193157

ОП ИСАНИ Е Союз Советское Сациалистическив Республиквидетельстваавнснмое от Кл 42 пт 14 21 ат, 3/52 в.пено 05.11.1966 ( 1055018/26-24) МПК 6 06 Н 031 УДК 681.142.07:621,38Комитет оо делам заоретеиий и открытий ори Совете Министров СССРэно и Опубликовано 02,111,196, БюллетеньДата опубликования описания З.И 1.19 Бац,; ;. Э. Азимходжаев, О. В. Снит проводников АН УССР АН УзССЗаявители изико-тех нститут АВЛЯЕМЫМ ВРЕМЕНЕМАНИЯ ность монокристная подложка.Интенсивность подсветки 1 управляет д,пительностью запоминания т,.Г 1 ринцпп работы элемента заключается в следующем.На вход схемы подается запоминаемый импульс постоянного электрического напряжения (длительностью порядка миллисекунд и больше и амплитудой порядка 100 в и выше). Полярность импульса должна обеспечивать режим обогащения в эффекте поля на основные носители тока (отрицательный потенциал на электроннопроводящем СЙБ).Индуцнрованньш полем заряд быстро (за несколько миллисекунд) захватывается поверхностными и приповерхностными уровнями, и изменение проводимости в этом режиме невелико (экранировка объема СдЯ поверхностнымн уровнями). Однако после выключения обогащающего импульса и закорачивания полевого электрода с одним из токовых электродов происходит резкое уменьшение проводимости Сг 1 э на несколько порядков величины (эффект запирания тока), Оно обусловлено полем накопленного на поверхностных уровнях индуцированного (отрицательного) заряда, который теперь создает в объеме режим обеднения на основные свободные носители тока. На ф риведен ти; на ф памят ения Ь олупрово принятрическая схема монтажная схе. г. 3 - зависиом электроде и а электиг. 2- -на фна полевдник.ы следу элемента памя ма элемента мость напряж тока 1 через пВ описании ния: щие обознач элек- агруа ко 1 - моноктрод; 3 - изочное сопроторую подавыход схемдиэлектрикрачный элекэлектроды 5 8 -упрозоковые оверх с присоединением эяк Ъ ЕМЕНТ ПАМЯТИ С У ЗАПОМИзвестны элементы памяти с управляемым врез енем запоминания, содержащие подложку, выполненную из диэлектрика, пластину фоточувствительного полупроводника с электродами, помещенную на подложке,Предложенный элемент отличается тем, что, с целью повышения надежности и обеспечения устойчивой работы прн наличии внешних электромагнитных полей, он содержит дополнительную пластину диэлектрика и пластину полупрозрачного металла, помещенную на дополнительную пластину диэлектрика, которая расположена на пластине полупровод- ника ристалл СЮ; 2 - полевой сточник напряжения; 4 - тивление; 5 - вход схемы, ется запоминаемый сигнал; ы; 7 - монокристалл СЮ (слюда); 9 - полевой пол трод из Р 1 или Ад; 10 - т з 1 п, нанесенные на одну п 2алла СЮ (7); 11 - слюдяЗаказ 1935/19 Тираж 535 ПодписноЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССМосква, Центр, пр. Серова, д. 1 ипография, пр. Сапунова, д. 2 При амплитудах входного сигнала, превышающих некоторую критическую величину Ур, происходит истощение объема кристалла на все свободные носители тока и наблюдается запирание тока в течение некоторого промежутка времени т,. Таким ооразом, запоминаемый сигнал поступает в элемент в виде импульса электрического напряжения, и отсутствие стационарного тока в цепи соответствует запоминанию сигнала в элементе, а наличие тока - его отсутствию, что значительно упрощает операци 1 о опроса. Длительность непроводящего состояния тв и определяет время запоминания импульса - сигнала и намного превышает длительность самого импульса. Например, при комнатной температуре т, достигало десятков минут и часов, Отпирание тока через кристалл (стирание сигнала) обусловлено восстановлением равновесия в объеме и на поверхности Сй 5 зависит от ряда факторов. Так, увеличение интенсивности света приводит к резкому уменьшению та увеличение амплитуды сигнала увеличивает т, . Таким образом, варьируя величину интенсивности и амплитуды импульса напряжения можно изменять т,. При этом изменять (управлять) т, можно, изменяя интенсивность освещения при неизменной величине подоб. ранного напряжения, Резко возрастает т, с понижением температуры. Хранение образцов в течение нескольких месяцев при комнатной температуре приводило к заметному увеличению времени запоминания т,.Стирание информации с элемента памяти(отпирание тока) легко достигается подачей либо отрицательного импульса напряжения, либо включением светового импульса (по интенсивности в несколько раз превышающего 10 стационарную подсветку). Использованпсвместо слюды более топких диэлектриков (например, напыленных пленок 510 в и др.) позволит уменьшить величину критического па.пряжения до нескольких вольт.15Предмет изобретенияЭлемент памяти с управляемым временемзапоминания, содержащий подложку, выполненную из диэлектрика, пластину фоточувст вительного полупроводника с электродами, помещенную на подложку, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и обеспечения устойчивой работы при наличии внешних электромагнитных полей, он содержит дополнительную пластину диэлектрика и пластину полупрозрачного металла, помещенную на дополнительную пластину диэлектрика, которая расположена на пластине полупроводника.