Способ определения объема капли жидкого металла

Номер патента: 1670354

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Кирин, Медведев

МПК: G01B 5/26

Метки: контуром, ограниченных, площадей, поверхностей, сложным, участков

...ние номенклатуры измеряемых объектов пу тем измерения площадей участко поверхностей объемных тел. Способ осуществляют следующим обраонтрольноости к споучастковожным конповерхности телатуру измеряемогодят отрезку пленриски на пленкеизмеряютпии и по измости опручастка выполня участка. ки по ко после ее у и объем и математ т площад ют риску по конЗатем произвотуру отпечатка затвердевания, вырезанной коической эависиь измеряемого тол щин вестно еделяю где Ч - обьем копи1 - толщина коПо измеренноможно рассчитатьФормулаСпособ иэмерповерхностей, огртуром, заключающтура на пленку пут еряемого участка поветела, ограниченного сл например участка сферы, сным углом, снимают ко разуемую равномерным о полимерного несмачи ющего материала, наприм...

Номер патента: 1645778

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Балацкий, Денисенко, Дуганов, Петренко

МПК: E21F 1/00, F24F 7/00

Метки: вентиляции, земли, поверхности, участков

...В результате по каналу 1 сверху вниздвижутся потоки холодного и чистого воздуха.Чистые потоки холодного воздуха выходят через нижнюю часть канала 1 расстилаются по поверхности земли 2, обеспечиваявентиляцию (проветривание) обширныхтерриторий,Высоту канала 1 выбирают из условиясоздания на выходе из канала 1 избыточного давления воздуха не менее 1,6 кгс/м,2при этом обеспечивается минимальная скорость потоков воздуха внутри канала 5 м/с,Создание в канале гравитационного напора позволяет осуществлять подачу воздуха на обширные территории беэ затратэнергии. Принудительное заполнение канала 1средой 3 с объемной массой, большей, чемобъемная масса воздуха вне канала 1,можно вести сверху вниз различными способа 5 ми,Возможно заполнение...

Номер патента: 942917

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Хатажуков, Хоконов

МПК: B23K 1/00

Метки: площадью, поверхности, припоя, растекания, твердого, тела

...и индукции внешнего магнитного поля пондеромоторные силы, действующие на расплав, приводят к егопринудительному стягиванию (уменьшению площади смачивания) либо принудительному растеканию.На фиг. 1 показано растекание припоя; на фиг, 2 - принудительное стягивание припоя.Установка состоит из постоянногомагнита или электромагнита 1, междуполюсами которого располагается под 30ложка 2 с жидким припоем 3 на поверхности. При выборе направлений векторов магнитной индукции В и плотностиэлектрического тока , как показанона фиг, 1, пондемоторная сила Р,действующая в направлении третьегоперпендикуляра, приводит к принудительному растеканию припоя, а в случае, показанном на фиг. 2, к егопринудительному стягиванию вплотьдо точечного контакта....

Номер патента: 728183

Опубликовано: 15.04.1980

Авторы: Бродская, Вдовин, Мильвидский, Моргулис, Освенский, Шифрин

МПК: H01L 21/263

Метки: кристалла, маркирования, микродефекту, объемному, поверхности, полупроводникового, соответствующего, участка

...участка из всех отмаркированных участков того же типа.Цель изобретения - обеспечение универсальности способа и защиты микродефекта от воздействия на него при маркировке,Цель достигается тем, что по предлагаемому способу экспонируют электронным пучком участок поверхности кристалла над обнаруженным микродефектом, а затем проводят травление. Экспонирование электронным пучком участка поверхности кристалла проводят при токе электронного пучка 10 6 - 10А, вакууме 5 10- 5 10торр и продолжительности 1 - 1000 с. Травление кристаллов после экспонирования проводят в известном для каждого материала полирующем травителе.При экспонировании электронным пучком поверхности кристалла в точке пересечения ее с электронным пучком осаждается...

Номер патента: 1167481

Опубликовано: 15.07.1985

Автор: Дубиновский

МПК: G01N 21/55

Метки: зеркального, коэффициента, крупногабаритных, локализированных, отражателей, отражения, поверхности, участков

..., 4,жение точки 11 анализа, а ось 12анализа направлена параллельно осиотражателя,Относительное движение точки ана лиза и следа отраженного пучка наповерхности анализа возможно вдвух режимах: синфазный режимч,=ч х (ц=к, с);у И)у, ц,либо асинхронный режим .аь с отрЧ 7 Чгде Ч - линейная скорость перемеинщения точки анализа;Ч - линейная скорость перемещения следа отраженногопучка;нотр И 1(Ц - текущие координаты следа отротраженного пучка в плоскости анализа;Х (1)у (ц- текущие координаты точки ан ананализа.В синфазном режиме необходимо обеспечить синфазность текущих положений следа отраженного пучка в плоскости анализа и точки анализа. В том режиме выдается инфор-мация о КЗО по всей поверхности отраже.шя без пропусков.В асинхронном...