185105

Номер патента: 129248

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Коркунов

МПК: H04B 7/04

Метки: передачи, пункты, сигнала, удаленные, фазы, частоты, эталонной

...зависит от условий распространения. На приемном конце вводится дополнительный сдвиг фаз, учитывающий ра:стояние от передатчика до приемника и параметры;истемы. Для дальнейшего повышения точности передачи фазы применяется поочередное излучение одинаков/ых частот с разделением во времени, причем разность соседних гармоник этих частот настраивается по эталону.В месте приема сигналы поочредо проходят по одном н том 1 же приемному тракту, претерпевая одинаковый фазовый сдвиг, и используются для синхронизации двух местных генераторов одинаковой частоты. Разность соответствующих гармоник этих частот, после введения постоянного сдвига фазы, служит эталонным сигналом.М 129248 Предмет изобретения Комитет по делам, изобретений н открытий прн Совете...

Номер патента: 259496

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Витохин, Вольф

МПК: G01N 25/00

Метки: вакууме, исследования, объекта, поля, стационарного, температурного

...исследований отличается от из вестных тем, что геометрически подобнуюЗаказ 898/12 Тираж 500 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Я(-35, Раунская наб., д. 45 Сапунова, 2 Типография, пр. объекту модель из того же материала помещают в вакуумную камеру, экранируют ее от стенок камеры тепловоспринимающим экраном, изменяют теплоотдачу модели изучением обратно пропорционально изменению линейных размеров объекта, созданием необходимого перепада температур между моделью и тепловоспринимающим экраном.Для получения одинаковых температур в сходственных точках объекта в модели рассеиваемая моделью мощность должна быть равна где Р и Роб - соответственно мощности, рассеиваемые моделью и объектом, а...

Номер патента: 975744

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Левенталь, Литвинов, Масхулия, Персинин, Серебряков, Яровицин

МПК: C08L 33/10, G01N 23/225, G01N 25/14

Метки: исследовании, композиция, микроскопическом, пленки-подложки, полимерная, порошкообразных, электронно

...пленок является то, что при Оработе с большими увеличениями, когда требуется значительная плотностьтока электронного пучка, указанныепленки оказываются недостаточно устойчивыми и, кроме того, под действием дневного света они быстро делаются хрупкими и пребывание их насвету в течение нескольких часовдостаточно, чтобы пленки быстро разрушились в результате электронной р 0бомбардировки. Цель изобретения - улучшение стойкости пленки-подложки к электрон ному облучению и устранение агломерации частиц порошкообразных мате. риалов.Поставленная цель достигается тем, что полимерная композиция для пленки-подложки в электронно-микроскопическом исследовании порошкообразных материалов, включающая полимер и растворитель, в качестве полимера содержит...

Номер патента: 1006450

Опубликовано: 23.03.1983

Авторы: Авдеюк, Исаева, Кузнецова

МПК: C08J 11/04

Метки: акрилонитрилбутадиенстирольного, армированного, металлом, облицованного, основе, отходов, пенополиуретана, пленкой, поливинилхлорида, регенерации, смеси, сополимера

...среде, выдержку отходов осуществляют в смеси водного 1-й-ного раствора поваренной соли и жидкого стекла .с концентрацией 0,9- 1,1 г/л при. 80-100 С в течение. 15- 20 мин.Способ используют для переработки отходов, получаемых при производстве комплектующих изделий для автомобильной промышленности (нПанель приборов", "Крышка вещевого ящика", "Накладка" и т.д.).Трудность расщепления на составные части указанных отходов заключается в том, что пенополиуретан обладает высокой адгезией как к металлу арматуры, так и к облицовочной пленке.Уничтожение указанных отходов методом сжигания недопустимо в связи с выделением высокотоксичных продуктов, таких как цианистые соединения, хлористый водород и др.По предлагаемому способу иэ отходов извлекают...

Номер патента: 1807102

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Варавин, Козырь, Сидоров

МПК: C30B 23/02, C30B 29/48

Метки: паровой, пленок, фазы, халькогенидов

...выходящей из горячей зоны в холодные части реактора. Величина зазора л 1 ежду источникол 1 ртути и стенками реактора равняетсч 1-2 мм, При расстояниях, больших 2 мм. источник ртути не является для реактора заглушкой и в холодных частях реактора происходит конденсация большого количества ртути, вышедшей из горячей эоны реактора. При расстояниях, меньших 1 мм, невозможно осуществить загрузку кварце- "0 вого источника ртути в кварцевый реакториз-за эллиптичности кварца, Конструкция источника ртути обесг 1 ечивает уплотнение выхода из реактора, достаточную вместимость по ртути и создание необходимого 15 давления паров ртути в реакторе.Давление паров теллура на два порядкаменьше, чем давление паров ртути, и перенос теллура в сторону...