237766
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 237766
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК ПАТЕНТУ Союз Советскив Со 1(талистических Республик."ПК Г 03 Коитет по делаи изобретений и открытий при Совете Министров СССР, а 5 131 (.1) НЕ ПОЛ НО ПОВОРОТНЫЙ П Н ЕВЧО- ИЛ И ГИДРО/ЧОТОР) С;1 )1 С 1 И В Л 0 Р С 1 (. : . 51 10 1 1 3 1 3 ( С 1 . ))1 : ) (.) ) 1 ( ), 1 )0 1Л3 Л р 0 1 11 1 л ( 1 1:С :3 )Л - 1 1, 111.РЛ.)1010 Р) С НОГ 1 ПО 31) ) ИЛ) ИИ(.)1, 10101) И131 И 0,1.( ( .3110,:0;1,1: Н(. ( НО С 3.ВИ (.СТ1) 11(3; 1( ) ( ) , 15 )) ),1 а 11 ) ) , Б 0 1110 ) ) (3 а Г 1 ), 1С Б 1 Б ( )) д 1 1 В .)( 0 .Г 13 1) 0 Г 1 11 1 С ) 3 0 1. , 1/1 1 1: 1 П Р Г Н 0)и мос 010 р а, а и 1 то;)11) ПО;) П 11 )стд и 030 с И.0:1:С,И;,Я: СР)С И 3(П:Р 100)1:1.;Н;3( Р МС)1(:1 (00 1 С д:3 И):П;М ГО ИОМ Ид;)И- И И ИС)СОРЛ;НОИ Б (ОРИИ (С.( ) 0) .1, ) )д )С, -В )Ст ) В) )(;, ) )(/ 11(д, пд:1010 т) Ви3310- П,11 .рл.).л д Р,:,; В:(ЯЛ:. д ( СЬ:.Ото РЛ: О:1 10: 011 31101 О ПГ)(0011 л (:В 51 Ви дд ОГт ии;(.Й, В 1,СИ,(.)10: 1 П И ВЛ.:10) В 3.1), И С ВЯд)Л) 15 Б.).д:1". 13 1;ЛГ 1)(с 33 10 110,10).Г и 1(ор 1) д МОГО -Р 1, 1 11(: д;):,;1 д)11 Я).31 ОВ,011 ЛПГОТ:- 1 с, 1 ( , 1 51 с Р1 ( ) ) В 1 .; и :1 Й 0ин аР м с 5(, д)013( 01.1 1 Ои) дР.,д) НОРВи: ПР).1 л -РЛП,д:3 1 д )13 СС )ЛТЛР;3, Рт./) П)(//(/)/1 (т, 20".л:1),",10 131.:11,с 1.51 н (т 1,и 0 ).Омс 11,13),:д:;1 Й( 3 :30,.спи с л д(с 3 ы . ВЙ(1,11103, 13 Н),)П) д( 3 Ы 1(,(.0,30 101 И)СЛГВ 0 Вдн ПС 1 )ИВ. СВИ.( 1.".);С В).) 1.ЛГ 10 СТИ, Б В 5(:ЛИ ,Б НЛ Гд Р 1): ; ) ( Г)". Пд:3(П:10) И 1 СИ), ":3510 11 И ИЛС 25 ОЙНОЙ дт и.1;с, при 1( )0)1; а Гим 1 ПО/0.01 МИ )1):(В 1051:С;)(И (ПИ 1)1 С ВИ;1,"), 131 ЛПОГ.00(.Л)д а.", ( С Р(.1 О 1 ,
СмотретьЗаявка
1118128
МПК / Метки
МПК: F16H 39/30
Метки: 237766
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-237766-237766.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">237766</a>
Логический элемент «и-или-неи-или»
Номер патента: 343383
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H03K 19/08
Метки: «и-или-неи-или», логический, элемент
...выходы схемы.Б устройстве имеется схема связки 15), состоящая цз транзисторов 1, 1) ц 1 Х, а так)ке резисторов 19,и 20, цредставляницая сооой цо фуцкццоцальцому цазцачсп 11 н) парафааный фазорасц 1 спцтельцый каскад. обеспсчиван- ший:эмиттеру от схемы экспандора (вранзисторы 2 и 5), а транзистор 1 б - дюполснительным транзистором связи 17, база,которого подключена,к коллекторам тех же транзисторов 2,и 5.Бсли базовые резисторы 19 и 20 встроенного парафазного усилителя выбирать таврим образом, чтобы мощность, рассеиваемая ими, была равна,мощности рассеиваемой базовым резистором 8 (б) входного многоэмиттернотс транзистора 1 (4), то мощность, рассеиваемая схемой, будет равна мощности, рассеиваемой двумя инварторами И-НЕ обычных схем.Цепь...
