266836

Номер патента: 1672308

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Войналович, Жаворонков, Маслов, Свирцов

МПК: G01N 21/01

Метки: дефектов, микроскопических, пластин, поверхности, полупроводниковых

...1 излучения, оптическую систему 2 для формирования и направления падающего пучка излучения, с помощью ко 1 орой повеохность полупроводниковой пластины освещается коллимированным пучком света, предметный столик 3, снабженный приводами вращения 4 и возвратно-поступательного перемещения 5 последний включает шаговый электродвигатель б и кинемэтическую передачу 7, обеспечивающую перемещение предметного столика 3 на шаг, равный диаметру пятна пучка излучения, оптическую систему 8 для сбора рассеянного излучения, фотоприемник 9, на который поступает рассеянное излучение с выхода оптической системы 8 для сбора рассеянного излучения, счетчик 10 электрических импульсое, соединенный с фотоприемником 9, систему регистрации углового положения...

Номер патента: 1679184

Опубликовано: 23.09.1991

Автор: Козловский

МПК: G01B 13/22

Метки: неплоскостности, пластин, пневматическое, поверхностей, прямоугольных

...На плиту 2 устанавливают эталоннуюпластину, которая под действием истекающего их жиклера 5 сжатого воздуха удерживается от вертикального перемещения иобразует с рабочей поверхностью 3 плиты 2воздушную подушку с зазором, не превышающим 0,1 мм,Благодаря укаэанному зазору ме.кдуэталонной пластиной и рабочей поверхностью 3 плиты 2 вращающаяся плита 2 неоказывает силового воздействия на эталонную пластину, удерживаемую от горизонтальных перемещений и поворота прямымипружинами 7. Затем опорные платики 6 перемещают так, чтобы они выступали на рабочей плоской поверхностью 3 плиты 2 навеличину, равную величине воздушного за зора между эталонной пластиной и плитой 2, за вычетом величины допустимого предельного отклонения величины...

Номер патента: 1796079

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Котов, Крячко, Олейниченко

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактного, пластин, поверхности, полупроводниковых, чистоты

...поверхности полупроводниковых пластин реализуется следующим образом.Множество дискретных значений потенциала поверхности получают с помощью измерителя потенциала поверхности ИПП при сканировании платиновым зондом диаметром 500 мкм вдоль кремниевой пластины диаметром 100 мм с толщиной естественного окисла 50 А на расстоянии 30-50 мкм от поверхности без ее освещения и при40 где Чт - потенциал поверхности без ее освещения,Ъ - объемный потенциал материалапластины,ф мо цпотенциал выхода материала зонда,Хп= потенциал электронного сродства материала пластины,Ь - толщина диэлектрического слоя на поверхности пластинок.Например, для платинового зонда над поверхностью Я р-типа проводимости с удельным сопротивлением р=12 Ом см, на поверхности...

Номер патента: 459818

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Блинов, Козырь, Яловега

МПК: H01L 7/68

Метки: пластин, поверхности, полупроводниковых

...самоуравновешивания подвешены к станине 13 на двойномшарнире Гука 14.Работает устройство следующим образом.1 О В гнезда ротора 2 закладывают полупроводниковые пластины и поджимают их сверху с помощью пневмопривода 5 крышкой 4 с усилием, гарантирующим давление на поверхность ротора 4 - 15 кг/см, Затем в полость 15 между ротором 2 и крышкой 4 из резервуара6 под давлением подают нагретую до температуры 80 - 90 С смесь особо чистой воды с растворенным в ней кислородом. Когда в магистрали подачи воды давление возрастает до 20 появления тонкого слоя жидкости, истекающей по кольцевому зазору, включают центрифугу 1. По окончании процесса очистки выключают центрифугу, прекращают подачу смеси, поднимают крышку и освобождают ротор 25 от очищенных...

Номер патента: 668510

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Косенко

МПК: H01L 21/311

Метки: вскрытия, локальных, окисленной, пластины, поверхности, полупроводниковой, участков

...выращенным на ней слоем окисла 2 и нанесенным дополнительным защитным покрытием 3. На поверхность защитного покрытия нанесена пленка фоторезиста 4, в которой после совмещения и проявления открыты окна 5 и дефекты б.На фиг, 2 показана пластина 1 после травления защитного покрытия 3, нанесения второго слоя фотореэиста 7, второго совмещения и проявления фоторезиста 7 с проявлением дефектов 8 во втором слое фоторезиста, которые не совпадают с дефектами б, протравленными в защитном по 5 10 15 крытии 3.На фиг, 3 показана пластина 1 после удаления фоторезиста 7 и дополнительного защитного покрытия 3 по вскрытыми окна 20 45 После проявления на пластинах травят пленку молибдена 3 в смеси азотной и ортофосфорной кислоты в течение 40 с. Этот...