155965

Номер патента: 457020

Опубликовано: 15.01.1975

Авторы: Бережной, Бокатий, Гончаров, Даньшин, Кононенко, Миллер, Подопригора, Шаповалов

МПК: G01N 25/02

Метки: зоне, конвейерной, обжига, окатышей, поверхности, слоя, состояния

...и рег 2ламентируется технологической картой в зависимости от типа концентрата, заданной основности и типа флюсующих добавок, При существующих способах контроля невозможно получать объективную информацию о состоянии поверхности слоя в зоне обжига, что затрудняет ведение процесса в оптимальном режиме.Предлагаемый способ контроля состояния поверхности слоя окатышей в зоне обжига основан на одновременном измерении и сравнении температуры газов под слоем и радиационной температуры слоя, что повышает производительность установки и обеспечивает получение окатышей высокого качества.Истинная температура материала определяется по формуле457020 Тн=Т,+ЛТ,Составитель С. Беловодченко Техред Г. Дворина Корректор Т. Добровольская Редактор Л. Тюрина...

Номер патента: 130556

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Данина, Курсацова, Родин, Родина

МПК: H01C 17/10

Метки: двуокиси, керамики, поверхности, проводящего, слоя, титана

...-ЗхЗ мл;), которая служит для частичного отвода зарядов, образующихся на поверхности керамики при поступлении на нее ионов, Примененцетакой сетки способстьует ускорению процесса образования проводящегослоя и обеспечивает ббльшую его однородность. Сетка должна быть изготовлена из материала, который подвергается минимальному распылению в условиях газового разряда 1 наприме 1 з из молибдена). В результате такой обработки на поверхности керамики образуется слой толщиной менее 1 11 к, обладающиизначительной электропроводостью,Слой имеет бархатисточерный цвет н состоит преимущественно пз гидридов титана,Толщина проводящего слоя может регулироватьсяловий разряда, При малых плотностях тока разряда и хо, До 1 ЗЯ 56получается тонкий резко...

Номер патента: 513575

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Марончук, Пухов, Сушко

МПК: H01L 21/20

Метки: кремнием, легированных, поверхности, слоев, эпитаксиальных

...легированнь ченных методом жидкос личаюшийс яте ворения избыточного кр шают в,раствор-расплав 3-10 вес. % алюминия галлия при 800-850 С рхностих кремнитной эпи итаксиальм, полуксии о т м, что,емния,, содери 90-9 елью р омеес, % в течение Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных р-и структур на основе арсенида галлия, предназначенных для изготовления ИК-светодиодов. 5Известен способ получения р-и структур из ограниченног раствора-расплава, Использование этого способа при получении сильно легированных кремнием эпитаксиальных слоев приводит к образованию на поверхности слоевО арсенида галлия дентритов кремния.Целью изобретения является получение р-п структур арсенида галлия...

Номер патента: 1094047

Опубликовано: 23.05.1984

Авторы: Квичев, Попов, Руденко, Рычка, Стариков

МПК: G09B 19/24

Метки: навыкам, обрабатываемой, обучения, поверхности, путем, слоя, снятия

...правильности движений обучаемого, имеющий электрически соединенные через конечные выключатели 5 сигнальные лампы (не показаны).Устройство снабжено электродвигателем 6 и имитатором процесса искрения при шлифовании. Имитатор искрения состоит из установленной над плитой 4 пластины 7, связанной с корпусом 1 рабочего инструмента через пружину 8, и размещенного на пластине 7 под рабочим органом 2 твердо- сплавного вкладыша 9.Регистратор правильности движений име- . ет установленные в плите 4, которая выполняется из немагнитного материала, герконы 10 и закрепленный на пластине 7 над плитой 4 магнит 11. Герконы 10 расположены рассредоточено по плите 4, т. е, на некотором расстоянии один от другого, и электрически соединены с конечными...

Номер патента: 131338

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Вышемирский, Рострипенко

МПК: B01D 25/28

Метки: осадка, поверхности, промывки, слоя, фильтрующей

...сбразозанных из двух примыкающих отверстиями одна к другой открытых трубок, по одчой из которых поступает промызная жидкость, а по другой - сжатый всздух,Устрой-тзо не подвержено засорению и т м самым обеспечивает бесперебойную промызку осадка.На фиг. 1 и"ображено устройстзо в применении к промывке осадка на фильтЗчюшей поверхности гярабана, вид спереди; на фиг. 2 - то же, вид сбоку; на фиг. 3 - час-чный поперечный разрез по трубкам, образующим пульверизатор.По оое стороны барабана 1 (фит. 2) расположены пульверизаторы 2, промывающие осадок на фильтруюшей п ззезхности барабана, Каждый пульверизатор состоит из трубок 3 и 4 (фиг. 3), причем по трубке о 1 остчпает сжатый воздух, а по трубке 4 - промызная жидкость. Трубки 3...