Логический элемент и-или
Номер патента: 1043826
Опубликовано: 23.09.1983
Авторы: Гиль, Нестерук, Потапов
МПК: H03K 19/168
Метки: «и-или», логический, элемент
...(по чертежу,1, через позицию 1 У2-оЬразной Ферромагнитной аппликации.В этот момент времени домен, продвигающийся по первому входному каналупродвижения ЦМД, занимает позиции 1(1,У 1 и Ы 11, поступая на вход первоговыходного канала. При этом оба доменавзаимодействуют друг с другом, находясь под Е -образной Ферромагнитнойаппликацией, магнитостатицеская ловушка под которой имеет максимальную глуЬину в позиции 1 и градиентполя от позиции У к позициии У, Домен, находящийся в позиции 1 У, уменьшает глубину магнитостатической ловушки в этой позиции эа счет сложенияполя, наведенного в Е -образной Ферромагнитной аппликации, и собственногополя ЦИД, вектары которых направленыв противоположные стороны, при этоммаксимум поля в...
Логическая схема «и—или —не»
Номер патента: 239381
Опубликовано: 01.01.1969
МПК: H03K 19/08
Метки: «и—или», логическая, не, схема
...соединением и входов аналогичных элементов. Работоспособность одного выхода элемента на и вколов аналоги - ных элехентов обеспечивается путем использования в качестве источника выходного сигнала транзистора с высоким значением коэффициента усиления по току. Однако в известных схемах для обеспечения высокого значения коэффициента разветвления необходимы транзисторы. имеющие большие зн ачения коэффициента усиления по току (В ).Предлагаемая схема отличается тем, что для увеличения нагрузочной способности при использовании транзисторов с низким значением коэффициента усиления по току выход диодной схемы И - ИЛИ соединен с последовательно соединенными переходами база - эмиттер нвертируощих транзисторов.В предлагаемой логической...
Логический элемент «и—или—не» и «и-или»
Номер патента: 260680
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Гриккевич
МПК: H03K 19/088
Метки: «и-или», «и—или—не», логический, элемент
...возможности совмещенной во времени и месте реализации логических функций И - ИЛИ - НЕи И - ИЛИ, что важно для построения логических сетей быстродействующих вычислительных машин,Предложенный логический элемент отличается тем, что коллектор усилительного транзистора через инерционный диод подключен кбазе дополнительного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, коллекторкоторого соединен с выходом элемента, Это 30 12 для его надежного застор 14 подключена к шп260680 Предмет изобретения Составитель Ю. Н. Колотовнбицкая Техред А. А. Камышникова Корректор Н. С, Сударенков Редак Подписноеинистров СССР каз 1116/12 Тираж ЬООНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СоветМосква Ж, Раушская наб., д. 4/5 ипография, пр. Сапунова...
Импульсный двухфазный логический элемент «и—илии—или—не»
Номер патента: 304698
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Белопольский, Мастерских, Никишин, Паукова, Удовик, Филиппов, Хавкин
МПК: H03K 17/66
Метки: «и—илии—или—не», двухфазный, импульсный, логический, элемент
...8. Чем меньше напряжение на коллекторе транзистора 8, тем большая часть тока ответвляется в базу транзистора 12 и меньшая - в базу транзистора 8, вследствие чего уменыпается степень насыщения последнего. Уменьшение глубины насыщения транзистора 8 создает условия для последующего быстрого, выключения элемента.Одновременно с открыванием транзисторов 8 и 12 происходит быстрое закрыва 1 гие транзистора 9 током коллектора транзистора 12, обеспе швающим быстрое рассасывание накопленного в базе транзистора 9 избыточного заряда, На коллекторе транзистора 9 устапавлизается высокий уровень потенциала.После окончания действия положительного импульса ГИ 1 транзистор 8 закрывается обратным током коллектора транзистора 4, но транзистор 8...