Мастерских

Номер патента: 1618542

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Анцелевич, Барышников, Кириллов, Мастерских, Сом

МПК: B22D 13/00, B23K 9/04

Метки: втулок, центробежная

...7 соединен с планшайбой 2 через р обойму 8 и установлен также соосно с валом 1. Конус имеет сквозное отверстие для введения плазмотронов, дозатора с наплавоч ным материалом и измерительного ъ прибора, Обоима имеет окно даа подани детали - втулки 9 (фиг.2) к конусам 5 и 7, фУстановка работает следующим образом.Обойма 8 устанавливается окном в положение, показанное на фиг.2. В ее окно вводится втулка 9 и помещается между конусами 5 и 7. Пневмоприводом б и штоком 4 конус 5 вводится в отверстие втулки 9 и прижимает другой конец втулки к конусу 7, 1618542При надевании на конусы втулка центрируется. Точность центрирования контролируется прибором, вводимым внутрь втулки. В случае отклонения от соосности втулку перезажимают или заменяют...

Номер патента: 964983

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Кудрявцев, Мастерских, Терехина

МПК: H03L 7/10

Метки: автоподстройки, дискретной, частоты

...входам реверсивного счетчика 9.Выходы реверсивного счетчика 9 соединены с входами преобразователя 13код-напряжение, а его выход подключен к управляющему входу подстраиваемого генератора 2.50Устройство работает следующим образом.Входной сигнал частоты йс смешивается в смесителе 1 с сигналом Е подстраиваемого генератора 2. Сигнал разности этих частот поступает через усилитель 4 промежуточной частоты навход многополосного фильтра 3, где сравниваеФся с сигналом опорного генератора 5. В результате сравнения появляется сигнал в виде логи 60 ческой единицы на одном из п (и нечетно) выходов многополосного фильтра 3, соответствующего диапазону частот, в котором находится разность (й - Г) . Если, например, 65 после включения устройства (й - й)...

Номер патента: 304698

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Белопольский, Мастерских, Никишин, Паукова, Удовик, Филиппов, Хавкин

МПК: H03K 17/66

Метки: «и—илии—или—не», двухфазный, импульсный, логический, элемент

...8. Чем меньше напряжение на коллекторе транзистора 8, тем большая часть тока ответвляется в базу транзистора 12 и меньшая - в базу транзистора 8, вследствие чего уменыпается степень насыщения последнего. Уменьшение глубины насыщения транзистора 8 создает условия для последующего быстрого, выключения элемента.Одновременно с открыванием транзисторов 8 и 12 происходит быстрое закрыва 1 гие транзистора 9 током коллектора транзистора 12, обеспе швающим быстрое рассасывание накопленного в базе транзистора 9 избыточного заряда, На коллекторе транзистора 9 устапавлизается высокий уровень потенциала.После окончания действия положительного импульса ГИ 1 транзистор 8 закрывается обратным током коллектора транзистора 4, но транзистор 8...