Управляемый мультивибратор

Номер патента: 940605

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Каусова, Копицын, Назаревская

МПК: H01L 21/283

Метки: кремниевых, резисторами, тонкопленочными, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов при улучшении их параметров, после формирования контактных окон в диэлектрических слоях в эти окна дополнительно наносят пленку SiO2 толщиной 10 40 нм, локально формируют дополнительный слой металла со слабой адгезией к SiO2, растворяющийся в травителе, не взаимодействующем с нихромом, а после осаждения нихрома удаляют...

Номер патента: 209844

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Буга, Израйлит, Ленинградска

МПК: H03K 19/20

Метки: 209844

...амплитуде напряжения входного импульса (при наличии трех входных импульсов, два из них всегда будут скомпенсированы).Так как напряжениео ре транзистора 4 выбир209844 Предмет изобретения УУ Составитель Е. В. 1 йаксимов Корректоры: О. Б. Тюрина и 3. И. ТарасоваРедактор Б. Б. Федотов Текред Т. П, Курилко Лаказ 487/15 Тирак 530 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изооретений н открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр, Сапунова, 2 3чем половина напряжения ив, транзистор 4 в этом случае заперт и не влияет на работу транзистора б. При этом по цепи через диод 2 или д, участок эмиттер-база транзистора б и резистор о потечет базовый ток, отпирающий его переход эмиттер-коллектор, через резистор 10 потечет...

Номер патента: 233011

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Певнев

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, нелинейный

...Управляющий сигнал - (подается на вход 5 через диод 4 на эмиттер транзистора 1. При отсутствии управляющего сигнала на выходе 9 ключа (на резисторе 8) напряжение отсутствует, так как транзистор заперт отрицательным потенциалом, поступающим на базу через открытый стабилитрон 3 (опорный диод), так как переход эмиттер - база зашунтирован малым прямым сопротивлением стабилитрона, на котором при выбранных значениях резисторов 7 и 6 падение напряжения не превосходит 0,05 - 0,1 в, Если выбран кремниевый транзистор, входная характеристика которого имеет явно выраженную нелинейность, для отпирания транзистора 1 необходимо напряжение база - эмиттер не менее 0,3 - 0,4 в.Если управляющий сигнал - Г,будет возрастать, то на выходе 9 ключа сигнал будет...

Номер патента: 751654

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Мурзин, Пименов

МПК: B30B 15/28

Метки: защиты, оператора, пресса

...отражения, пс ооеспечивающцм последовательное отражение излучения световодом, расположенным в начале опасной зоны 22, обеспечивает попадание лучей на приемник 3, который расположен на стойке в конце опасной зоны 22. Электронный блок 4 с обмоткой 15 и контактами 16 представляют собой фотореле выдачи команд на отключение механизма управления, при этом в устройстве использовано несколько (не менее двух) систем 2 поворотных зеркал со своими источниками 1 излучений на светодиодах, ц приемниками 3 на фотодиоде, и своими электронными блоками 4. Выходы всех используемых электронных блоков 4 соединены с управляющим узлом 23 пресса.Работа устройства происходит следующим образом.Источник 1 излучений со светодиодом посылает ИК-лучи, которые...

Номер патента: 752756

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Бердников, Брагин

МПК: H03K 3/284

Метки: ждущий, мультивибратор

...эмиттерного токов транзистора 2 за счет быстрого; роста тока черезиндуктивность. Это запаздывание зависиттолько от разности коллекторного иэмиттерного 1 токов и скорости возрастания тока через индуктивность, а от параметров транзисторов практически независит, за счет чего и достигаетсяувеличение стабильности длительностивыходного импульса.Использование в ждущем мультивибраторе с хронцрующей индуктивностью схемМвключения транзисторов с общей базойи общим коллектором позволяет значи.,ътельно улучшить стабильность длительности выходного сигнала и устранитьвлияние разброса параметров транзисторов на ее величину,45 Все это повышает тОчнОсть магнитомодуляционных измерительных преобразователей, упрощает их настройку и эксплуаташпо. Ждуший...