Симметрированный эмиттерный повторитель
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 232323
Автор: Тарасов
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик.132.3 (088,8) Камит бретен па делами открытийМинистровСР 1 риорит уоликовано 11.Х.1968. Бюллетень хс 1за 1969 г.чта опубликования описания 7 Т,1969 и С Лвторизобретения Э. П. Тарасов льное конструкторское бюро киноаппаратуры явитель ИММЕТРИРОВАН НЪ 1 Й ЭМИТТЕРНЪ 1 Й ПОВТОРИТЕЛ В известных симметрированных эмиттерных повторителях для усиления сигналов звуковой частоты, выполненных на транзисторах, усиление по току и входное сопротивление ограничены по величине коэффициентом усиления по току каждого транзистора, симметрия плеч нарушена. Надежность этих повторителей - относительно низкая, вследствие больши величин коэффициентов нестабильности токов эмиттеров транзисторов.Предложенный повторитель отличается тем, что входной сигнал подается на базу одного из транзисторов, эмиттер которого соединен с базой одного транзистора через нелинейную цепь с малым динамическим сопротивлением, например стабилитрон.На чертеже схематически изображен предлокснный эмиттерный повторитель.Истосник 1 сигнала и цепь 2 смещения подключены к базе транзистора 3 гипа р-и-р. Эмиттер транзистора 3 соединен с базой транзистора 4 типа и-р-и через стабилитрон 5,Коллекторы транзисторов 3 и 4 соединены с соответствующими полюсами б и 7 источника питания. Эмиттеры этих же транзисторов соединены между собой через два последовательно включенных сопротивления 8 и 9, к обшей точке которых подключена нагрузка 10.База транзистора 4 соединена с полюсом 7 источника питания через два последовательно включенных сопротивления 11 и 12, общая тоа которых соеднсна с нагрузкои 10 через конденсатор 13.При режиме покоя, когда на базу транзис тора 3 не подастся сигнал от источника 1, постоянство напряжения смещения на стабилитроне 5 обеспечивает постоянное падение напряжения на сопротивлениях 8 и 9 и стабильность проходящих через них токов эмиттеров 10 транзисторов 3 и 4, Причем стабилитрон 5компенсирует температурный дрейф напряженя на эмпттерном переходе транзистора 4.Ток смещения через стабилитрон 5 задается сопротивлениями 11 и 12.15 Динамическое сопротивление по постоянно.му току в цепи эмиттера транзистора 3 велико и намного превышает величину сопротивлении 8 и 9, та как изменение осонного тока через них мало, благодаря соединению эмиттсра транзистора 3 через стабилитрон 5 с базой транзистора 4. Поэтому влияние температурного, дрейфа напряжения на эмиттерном переходе транзистора 3 на его режим очень мало, коэффициент нестабильности тока эмиттера транзистора 3, характеризующий влияние дрейфа обращено тока коеора, также мал.Динамическое сопротивление по постоянному току в цепи базы транзистора 4 низкоомно, так как определяется малым сопротивлс нием стабилитрона 5, поэтому коэффициент232323 Предмет изобретения где Составитель Л. РубинчикТехред Т. П, Курилко Корректор А, П, Васильева Редактор Е. Кравцова Заказ 441/14 Тираьк 437 ИодписиоеПНИИПИ Комитет; по делам изобретений и открытий при Совете Мпиистров СССР Москва, Центр, пр, Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2 нестабильности тока эмиттера транзистора 8 также мал.Когда на базу транзистора 8 подается от источника 1 сигнал, переменный ток эмиттера этого транзистора проходит на нагрузку 10 че рез сопротивление 8. Возникающее при этом падение напряжения переменного тока на этом сопротивлении приложено через стабилитрон 5 между общей точкой сопротивления 8 и 9 и базой транзистора 4, В результате появляется 10 переменный ток эмиттера транзистора 4, который проходит на нагрузку 10 через сопротивление 9. Ток нагрузки равен сумме токовэмиттеров транзисторов 8 и 4.Симметрия, т. е. равенство токов эмиттеров 15 транзисторов 8 и 4, выполняется при условии:Рв 1 в+Рв 0 д+1 т 11 ч)Ла - йа тхв - динамическое сопротивлениестабилитрона 5; 20 1 си Рв - сопротивления 8 и 9;г 14 - коэффициент усиления по токутранзистора 4;Й 11 ч - входное сопротивление транзистора 4 в схеме с общей базой 25 при,короткозамкнутом выходе. При этом условии усиление по току предлагаемого повторителя в два раза больше, чем усиление по току транзистора 8 (или извест ного симметрированного эмиттерного повторителя),и практически не зависит от коэффицисита усиления по току транзистора 4, Лмплитуда тока нагрузки,в два раза может превышать величину постоянного тока эмиттеров транзисторов 8 и 4.Конденсатор 18 включен для уменьшения тока чсрез сопротивление 11 и стабилитрон 5.Предлагаемый повторитель предназначен для использования в качестве оконечного каскада,высококачественных предварительных усилителей звуковой частоты на транзисторах (в кино-, радио- и телевизионной аппаратуре), может быть также использован для усиления сигналов инфра- и ультразвуковых частот (например, в измерительной аппаратуре). Симметрированный эмиттерный повторитель для усиления сигналов звуковой частоты, содержащий два транзистора различной проводимости, соединенных последовательно по цепи питания, отличаощайся тем, что, с целью увеличения усиления по току, уменьшения нелинейных искажений и повышения надежности, входной сигнал подается на базу одного из транзисторов, эмиттер которого соединен с базой другого транзистора через цепь с малым динамическим сопротивлением, например стабилитрон, а нагрузка подключена к общей точке двух резисторов, включенных последовательно между эмиттерами упомянутых транзисторов.
СмотретьЗаявка
1182940
Э. П. Тарасов Центральное конструкторское бюро киноаппаратуры
МПК / Метки
МПК: H03F 3/50
Метки: повторитель, симметрированный, эмиттерный
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-232323-simmetrirovannyjj-ehmitternyjj-povtoritel.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Симметрированный эмиттерный повторитель</a>
Предыдущий патент: Устройство записи-считывания для магнитных запоминающих систем
Следующий патент: Релейная автоматическая телефонная станция
Случайный патент: Композиция для интролинолеума