Пневматический функциональный преобразователь

Номер патента: 962546

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Белохин, Клоницкий, Стрельникова

МПК: E04G 21/12

Метки: арматурного, концевого, участка, фиксации, элемента

...в горизонтальных прорезях 4 вертикальных стенок рамы 5. В местахкрепления оси 3 к раме 5 имеетсяконтргайки 6. Верхняя горизонтальнаястенка рамы 5 имеет горизонтальнуюпрорезь 7 перпендикулярную прорезям4 для прохождения подвески 8, имеющейнарезку 9 и контргайки 10 в местахкрепления оси 8 и раме 5 и несущей конструкции 11, котораялюбым способом прикреплена к арматурным карка"сам или ,уже готовым конструкциям,Нижняя стенка горизонтальной рамы 5имеет сквозное отверстие 12.Горизонтальная ось 3 позволяетобеспечить определенный угол наклонацилиндра для размещения концевогоучастка арматурного элемента 1 в вертикальной плоскости, а контргайки 6зафиксировать это положение цилиндра.Прорези 4 и 7 позволяют ориентироватьцилиндр в...

Номер патента: 1111634

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, схем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и части подложки канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подлегирование дна канавок, осаждение слоя поликристаллического кремния, удаление его с изолируемых областей и канавок, окисление поликристаллического кремния в канавках, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем за счет улучшения планарности, на маскирующих пленках дополнительно осаждают пленку фосфоро- или боросиликатного...

Номер патента: 196139

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гайд, Монтримас, Садаускас

МПК: H05K 3/06

Метки: печатных, резистивных, схем, токопроводящих, элементов

...качества схем и упрощение технологии их изготовления достигается использованием в качестве проявителя для токопроводящих участков мелкодисперсного порошка серебра (75 - 85%), покрытого слоем смолы (25 - 15%), например канифоли, который после проявления скрытого изображения подвергают термообработке при температуре 700 - 750 С в течение 2 - 3 час. Проявитель резистивных элементов содержит по 12 - 18% мелкодисперсного серебра и палладия, 55 - 65% легкоплавкого стекла и 8 - 12% смолы, например канифоли. После проявления его также подвергают термообработке.Описанные проявители позволяют получить электропроводные элементы с сопротивлением порядка 1 ом на квадрат площади и Предмет изооретенияСпособ изготовления токопроводящих и...

Номер патента: 276523

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: G01R 31/28, G05B 13/02

Метки: оптимальных, параметров, схем, электронных, элементов

...тест-сигнал, который подается на вход управляемой модели 1 исследуемой схемы, и сигналы угравления на блок б для проверки условий заданных ограничений на параметры вь".ходного сигнала гу. В ответ на входной сигнал и на выходе управляемой модели схемы формируется выходной сигнал гг, параметры которого автоматически измеряются блоком 2 и последовательно поступают на блок 7 анализа, в котором определяется суммарное отклснение текущих параметров выходного сигнала от заданных. Это выполняется в блоке 7 по шести командам, вырабатываемым блоком б управления.Вычисленное значение отклонения от цели с блока 7 в двоично-цифровом коде пересылается в блок 9 для определения дальнейшего направления поиска. Это достигается путем сравнения...

Номер патента: 426602

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Казанов, Сазанов

МПК: H01L 27/00

Метки: изоляции, интегральной, схемы, элементов

...кремния; исключит" образование кристаллитов на незащищенныхокислом участках поверхности монокристаллической подножки. Выполнение этих условийсущественно ограничивает технологические воз.можности, затрудняет получение воспроизводимыхрезультатов и отрицательно влияет на качествоизоляции, что снижает процент выхода годныхинтегральных схем и, соответственно, увеличиваетих себестоимость,Цель изобретения . повышение воспроизводимости параметров приборов,Цель достигается тем, что по предлагаемомуспособу на поверхности оклсной пленки до выращивания слоя кремния создают промежуточныйслой из тугоплавкого материала, температураобразования эвтектики которого с кремнием нижете мпературы энитаксиальноговыращиваниякремния. Для создания...