Способ плакирования порошковых материалов тугоплавкими металлами

ОЮЭ СОВЕТСКИХОЦИАЛИСТИЧЕСКИХЕСПУБЛИК 02752 АЗ 4, С 23 С 18/16 15 В 2 ГОСУДАРСТВЕ ННОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ТНОЕ ЕНИЯ ОБ плавов из газо 29, 339 титут стали и сл К. Осажденииздат, 1970, с.аде, ) ойдо951,Ч.98, М 1 Юц 1, Т., с. 385- РОШКО- ЛАВКИИРОВАНИЯ ИАЛОВ ТУ ОПИСАНИК ПАТЕНТУ 1) 4929612/022) 22,04.91( 4) СПОСОБ ПЛАКОБРАЗНЫХ МАТЕР9 И МЕТАЛЛАМИ Ф 10 титут стали и сплавовА.Г.Ермилов. В.В.СафоИзобретение относится к области по-, ошковой металлургии, в частности к получению композиционных порошковых материалов,Целью данного изобретения является: увеличение скорости образования металлического покрытия, увеличение выхода мелла в покрытие, стабилизация процесса лакирования,Сущность предлагаемого способа заключается в следующем, Плакируемый пофошок потоком газа носителя приводят в состояние фонтанирования. Фонтэнируюиий слой нагревают таким образом, чтобы верхняя часть слоя имела температуру выше температуры восстановления галогенидэ, а фжняя часть слоя - температуру, равную т мпературе испарения галогенида в испар теле, то есть по высоте слоя создается г адиент температуры, Пары галогенида, т анспартируемые потоком водорода из исс(57) Изобретение относится к способам плакирования порошкообразных материалов восстановлением легколетучих галогенидов металлов водородом в кипящем слое при совместной подаче паров галлогенида и водорода в нижнюю часть псевдоожиженного слоя. Предлагаемый способ позволяет увеличить скорость плакирования частиц за счет увеличения рабочих концентраций галогенида и выход металла в покрытие. Кроме того применение указанного способа позволяет стабилизировать процесс плакирования, устранив опасность зарастания вводного патрубка продуктами реакции, 1 табл,парителя, поступают в нижнюю часть слоя порошка, имеющая температуру равную температуре испарителя, сорбируются на поверхности порошка и вместе с порошком выносятся в верхнюю часть слоя, где происходит восстановление галогенида с образованием металлического покрытия на поверхности частиц, Продукты реакции по.током водорода выносятся из слоя, а циркулирующие в фонтанирующем слое частицы порошка возвращаются в нижнюю холодную часть слоя, Процесс повторяется.Проведение процесса в фонтанирующем слое обеспечивает циркуляцию частиц порока между холодной и горячей зонами слоя,Градиент температуры по высоте слоя обеспечивает оптимальные условия для сорбции исходных продуктов и их реагирования на поверхности плакируемых частиц, что в свою очередь позволяет увеличить ско1802752 Примеры конкретного выполнения Т-РаНианейчасти"С ВЕФонтан слоя ,Т-раиспарителя, ьс При- мер деполь зу"еичй га"логе нид Т"рв полного восстан.га" логенида С ОыходНе апокрыщтие,8 Скоростьосаадегнтя мегтеллакг/кг ч Составпокрытия Примечания Верхней части2 Т,Сотт-ры полного вос" станов пения;,превыат" ры Ю Раздельный ввод хлорида и водорода, Ь Наблпдается частичное звроствние Та патрубка вводе галогеннда. Ю Совместный ввод" НС 1-Н в нианао Я часть псевдооаиаенного слоя Но Совместный ввод Нес 1 т-Пнианве НО часть псевдооаиаенного слоя Та Совмеетный ввода,Твс 1 -Взниамее Та часть псевдооаиаенмого слоя+ Совместный ввод реагентов в ниамее ФЮС 1ТфСЬчасть сл. Процесс иарувится через30 мнн. вследствие зарастания патрубка авода продуктаии Р"ции 23 о 200 190 230 250 .20023 о 190 210 200 ис 1 а 2 Нзс 1 у 3 Тзс 11 ЮС 1 с 5 ЧС 1 ь 6 , Нос 1 7 НоС 1,8 ТвС 1 ТзС 1 Г 10 Пзс 1, 920,0788О,048, 70 0,03 7 оо 7 оо 650 ь 50 ООО ЕОО 230 800 250 840200715 230 780 190 880 210 960840 7 оо 650 800 100 , 0 100 0 100 0 И 14120 20110 , 1 О Л 2020 110 10 12020 1055 700 700 650 650800 еоо 650 220 920125 25 11ИоС 1 650 200 1 70, 0,03 Оо всех опытах плаиировалн поповок оксида циркония марки ПЦПСоставитель Н,ШейченкоТехред М.Моргентал Корректор М,Шароши Редактор Заказ 856 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 рость плакировэния (за счет увеличения. металла в покрытие,Если температура нижней части фонтанирующего слоя ниже температуры испарителя, возникает опасность зарастанияпатрубка ввода реагентов в слой сконденсировавшимися галогенидами, если выше -продуктами реакции,Если температура верхней части фонтанирующего слоя превышает температуру,необходимую для полного восстановлениягалогенида менее чем на 100 Д возникаетопасность засорения плакирующегь слоянизшими хлоридами и, как следствие, снижения выхода металла в покрытие; если более чем на 20 оД - возникает опасностьнарушения процесса фонтанированиявследствие "схватывания" свежеосажденного металла в конгломерат.Примеры конкретного выполненияпредставлены в таблице 1.Использование предлагаемого способапо сравнению с существующими обеспечивает следующие преимущества:Увеличение скорости образования покрытия с 0,07 до 0,3 кг/м.ч для ЧЧ; с 0,048 до 0,22 кг/кг,ч для Мо; с 0,0018 до 0,012кг/кг,ч для Та.Увеличение выхода металла в покрытие с 92 до 96;Д для Ю с 88 до 95% для5 МО И С 60 ф 6 дО 85076 дЛя Та.Исключение опасности нарушенияпроцесса вследствие зарастания патрубков ввода реагентов в слой,Формула и зоб рете н и я10Способ плакирования порошкообразных материалов тугоплавкими металлами,включающий испарение галогенидов соответствующих металлов, транспортировку15 пэров в псевдоожиженный слой плакируемого порошка, совместный ввод паров галогенида и газа восстановителя в нижнюючасть слоя, восстановление паров галогенида водородом, о т л и.ч а ю щ и й с я тем, чтр20 процесс проводят в фонтанирующем слое, апо высоте слоя поддерживают градиенттемпературы от температуры в нижней части слоя, равной температуре, при которойпроводят испарение галогенида, до темпе 25 ратуры в верхней части слоя нэ 10 - 20 о выше температуры полного восстановлениягалогенида,