Устройство для совмещения противолежащихэлементов

Номер патента: 498591

Опубликовано: 05.01.1976

Автор: Гаврилкин

МПК: G02B 21/18

Метки: микроскоп, трехканальный, фотоэлектрический

...и оптически сопряженными с осями секторных диафрагм 10 фотоэлектрических каналов, зеркал 34 - 37 и трехгранной зеркальной призмы 38.Трехканальный фотоэлектрический микроасоп работает следующим образом.Изображения штриховых знаков объективами 5, 11 и 12 и соответственно ахроматическими линзами 6, 13 и 14 проецируются в плоскость полевых маскирующих диафрагм 7, 15, 16, выполненных в двух крайних каналах (фиг,1, вид по Б) в виде секторов с углом при вершипе 135, а в среднем канале - с углом 90. Далее изображение указанных штриховых знаков и полевых диафрагм объективами 8, 17, г 8 проецируются в плоскость секторных диафрагм 10, выполненных на поверхности коллек.ивов 9, 19 и 20, а с помощью полупрозрачных зеркал 35 - 37 и трехгранной призмы...

Номер патента: 1480679

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Аросев, Дорогутин, Кравчук, Филоненко

МПК: H01L 21/603

Метки: гибридных, интегральных, полупроводниковых, приборов, сборки, схем, элементов

...аргон под давлением 2,5 кгс мм (фиг. 3). Проходя канал 4 инст 2румента, обогреваемого кольцевым нагре вателем 5, гаэ нагревается до 250 С и оказывает давление на всю поверхность крисалла. Температура подложки 1 при подаче нагретого газа поднимается до 390 С и на границе контактных поверхностей обра эуется жидкий слой 6 электрического состава, В момент образования этого слоя кольцевой нагреватель инструмента отключается и жидкий слой затвердевает под давлением холодного газа (фиг. 4). Затем газ 45 отключается и инструмент возвращается на исходную позицию для захвата очередного кристалла (фиг. 5). Для получения сравнительных данных, характеризующих различные варианты изобретения, параллельно 50проводилась сборка однотипных структур при...

Номер патента: 107196

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Ефроймович, Зарезанков, Стиоп

МПК: G01R 25/00, G01R 29/00

Метки: двух, знакопеременных, значений, изменяющихся, индикации, напряжений, нулевых, периодических, плавно, совмещения

...выпрям;ения сигнала с последующим суммированием детектированного напрюкения, амплитудной дискриминацией и усилением импульсов, возникающих в момент совпадения нулевых зцачеций.Принципа,н ная схема ицликатсра показана на чертеже. Сигналы поступают ца вход двухполупериолных выпрямителей и 2.Выпрямленные сигналы имеют четко выраженные нулевыс состояния. В цепи 3 производится суммирование этих сигналов. Если их нулевые знячсия совпадают во времени, то суммарный сигнал равен нулю по крайней мере дважды в течение каждого периода. При несовпадении это не имеет места,Суммарный сигнал поступает ца амплитудный дискриминатор 4 с усилителем 5 и индикатором 6, обладающими соответствующими характеристиками лля резкого, в течение малой...

Номер патента: 382995

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Лукь

МПК: G02B 27/10

Метки: выделения, двух, излучения, потоков, пространственного, совмещения, электромагнитного

...дв азмещают но падающ ии одного из азующихся б обесровки омагцц жеция диафр х вол дифр за диа Известно, что точностьния электромагнитныхудовлетворять условиюеи аА, в 1 п Иати/гр Иг". угловогоколебаний овмеще- должна 0 Если на пути движения волн 1 и 2 (см. чертеж) перед приемником 3 разместить диафрагму 4, то за ней образуются дифракционцые максимумы, направление ца которые определяют из теории дифракции. В направле нии некоторых из них (или только одного)можно достичь пространственного совмещения, Подбирая размер диафрагмы, можно, например, добиться, чтобы совпадение дифрагированных волн произошло по биссектрцсе угла 0 между на 1 лоццо падающими волнами,линеиные раз совмещения н щих волн;вол иовыс век волн;угловая расхо ц 1 цх волн в...

Номер патента: 1787295

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Дереченик, Кононов, Олтушец, Пеньков, Полонин, Яцук

МПК: H01L 21/304

Метки: интегральных, кристаллами, пластин, полупроводниковых, приборов, схем, утонения

...стороны пластины с плоскостью держателя, Кроме того, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины не улучшает ее геометрию в части прогиба и клина по отношению к держателю, на котором пластина крепится для проведения механического утонения. Поэтому в процессе закрепления ее на держателе происходит механическая деформация пластины с изме-. нением исходных геометрических параметров, это приводит к нарушению металлизации и соответственно к снижению выхода годных на операции "функ 1 ионирование".Целью изобретения является повышение выхода годных за счет исключения разрушения пластины и кристаллов.Цель достигается тем, что по способу водниковых приборов и интегральных схем, включающему нанесение высокомолекулярного соединения...