Способ изготовления игольчатых автоэлектронныхэмиттеров

Номер патента: 1823714

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Клименков, Красницкий, Турцевич, Цыбулько

МПК: H01L 21/306

Метки: газовая, диэлектрических, селективного, слоев, смесь, сухого, травления

...содержания гептафторпропана в газовой смеси менее 15 об.;4 приводит к значительному снижению скорости и селективности травления диэлектрических слоев по отношению к нижележащему слою.Превышение содержания кислорода в смеси более 11 об.;4 приводит к снижению равномерности травления диэлектрических слоев и селективности по отношению к маскеи нижележащему слою.Снижение содержания кислорода в смеси менее 2,6 об.;, приводит к увеличению вероятности загрязнения поверхности нижележащего слоя из-за повышения соотношения С/Е в смеси.Использование заявляемой газовой смеси может быть проиллюстрировано на примере селективного реактивного ионноплазменного травления слоев двуокиси кремния, фосфоросиликатного стекла (ФСС), нитрида кремния,...

Номер патента: 1151594

Опубликовано: 23.04.1985

Авторы: Грицай, Гурский, Курмашев, Рябов, Тучковский

МПК: C09K 13/04, C23F 1/00

Метки: избирательного, меди, раствор, травления

...осуществления предложенного способа.В монелевое кольцо 1 (сплав никеля, железа, марганца и др.) методом запрессовки или развальцовки устанавливают медную пластину 2 толщиной 200-300 мкм. Затем проводят либо алмазное точение, либо полировку, обезжиривание и декапирование общей поверхности в водном растворе едкого натра с / -моноэтаноламином при =60-100 С 1-4 мин, промывают в проточной воде. Далее на отполированной общей поверхности (К 0,05) создают тонкий слой никеля толщиной 10-12 мкм электролитическим способом путем осаждения никеля из сернокислого электролита. Затем вновь промывают в проточной воде. Далее путем электрополировки или химической полировки доводят толщину пленки никеля до 6-8 мкм. Мембрану 3 покрывают органическим лаком....

Номер патента: 1421189

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Айвазов, Немой

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, поликремний-окисел, структур, травления

...37,5 Па.Выключают генератор и устанавливаютанодное напряжение, соответствующееЯудельной мощности разряда 0,12 Вт/см .Эту стадию процесса ведут в течениевремеиир определенного из аиалитйческого выражения, исходя иэ заданногоухода размера элементов относительномаски. В табл. 1 и 2 приведены даи"иые, обосновывающие выбор режимовтравления на каждой из стадий про"цесса,Определение коэффициентов Ы ипроизводят следующим образом.Поскольку зависимость Ч, от Бтр в режимах второй стадии определяетсявыражением Чр то графике Б+Ъзависимости 1/7(Б) представляет собой прямую линию, Из наклона прямой, построенной по экспериментальным данным для режима второй стадии, вычисляют величину ос, а значение 1 Ь - путем экстраполяции к значению Б.=...

Номер патента: 1534095

Опубликовано: 07.01.1990

Авторы: Ганиев, Грибановский, Ченцова, Щеглов

МПК: C23F 1/02

Метки: металлизированных, поверхностях, рисунков, травления

...аэросила,2 табл. ценки качества получаемогоизмеряют ширину штриха нана образцах и вычисляют велитравливания штриха по формуизмеряют величину неровностриха, Измерения проводяткопе шеорса с насадкой МОВ1534095 МДФ Аэросил 20-40 30-45 Таблица 1 45 1 О 45 40 45 30 35 50 20 30 60 35 20 30 35 Таблица,2 Максимальная ве- личина Времятравления на Качество рисунка Составкомпозиции Ширина Величина Ширинаштриха накопиях,мкм Неровностькрая, мкм максистравли- ваемого растравливания штрихаформы,мкм мальную глубину с слоямеди,мкм штриха,Х 0,3 10 0,5 0,4 0,5 0,7 0,7 0,5 0,7 0,8 1,1 30 0,5 1- 15 20 2,0 1,5 50 5,0 2 -3 50 5,0 830 20 Технико-экономическим преимуществом предлагаемого способа является повышение точности воспроизведения рисунка. Формула...

Номер патента: 1795985

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Ильченко, Тарасенко, Шевчук

МПК: C23F 1/02

Метки: металлов, раствор, силицидов, травления

...после каждого добавления следующего ингредиента. Растворение ведется при нормальных температурах и давлении. Перед применением раствору дают отстояться 55 не менее 1 ч и закрытой фторопластовой посуде, для достижения равномерности распределения ингредиентов в объеме раствора.Структуры Р-Мо 312-Т 1312 готовят электронно-лучевым раздельным напылением в фоторезисту вследствие ее дубящих свойств и повышения точности рисунка фотошаблона в результате равномерности травления; фтористоводородную кислоту - для перево да оксидов Т и 51 в летучие фториды; воду -для повышения растворения образующихся гетерополикислот молибдена и фосфатов Мо и Т 1, а также для снижения скорости реакции травления до контролируемой.10 Сущность предложенного...