Устройство для исследования взаимодействия колес
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 293977
Авторы: Афанасьев, Васьковский, Московский, Плт
Текст
СоЮз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 31,Х,1969 ( 1377130/29-14) 021 9/26 01 р 3/56 присоединением заявк ПриоритетОпубликовано 26.1.1971. БюллетеньКомитет по делам изобретений и открыти при Совете Министров СССРДат бликования описания 19 Х.1971 Авторы зобретени М, Васьковский, В. Я, Афанасьев ВЕОЫ" НАЯ ГЛ.;: 1 -." .",НЧЕСЕЛЯМосковский автомобил ожный институт явител УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ КОЛЕС ТРАНСПОРТНЫХ СРЕДСТВ, НАПРИМЕР СКРЕПЕРОВ,АВТОГРЕЙДЕРОВ И ПОДОБНЫХ С ДОРОЖНЫМ ПОКРЫТИЕМости 8 и 9, связанные с веду- лесами соответственно через ена блок-схема предл Предмет изобретения для исследования взаимодеистнспортных средств, например Устроист0 вия колес Известно устройство для исследования взаимодействия колес транспортных средств, например скреперов, автогрейдеров и подобных с дорожным покрытием, включающее импульсные датчики скорости, счетчики импульсов, устанавливаемые на ведущем и ведомом колесах, и регистрирующий прибор,Предлагаемое устройство выполнено с ключом, имеющим управляющий элемент, и запоминающим элементом,Это позволяет определять величину буксования.Счетчик импульсов ведомого колеса соединен со входом ключа, а счетчик импульсов ведущего колеса - с управляющим элементом ключа, который через запоминающий элемент соединен с регистрирующим прибором, связанным линией сброса с каждым из счетчиков импульсов.На чертеже привед агаемого устройства.Устройство содержит ключ 1 с управляющим элементом, счетчик 2 импульсов ведомого колеса, соединенный со входом ключа, счетчик 3 импульсов ведущего колеса, соединенный с управляющим элементом ключа, который через запоминающий элемент 4 соединен с регистрирующим прибором 5. Прибор 5 связан линией сброса с каждым из счетчиков импульсов. Устпойство содержит также импульсные датчики скорщим и ведомым коредукторы 6 и 7.Устройство работает следующим образом.5 Датчики 8 и 9, установленные соответственно на ведущем и ведомом колесах, преобразуют угол поворота в соответствующее количество импульсов, которые поступают на счетчики импульсов. Счетчик 3 импульсов управ ляет ключом. Во время отсчета ключ закрыт.Счетчик 2 импульсов производит отсчет импульсов в обратном направлении, начиная с заранее заданного числа. Когда на счетчике 3 набирается требуемое число, например 100, 15 на ключ подается отпирающий сигнал считывание, и число со счетчика 2 передается в запоминающий элемент 4. После передачи числа на оба счетчика подается сигнал сброс, и счетчики снова начинают отсчет.20 Переданное число с запоминающего элементапоступает на регистрирующий прибор 5. Таким образом, в момент прихода сотого импульса со счетчика 3 на запоминающий элемент передается число, соответствующее ве личине буксования в процентах.293977 Составитель Б, СпивакРедактор С. П. Ежкова Техред А. А. Камышннкова Корректор О, С. Зайцева Заказ 1260/5 Изд. Хо 567 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 скреперов, автогрейдеров и подобных, с дорожным покрытием, включающее импульсные датчики скорости, счетчики импульсов, устанавливаемые на ведущем и ведомом колесах, и регистрирующий прибор, отличающееся тем, что, с целью определения величины буксования, оно выполнено с имеющим управляющий элемент ключом и запоминающим элементом,причем счетчик импульсов ведомого колеса соединен со входом ключа, а счетчик импульсов ведущего колеса - с управляющим элементом ключа, который через запоминающий 5 элемент соединен с регистрирующим прибором,соединенным, в свою очередь, линией сброса с каждым из счетчиков импульсов.
