Способ выращивания высших базидиальных грибов

Номер патента: 1692372

Авторы: Федоров, Федорова

ZIP архив

Текст

(19)01 6 1/04 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ВЫСШИХБАЗИДИАЛ Ь Н ЫХ ГРИ БОВ(57) Изобретение относится к биотехнологии, в частности к способам выращиваниябазидиальных грибов, и может быть использовано для получения плодовых тел на плотИзобретение относится к биотехноло-. гии, в частности к способам выращивания высших баэидиальных грибов, и может быть использовано для получения плодовых тел на плотных субстратах.Целью изобретения является снижение загрязнения субстрата микрофлорой.П р и м е р. Вносят субстрат в емкость для культивирования, инокулируют субстрат мицелием высших базидиальных грибов рода Реоготоз, Всего при выращивании в соответствии с известным способом используют 50 емкостей и по 50 емкостей в двух повторностях согласно предлагаемому способу,Проращивают мицелий до образования на поверхности субстрата мицелиальных колоний размером 5 мм (1-й вариант) и перфорируют стенки емкости для культивирования по центру мицелиальной колонии. ных субстратах. Целью изобретения я вляется снижение загрязнения субстрата микрофлорой. Поставленная цель достигается тем, что заполненные субстратом емкости для культивирования инокулируют мицелием гриба и проращивают его до появления на поверхности субстрата колоний мицелия. После этого проводят перфорацию емкостей в местах расположения поверхностных колоний мицелия по их центру. Способ позволяет в 2 - 3,5 раза уменьшить зараженность емкостей посторонней микрофлорой при увеличении урожая грибов на 10 - 120 Д.1 табл,Диаметр отверстий 1 - 2 мм. Данные, иллюстрирующие процесс выращивания высших базидиальных грибов по известному способу и предлагаемому способам, приведены в О таблице, ОКак видно иэ таблицы, количество емко- Я стей, зараженных посторонней микрофло- (,Д рой, уменьшается от 14 на контроле до 6, что более чем в два раза ниже, чем по известно-р му способу.Вносятсубстрат в емкостьдля культивирования, инокулируют субстрат мицелием высших базидиальных грибов рода Реогоцз,.проращивают мицелий до образования на поверхности субстрата мицелиальных колоний размером 10 мм (2-й вариант) и перфорируют стенки емкости для культивирования по центру мицелиальной колонии. Диаметр отверстий 1 - 2 мм (таблица).1692372 азатвль Известный способ Перваящее количество емкостей 50 ичество загряз нных емкостей ие,щая Общее количест емкостей оличество заг ненных емхост редний показ агрязнения и м повторност Полученныи ур плцдоаых теЛ,Составитель С. КуваеваРедактор А. Гратилло Техред М,Моргентал Корректор аз 4018 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ С113035, Москва; Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с известным позволяет в 2- 3,5 раза уменьшить количество бракованных емкостей при выращивании высших базидиальных грибов на плотных субстратах. При этом урожай плодовых тел увеличивается на 10-12.Формула изобретен ия Способ выращивания высших баэидиальных грибов, включающий заполнение субстратом емкости для культивирования, инокуляцию субстрата мицелием гриба, проращивание мицелия и перФорирование стенок емкости для культивирования, о т л и ч а ю щ и й с я тем. что, с целью снижениязагрязнения субстрата микроФлорой, перФорирование осуществляют путем образо, вания отверстий в местах выхода колониймицелия на поверхность субстрата по их 10 центру.

Смотреть

Заявка

4722106, 24.07.1989

ИНСТИТУТ БОТАНИКИ ИМ. Н. Г. ХОЛОДНОГО

ФЕДОРОВ ОЛЕГ АРКАДЬЕВИЧ, ФЕДОРОВА МАРИНА ЮРЬЕВНА

МПК / Метки

МПК: A01G 1/04

Метки: базидиальных, выращивания, высших, грибов

Опубликовано: 23.11.1991

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1692372-sposob-vyrashhivaniya-vysshikh-bazidialnykh-gribov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания высших базидиальных грибов</a>

Похожие патенты