Способ изготовления тонкопленочиых резисторов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 294182
Авторы: Крыжановский, Черезова
Текст
ОПИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 294182 Соав Советскик Социалиотическик РеорубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 20.Х.1969 ( 1369395/26-9) 1 ПК Н 01 с 7,00 Н 01 с 17/О явкиприсоединением ПриоритетОпубликовано 26.1.1971, БюллетеньДата опубликования описания 18.111.19 Комитет оо лелле зооретеиий и открытиЙ ори Совете Министров СССР,Б, П. Крыжановский и Л. А. Черезов Заявител СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОР 2 сдмст цзоорстсция Способ сторов, ос материалокающийся бильности зистивной двуокиси ных рсзиисходцы; о, отлисция стаодной рсся смесь изготовления тоцкоплспоч овдццый цд азотцровациц в, цдцсссццых ца подлож тем, что, с целью повыш резисторов, в качестве исх композиции использует цтаца и двуокиси кремция.Известен способ изготовления пленочных резисторов на азотированных пленках титана, при котором напыленный слой титана подвергают нагреванию в атмосфере азота.Цель изобретения - повышение стабильно сти резисторов. Для этого в качестве исходной резистивной композиции используется смесь двуокиси титана и двуокиси кремния.Сущность изобретения заключается в получении тонкопленочного сопротивления из смс си двух компонентов двуокиси титана и двуокиси кремния. На подложку из керамики илц кварца методом химического просветления из смеси спиртового раствора этилового эфира ортотитановой кислоты с этиловым эфиром 15 ортокрсмневой кислоты, наносят смешанный слой Т 10 - ЯО, который затем обрабатывают в токе сухого аммиака при температуре 900 - 1000 С. Меняя содержание двуокиси кремния в слое, можно получить покрытия с 20 удельным поверхностным сопротивлением от 10- до 1010 ои/кв. Причем с увеличением содержания окисла в слое температурный коэффициент сопротивления, будучи положительцым для слоя из двуокиси титана, постепенно уменьшается и, проходя через нулевое значение, меняет знак ца отрицательный. Это очень важное свойство, так как, подобрав соотношение концентрации ццтридд и окисла в смешанном слое, можно создавать электросопротивления различного цомццалд с малым температурным коэффициентом сопротивления. В чертеже показано изменение удельного поверхностного сопротивления ц температурного коэффициента сопротивления в интервале температур от + 20 до - 80 С с увеличением содержания двуокиси кремния в слое толщиной 0,25,як,н.294182 зд. М 274 Заказ 609/15 Тираж 475 Подписное НИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, )К, Раушская наб., д. 45 шография, пр, Сапунова, 2 юомал%5, Оа Составитель Н. ГерасимоваРедактор Е. Г. Гончар Текред А. А. Камышиикова Корректо О. С. Зайцеваи О. И, Усова
СмотретьЗаявка
1369395
Б. П. Крыжановский, Л. А. Черезова
МПК / Метки
МПК: H01C 7/06
Метки: резисторов, тонкопленочиых
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-294182-sposob-izgotovleniya-tonkoplenochiykh-rezistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления тонкопленочиых резисторов</a>
Предыдущий патент: А. в. перевезенцев, л. г. власов, н. е. просвирника и п. и. королева
Следующий патент: Катушка с регулируемой индуктивностью
Случайный патент: Система регулирования подачи смазки