Лучевой прибор м-типа
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 253940
Авторы: Лагранский, Панков, Чигиринский
Текст
253940 Сома Советских Социалистических Республиклависимое от авт. свидетельства аявлено 25.Л,1968 ( 1249960/ 25 вкц о присоединением з Приор цте МПК Н 011 омитет по м изобретений и открытий при Совете Министров СССРа опубликовани Авторыизобретения Лагранский,аньков, П, Я. Чигиринский явите ЛУЧЕВОЙ ПРИБОР М-ТИП рый переход цх в блны оприятц ю аз во Изобретение относится к приборам СВЧ- диапазона, работающим со скрещенными электрическим и магнитным полями прямой илц обратной волны и с инжектированным электронным потоком, 5Характерная особенность высокочастотного взаимодействия электронного потока с полем замедленной волны для таких приооров заключается в том, что электроны, попадающие в тормозящую фазу ВЧ-поля, отдают свою по тенциальную энергию полю волны и перемещаются к замедляющей системе. Электроны, попадающие в ускоряющую фазу (неправильнофазные), отбирают энергию волны и перемещаются к отрицательному электроду. 15Цель изобретения - обеспечение более эффективного, чем у известных приборов, использования неправильнофазных электронов в пространстве взаимодействия путем введения в плоскости, перпендикулярной электри ческим силовым линиям, магнитного шунта в виде пластины из ферромагнитного материала, обеспечивающего создание поперечной неоднородности магнитного поля вблизи отрицательного электрода. 25Если между плоскостью отрицательного электрода и плоскостью влета электронного потока изменить величину магнитного поля, то дрейфовая скорость неправильнофазных Электронов изменится, что обеспечивает быст На чертеже приведен предлагаемый лучевой прибор со скрещецными полями, в котором для изменения величины магнитного поля используется протяженный мапштцый шунт 1, расположенный вблизи отрицательного электрода 2, Электронный поток, сформированный пушкой 3, направляется в пространство взаимодействия, образованное замедляющей системой 4 и отрицательным электроном 2, В результате высокочастотного взаимодействия правильнофазные электроны отдают свою потенциальную энергию и садятся на замедляющую систему 4. Неправильцофазные электроны перемещаются в сторону отрицательного электрода и попадают в область с меньшей величиной магнитного поля В,. Скорость электронов в этой области увеличивается, и они быстро переходят в тормозящую фазу волны, Отдавая свою энергию ВЧ-полю, эти электроны переходят на более высокие эквцпотенциалы и попадают в ту часть пространства взаимодействия, где величина магнитного поля равна номинальной Вс, а дрейфовая скорость электронов, определяемая отношенцЕем - , равна фазовой скорости взацмодейв,ствующей гармоники. В результате меньшая253940 Составитель Е, Л, Балаб едактор Т,хред Л. В. Куклина Корректор Г. С. Мухина рловская Заказ 387/16 Тираж 480 ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий и Москва Ж, Раушская наб., д, П Совете Министрсное ССР апунова, 2 ипография,часть неправильнофазных электронов достигает коллектора 5.Очевидно, что описанная конструкция будет не менее эффективна в лучевых генераторах обратной волны М-типа, поскольку интенсивное ВЧ-поле на входе пучка в пространство взаимодействия создаст значительное пространственное разделение правильно- и нсправильнофазных электронов.Для предотвращения насыщения мапштного шунта необходимо, чтобы расстояние между полюсньпи наконечниками (величина магнитного зазора) было больше, чем ширина шунта вдоль силовой линии магнитного поля. Последнее может привести к увеличению всса магнита, но это не во всех случаях является принципиальным. Предмет изобретения5 Лучевой прибор М-типа с поперечной неоднородностью магнитного поля, содержащий электронную пушку, пространство взаимодействия, образованное замедляющей системой и отрицательным электродом, коллектор, от ги гагогггийся тем, что, с целью повышениямощности, в прибор введена пластина из ферромагнитного материала, расположенная вне пространства взаимодействия со стороны отрицательного электрода параллельно послед.15 нему,
СмотретьЗаявка
1249960
Л. М. Лагранский, И. А. Паньков, П. Я. Чигиринский
МПК / Метки
МПК: H01J 25/42
Метки: лучевой, м-типа, прибор
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-253940-luchevojj-pribor-m-tipa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Лучевой прибор м-типа</a>
Способ измерения слабых магнитных полей
Номер патента: 139006
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Коноваленко, Косяков, Меркурьев, Сердюк
МПК: G01R 33/06
Метки: магнитных, полей, слабых
...источника быстр р-лучи. на приме- в вакууме ающийй, в каче- лучающее Известны способы измерения слабых магнитных полей, основанные на применении эффекта Холла для электронов, перемещающихся в вакууме при наличии внешнего однородного магнитного поля, Однако такие способы недостаточно чувствительны.В описываемом способе для повышения чувствительности измерений в качестве источника быстрых электронов используют вещество, излучающее р-лучи.На схематическом чертеже изображено устройство для измерения слабых магнитных полей.Способ измерения слабых магнитных полей состоит в том, что в контейнер 1, соприкасающийся со стенкой 2 вакуумной колбы 3, помещают вещество 4, излучающее р-лучи и являющееся источником быстрых электронов, При...
