Патенты с меткой «симметрированный»

Номер патента: 232323

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Тарасов

МПК: H03F 3/50

Метки: повторитель, симметрированный, эмиттерный

...благодаря соединению эмиттсра транзистора 3 через стабилитрон 5 с базой транзистора 4. Поэтому влияние температурного, дрейфа напряжения на эмиттерном переходе транзистора 3 на его режим очень мало, коэффициент нестабильности тока эмиттера транзистора 3, характеризующий влияние дрейфа обращено тока коеора, также мал.Динамическое сопротивление по постоянному току в цепи базы транзистора 4 низкоомно, так как определяется малым сопротивлс нием стабилитрона 5, поэтому коэффициент232323 Предмет изобретения где Составитель Л. РубинчикТехред Т. П, Курилко Корректор А, П, Васильева Редактор Е. Кравцова Заказ 441/14 Тираьк 437 ИодписиоеПНИИПИ Комитет; по делам изобретений и открытий при Совете Мпиистров СССР Москва, Центр, пр, Серова, д. 4...

Номер патента: 359740

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Близкий, Блинков, Ворожейкин, Жадаев, Итев, Ндин

МПК: H03F 3/50

Метки: повторитель, симметрированный, эмиттерньш

...транзисторов 1 и 3 соединены с входной клеммой, к которой подключен источник И входного сигнала с внутренним сопротивлением 14. Цепь из резисторов б и б подключена к выходам составных эмиттерных повторителей; средняя точка цепи является выходной клеммой, к которой подключены сопротивление 11 и емкость 12 нагрузки. Коллектор транзистора 1 соединен с выходом второго составного эмиттерпого повторителя, а коллектор транзистора 3 соединен с выходом первого составного змнттерпого повторителя,При подаче на базы транзисторов 1 и 3 входного сигнала У (фиг. 2, и) от источника И па выходе первого составного эмиттерного повторителя напряжение УБы 1 (фиг. 2, б) имеет постоянную составляющую за счет падения напряжений на переходах база-эмиттер...