СмотретьЗаявка
1377130
А. М. Васьковский, В. Я. Афанасьев, Б. Московский автомобильно дорожный институт, плт ХаИЧН КАЯ
МПК / Метки
Метки: взаимодействия, исследования, колес
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-293977-ustrojjstvo-dlya-issledovaniya-vzaimodejjstviya-koles.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для исследования взаимодействия колес</a>
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства и способ его изготовления
Номер патента: 1655242
Опубликовано: 23.09.1992
Автор: Овчаренко
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...за счетвысокой напряженности стокового электрического поля выбранных запоминаю "щнх транзисторов "горячие" электроныинжектируются из каналов этих транзисторов, захпзтьгваются поликремнггевыми областями, чТо приводит к повьппению их пороговых напряжений. Этоэквивалентно нулевому непроводящемусостоянию в режнгге считывания информации,Состояния остальных невыбраниыхзапоминающих транзисторов сохраняются неггзлгенными из-за нулевого напряжеггия на адресных поликремниевыхплглах илп низкого напряжения на разрядных диффузионных шинах, в результате чего отсутствует инжекция "горячих" электронов в их каналах.В режиме считьвания информации иа,адресные поликремниевые шины и разрядные диффузионные гпины подают более низкое (5 В) напряжение...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1012704
Опубликовано: 27.05.1997
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные области второго типа проводимости, образующие сток и исток, над которыми размещен первый диэлектрический слой, выполненный, например, из окисла кремния толщиной 40 100 над первым диэлектрическим слоем размещен второй диэлектрический слой, выполненный, например, из нитрида кремния толщиной 200 500 и проводящий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия при стирании информации и надежности элемента, он содержит...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1079079
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Гриценко, Камбалин, Романов
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...Инжектированные дырки захватываются ловушками нитрида кремния, по всему слою 3, в том цисле и около границы раздела первого и второго диэлектрицеских слоев элемента памяти, где накапливается положительный заряд.Стирание осуществляется при подаце на проводящий слой положительного напряжения такой велицины, цто поля во втором и первом диэлектрицеском полях в 1,5-2,5 раза меньше, цем при записи. При этом преобладающим является ток инжекции электронов из полупроводниковой подложки через пер вый диэлектрический слой во второй диэлектрицеский слой. Электроны цастицно рекомбинируют с дырками, а 1079079частицно компенсируют их заряд. Недостатком такого элемента памяти является недостаточно большое времяхранения информации.Целью изобретения...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1531170
Опубликовано: 23.12.1989
Автор: Семенов
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...запоминающих устройств (ППЗУ),Целью изобретения является повыше ние коэффициента программирования ЗУ.На фиг. 1 представлен разряд конструкции элемента памяти, на фиг, 2его топология1 ОЭлемент памяти содержит диэлектрическую подложку 1, проводящий слой,образующий плавкую перемычку 2, проводящие электроды 3, диэлектрическийслой 4 с отверстием 5., 5Перемычка 2 служит для невосстанавливаемого прерывания цепи между электродами 3 при необходимости изменения состояния данного элемента памяти ППЗУ в процессе программирования 2 О(записи информации в ППЗУ), Электроды3 служат для соединения перемычки2 с другими элементами накопителя(матрицы запоминающих элементов) исхем управления ППЗУ. Подложка 1 и 25слой 4 служат для крепления, защиты...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства и способ его изготовления
Номер патента: 1642888
Опубликовано: 23.09.1992
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...полупроводниковой подложки 1. Под дейст-вием высокой напряженности электричес-. кого поля во втором диэлектрическомслое 8 электроны инжектируются с ниж- ней поверхности по 3 икремнневых областей 9, туннелируют через Второй диэлектрический слой 8 и удаляются через области 5, 12 В результате .этого пороговые напряжения запоминающихтранзисторов становятся отрицательными, что эквивалентно единичному про водящему состоянию в режиме считыва" ния информации.3 режиме программирования информа" ции на Выбранную адресную поликремпиевую шину и выбранные разрядные диффузионные шины подают высокое положительное импульсное напряжение(12 В, 1 мс), На соседние разрядныедиффузионные шины и остальные адресные шниы подают нулевое напряжение,на...
Предыдущий патент: Гидропривод цилиндра двойпого действия
Следующий патент: Зуб к ковшу рабочего органа роторного экскаватора
Случайный патент: Бесстружечный метчик