Способ изготовления токопроводящих и резистивных элементов печатных схем

Номер патента: 1621818

Опубликовано: 15.01.1991

Автор: Йозеф

МПК: H01M 10/54

Метки: батарей, печатных, плат, радиодеталями, схем, утилизации, электрических, электронных, элементами

...металлов, ионы которых находятся в растворе. В результате баланс по кис-. лоте не нарушается.Металлы, которые вследствие своих электрохимических свойств не осаждаются в кислой среде (к таким металлам относятся, например, алюминий, калий, литий и натрий), могут после качала кристаллизации вследствие высокой концентрации Фторборатов отделяться путем осаждения натрия, калия и лития на амальгамном катоде. Осаждающиеся на амальгамном катоде металлы могут быть легко отделены.Со временем в электролите накапливаются другие примеси, например различные Аторбораты и микроэлементы; Электролит в этом случае может быть очищен от них путем перегонки, которая для предупреждения термического разложения борАтористоводородной кис-. лоты проводится...

Номер патента: 150863

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Григорьев, Кузнецов, Смирнов

МПК: H04N 1/38

Метки: аппарата, блоке, выделением, изображении, оригинале, отбора, плоскостном, растра, света, светооптическом, фототелеграфного, элемента

...схемах фототелеграфных аппаратов с выделением растра элемента на оригинале или изображении,Предмет изобретенияУстройство для отбора света в плоскостном светооптическом блоке фототелеграфного аппарата с выделением растра элемента на оригинале или изображении, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью его упрощения и повышения равномерности отбора света вдоль строки растра, оно выполнено в виде свернутой в рулон стеклянной пластины, имеющей форму прямоугольного равнобедренного треугольника,Составитель описания М. А. Хесин Редактор 3. А. Москвина Техред А. А. Камышникова Корректор Г. С, Мосолова 11 одп. к печ, 8,Хг. Формат бум. 70 Х 108/м Объем 0,18 изд. л. Зак, 10229 Тираж 800 Цена 4 коп. ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий...

Номер патента: 276523

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: G01R 31/28, G05B 13/02

Метки: оптимальных, параметров, схем, электронных, элементов

...тест-сигнал, который подается на вход управляемой модели 1 исследуемой схемы, и сигналы угравления на блок б для проверки условий заданных ограничений на параметры вь".ходного сигнала гу. В ответ на входной сигнал и на выходе управляемой модели схемы формируется выходной сигнал гг, параметры которого автоматически измеряются блоком 2 и последовательно поступают на блок 7 анализа, в котором определяется суммарное отклснение текущих параметров выходного сигнала от заданных. Это выполняется в блоке 7 по шести командам, вырабатываемым блоком б управления.Вычисленное значение отклонения от цели с блока 7 в двоично-цифровом коде пересылается в блок 9 для определения дальнейшего направления поиска. Это достигается путем сравнения...

Номер патента: 426602

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Казанов, Сазанов

МПК: H01L 27/00

Метки: изоляции, интегральной, схемы, элементов

...кремния; исключит" образование кристаллитов на незащищенныхокислом участках поверхности монокристаллической подножки. Выполнение этих условийсущественно ограничивает технологические воз.можности, затрудняет получение воспроизводимыхрезультатов и отрицательно влияет на качествоизоляции, что снижает процент выхода годныхинтегральных схем и, соответственно, увеличиваетих себестоимость,Цель изобретения . повышение воспроизводимости параметров приборов,Цель достигается тем, что по предлагаемомуспособу на поверхности оклсной пленки до выращивания слоя кремния создают промежуточныйслой из тугоплавкого материала, температураобразования эвтектики которого с кремнием нижете мпературы энитаксиальноговыращиваниякремния. Для создания...

Номер патента: 963121

Опубликовано: 30.09.1982

Автор: Устинов

МПК: H01L 21/66

Метки: интегральных, отклонений, размеров, структура, схем, тестовая, элементов

...резисторы 36, прямоугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9,проводники 10, контактные площадки11, прямоугольные области 12 с меньшим 1 чем у резисторов удельным сопротивлением.Пример применения тестовой структуры (ТС), имеющей прямоугольные области с меньшим, чем у материалатонкопленочных резисторов удельнымсопротивлением (фиг. 1 и 3).На окисленную поверхность 1 полупооводниковой подложки 2 нанесенылитографические слои, в которых выполнены тонкопленочные резисторы 3-6.Каждый из них представляет собой пря;моугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, к которому сверхучерез прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9 контактируют проводники 10 и контактные...