжение прямоугольной формы вторичной обмотки трансформатора 2 задающего генератора 1 поступает на базовые цепи переключающих транзисторов 11, 12 усилителя мощности через базовые сопротивления 7, 8, открывая один из транзисторов и закрывая другой. Пусть открыт транзистор 11 и закрыт - 12. В начале полу- периода, пока сердечник магнитного усилителя ненасыщен, ток, протекающий через рабочую обмотку, не влияет на работу схемы. В момент насыщения сердечника ранее открытый транзистор...

Номер патента: 995069

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Иоспа, Куликова, Тихонов, Феоктистов, Чаусов

МПК: G05D 7/00

Метки: охлаждающей, полупроводникового, потока, преобразователя, среды

...нагрузки вновьвыделяющееся тепло аккумулируется в на-,гретом от предыдущего цикла нагрузкипреобразователе, повышая его температуру сверх нормы. Если к тому же венти зляция включается с задержкой по отношению к моменту наброса нагрузки, тов повторно-кратковременных режимах с,высокой кратностью перегрузок наблюдается перегрев. 26Если после режима предельной токовой нагрузки следует режим небольшойнагрузки, при которой преобразовательможет работать с естественной вентиляцией, то при отключении вентиляции 2преобразователь длительное время (до20-30 мщ) находится в перегретомсостоянии, так как переход к новомуустановившемуся тепловому режиму происходит замедленно. При этом возмож- Зно также и превышение предельной температуры...

Номер патента: 1068388

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Гнатюк, Задорожный, Ковтун, Логинова, Матвеев, Саблин, Хоменко

МПК: C01G 9/06

Метки: давления, полупроводниковый

...линейногорасширения материалов мембраны и корпуса.Наиболее близким по техническойсущности к изобретению является пре Ообразователь давления, в который сцелью повышения точности преобразования давления путем уменьшения температурной погрешности, связанной с за делкой полупроводниковой мембраны вкорпус, введен по крайней мере одинпромежуточный опорный элемент, который закреплен на торце цилиндрического корпуса, и на котором, в своюочередь, герметично закреплена мембрана с тензореэисторами 12),Недостатком такого преобразователя давления является низкая надежность соединения опорного элементас торцом трубчатого корпуса.Целью изобретения является повышение надежности преобразователя,давления.Поставленная цель достигается тем,что в...

Номер патента: 1120492

Опубликовано: 23.10.1984

Авторы: Кудрявцев, Лащенова, Федорович, Шевченко

МПК: H04R 23/00

Метки: давления, полупроводниковый

...приложение давления иглой из твердого материала, например корунда, к любой точке поверхности электрода приводит к эффективному изменению параметров структуры . Так как площадь металлического электрода может быть выполнена реличиной более тысячи мкм , то осущест 2вление контакта иглы со структурой с площадью контакта порядка единицы мкм не представляет трудности.Полупроводниковая структура может быть выполнена по типовой тех нологии и снабжена электродом. При изготовлении структуры используется. техпроцесс изготовления полупроводниковых приборов и требуется лишь дополнительное напыление проводяще 1 112049Изобретение относится к преобразователям механической энергии вэлектрическую, а более конкретнок микрофонам, использующим...