296263

Номер патента: 458099

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Прокофьев, Сидоренко, Сирота, Таякин

МПК: H03K 19/08

Метки: буферное, мдп-транзисторах

...с первой шиной импульсного напряжения, ц с затвором второго зарядного транзистора, сток которого соединен с второй шиной импульсного напряжения, а между его истоком и затвором включен конденсатор положительной обратной связи, лричем исток второго зарядного транзистора соединен со стоком второго разрядного транзистора и с затвором зарядного транзистора выходного каскада, сток 11 458099состоянию логической 1, затвор транзистора 14 разряжается в интервале времени сдвига фазы Ф; и Ф; (т,) через транзисторы 2 и 3 и транзистор 14 закрывается.Во время действия имлульса фазы Ф, напряжение фазы передается на затвор транзистора 13 через открытый транзистор 10, транзистор 13 открывается и заряжает емкость нагрузки до уровня логической 1....

Номер патента: 294252

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: H03K 17/66

Метки: динамический, мдп-транзисторах, элемент

...выход 8. 2Устройство работает следующим образом.Пусть в исходном состоянии на входе 7 элемента поддерживается высокий уровень напряжения, достаточный для отпирания транзистора 4 (эпюра 7, фиг. 2). Первый тактовый импульс (эпюра 5, фиг. 2) открывает транзистор 2, и конденсатор 1 заряжается от источника постоянного напряжения питания до потенциала, соответствующего высокому уров ню. По окончании первого импульса на входб подается второй тактовый сигнал (эпюра 6, фиг. 2), который через открытый транзистор 4 воздействует на затвор транзистороа 3 ц отпирает последний. За время действия второго 15 тактового импульса конденсатор 1 разряжается через канал открытого транзистора 3, и на выходе 8 устанавливается низкий уровень напряжения (эпюра 8,...

Номер патента: 533988

Опубликовано: 30.10.1976

Автор: Тенк

МПК: G11C 11/40

Метки: мдп-транзисторах, памяти, ячейка

...нуль), то тактовый импульс Ф, не проходит через запертый запоминающий транзистор 1. В итоге не происходит подзаряда конденсатора 2.Р е ж и м з а п и с и, Адресный импульс на шине 9 отпирает адресный транзистор 5 одновременно с поступлением тактового импульса Ф на шину б импульсного питания. Через открытые транзисторы 5 и 4 обкладка конденсатора 2, соединенная с затвором запоминающе. го транзистора, подключается к числовой шине 10. Если записывается логическая единица, то цепь заряда конденсатора 2 замыкается через открытый запоминающий транзистор 1. При записи нуля заряда конденсатора 2 не происходит либо он разряжается через транзисторы 5, 4 и 1, если ранее был заряжен.Режим считыв апня. Числовая шина 10 предварительно разряжается,...

Номер патента: 790334

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Андреев, Жукова

МПК: H03K 19/08

Метки: вентиль, динамической, логический, мдп-транзисторах, нагрузкой

...общей шиной 7, соответствует значению емкости выходного узла. Логический вентиль на 1.ДП транзисторах с динамической нагрузкой работает следующим образом.Тактовый сигнал на шине 4 с амплитудой 0 большей, чем постоянное напряжение Е на шине питания 2 по крайней мере на величину От напряженче отпирания транзисторов) , периодически поступает на затвор тактируемого нагрузочного транЗистора 1 обеспечивая безусловный заряд конденсатора 14 до напряжения равного Е, В этот момент временной интервал 1 на фиг. 2) напряжение инверсного тактовогосигнала на шине 13 равно нулю. Одновременно с предзарядом конденсатора 14 происходит заряд конденсатора 12 дс напряжения Е- От через открытый транзистор 11, управляющий проводимостью дополнительного...

Номер патента: 943846

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Костюк, Прокофьев, Сирота, Смирнов, Таякин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, информации, мдп-транзисторе, способа, хранения, элемент, этого

...соединен с затворомуправляющего транзистора и с тактовой шиной.Кроме того, с целью упрощения управления запоминающим элементом, управляющий транзистор запоминающегоэлемента может быть выполнен совстроенным каналом.В предлагаемом запоминающем элементе конденсатор подключен не к затвору запоминающего МДП-транзистора,а к его истоку. Это, во-первых, устраняет опасность отпирания этого транзистора во время регенерации при нулевом информационном заряде на егозатворе и позволяет заменить управляемый конденсатор постоянным, и,во-вторых, устраняет необходимостьв специальном конденсаторе или элементах, выполняющих в интегральномисполнении его роль, в цепи истока.Все это позволяет упростить запоми"нающий элемент и повысить его...