Электровакуумный прибор со скрещенными электрическим и магнитным полями
Номер патента: 978231
Опубликовано: 30.11.1982
Авторы: Зильберман, Писаренко
МПК: H01J 21/00
Метки: магнитным, полями, прибор, скрещенными, электрическим, электровакуумный
...имеющимся в цилиндре б, Разрез в цилиндре б выполнен, такимобразом, по образующей; цилющр 6 соеди.няет кольца 5 спирали 4, Катод 3 прибора5 978231 имеет кольцевую форму, его охватываетанод 8 прибора, выполненный составным и включающий кольцевое неразрезное основание 9, на котором расположена система 10 элементов, Система 10 элементов укрепле на на основании 9 со стороны, обращенной к катоду 3 и под углом к его поверхности, кроме того, она электрически связанас основанием 9, образуя структуру, разомкнутую по оси прибора. Система 10 элементов выполнена в виде расположенных по образующей основания 9 пластин 11, а можетбыть выполнена в виде разрезного по об.разующей усеченного конуса 12, Катод 3прибора индуктивно накаливаемый, вторичная...
Устройство синхронизации и формирования плоской вершины магнитного поля синхротрона
Номер патента: 599743
Опубликовано: 25.09.1979
Авторы: Гончаренко, Гусев
МПК: H05H 13/04
Метки: вершины, магнитного, плоской, поля, синхронизации, синхротрона, формирования
...непосредственно через тирнсторньй ключ и высокочастотцые колебания на площадке ис599743 На фиг. 1 представлена упрощенная электрическая схема устройства; на фиг, 2 - диаграм.мы напряжений на электромагните и питающейсети, тока в электромагните,Тнристорный ключ 1 подключен параллельноемкости 2 резонансного контура и импульсному трансформатору 3, которые с злектромаг.питом 4 обраэчот резонансный контур, Одинвыход электронного блока 5 синхронизациисоединен с управляющим электродом тнристорного ключа 1, второй выход - с источником6 импульсного питания, который подключен кпервичной обмотке импульсного трансформато.ра 3,В момент прохождения напряжения 7 на 15электромагните 4 через нуль от отрицательнойполуводны к положительной относительно...
Способ определения параметров магнитных полей
Номер патента: 868659
Опубликовано: 30.09.1981
МПК: G01R 33/02
Метки: магнитных, параметров, полей
...магнитное поле, измеряют изменение тока25 электронов, вызванное этим полем врайоне светового пятна на фотокатоде,а изменение тока фотоэлектронов синхронно со сканированием пятна светапо фотохатоду развертывают на экра 30 не электронно-лучевой трубки,868659 формула изобретения Редактор С. Юско Корректор Л. Бокшан Техред И.Асталош Заказ 8319/66 Тираж 735 Подписи ое ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП "Патент",г. Ужгород, ул. Проектная, 4 На чертеже показана структурнаясхема устройстваВ схеме обозначен Фотокатод 1, исследуемый объект 2, луч света 3,Фотоэлектроны 4, анод 5, блок 6, формирующйй световой луч, сетка 7, блок8 синхронизации и...
Устройство для измерения напряженности магнитного поля
Номер патента: 390483
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Обозный, Сахаров, Церковный
МПК: G01R 33/02, G01V 3/40
Метки: магнитного, напряженности, поля
...и металлической пластины, расположенной оппозитно к ней, соединенных со схемойрегистрацииНа чертеже показана схема описываемогоустройства, состоящего из формирователя 1 электронного луча, контактирующего с металлической пластиной 2 (например, элек тронно-лучевая трубка с металлической пластиной на экране вместо люминофора), генераторов 3 развертки электронного луча 4, отклоняющей системы 5, разделительной емкости б, разделительного трансформатора 7, уси лителя 8 и индикатора выхода 9. Электрический контур, в котором,индуци;руется э.д.с., образуется катодом 10 формирователя электронного луча, электронным лу чом 4, металлической пластиной 2, конденсатором б, первичной обмоткой а разделительного трансформатора 7 и соединительными...
Предыдущий патент: Способ изготовления вентильных элементов
Следующий патент: Способ изготовления электронного прожектора
Случайный патент: Устройство для программного управления