154110
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 154110
Текст
Класс 6 05 г; 42 ц, 3 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная групгга .Ч 17 о фогельсон ОСТИКОВАЯ СХЕМА С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ТРИОДО В ОДНОМ ИЗ ПЛЕЧ В КАЧЕСТВЕ ТЕРМОДАТЧИКА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ И РЕГУЛИРОВАНИЯ ТЕМП ЕРАТУРЫЗаявлено 14 мая 1962 г. за % 77834 в Комитет по делам изобретений и открытий при С Опубликовано в Бюллетене изобретений и товарных 8,26-24свете Министров СССР знаков М В за 1963 г. В известных мостиковых схемах с полупроводниковым триодом в одном из плеч в качестве термодатчика дня измерения и регулирования температуры из-за относительной нестабильности обратных характеристик триодов не удается получить измерения температуры с достаточной точностью.Предложенная мостиковая схема отличается от известных тем, что эмиттерный переход триода включен в прямом направлении относительно питающего напряжения, а коллектор подключен к запирающему источнику смещения. Это обеспечивает повышение стабильности и чувствительности схемы.На чертеже изображена предложенная мостиковая схема.В качестве термодатчика применяется полупроводниковый триод Т, включенный в одно из плеч мостиковой схемы, остальные три плеча которой представляют собой сопротивления Я Р-., Яа.На коллектор подается запирающее напряжение, а черезпропускается определенный ток, имеющий направление, совпа с направлением прямого тока данного типа триода.Эмиттерные характеристики весьма чувствительны к температуре. Поэтому эмиттерный переход включен в одну из диагоналей мостиковой схемы. Параметры моста зависят от температуры и типа триода. Выходной сигнал 0 а снимается с его диагонали.Чувствительность этой схемы к температуре достигает 2 - 3 мв/1. При этом относительное изменение сопротивления может достигать веэмиттер дающее,иин, блиЗких к Оесконеп 10 стн.,сл 51 соп 1)Отивления ПО)5 дкс десятков 0. ПЗ)1 снени 51 хогут;остигсть неско,ы(их тыс 5 НрО)ентов ня 1 . При 310 М, ОДНЯКО, СНИЖс 1(,ТС 51 СОН)ОТНВГ( НИЕ З(ИТ(.рс. 13 ЕНЕН 1 С рСЖИХ 3 РЗООТЫ, ТЕ)НС)сТХ 1)Н 111 ДнснЗЗОН, И 3 ХЕ)СПИ С И )ЕГ(ЛП РОББИНС ТСМНЕ)ст)1)Ы ОССШССТВЛ 51 ОТС 51 ИЗенениСХ ТОКЗ ЭЪИГтсре Т;)ИО;с. ЗбнгЬ- ность схсхь ИО Отно 1 ению к няпряженн 0 нс кол еет 01)с с 10, в-ион естабильность 0 зквнвя;ентно 0,1". 1)гвсГител.нос 1, к ИЯГр 5)ксниО х 1 е н 51 ет с 51 и 3 я и и с и х 0 с т и ОГя н р я )к си и 51 н я 3 )1 и т Ге ) с. 11 ,) и н я н 1 р;1 ж (. н н и(7ТСХПЕ)с) )Е ОНО рЗБНО 26 Лсг), СХЕ 1;: НЕувств)ТСЬНЗ и ИаирЖСНИЮ оста. П)и ннр 5 жсннн нз эхиГС)е, рзВПОм нтю, кОГда е)не)срГЯ 51 х ВсВителыОсть бли 31(абсс конечности, чахенснис н зноя жсн 51 ХОС Т с 1Я 1 ЮО Э 1( В Н В с 1,С 1 Н и О, 1 ".Б р Е Х С Н с я 5 (. с б Н ГЬ Н ) (. Г Ь Г 1) И од сЫ Х Г (. р 310 д с Т 1 И К 0 В Н и )1 Н 0 Г 0 П 0я д- КОН свЫНС ЧС) СТ 01 ЛЬНО(ТЬ НОГ) НР(ВОПИКОВЫХ ТП;) ОБ В СБ 5 ЗИ С ПЗ НИХ Р 3 00 П 131 Н си) ЯЖ(Н П (М Н с Е(Х сСИТО/) Е П НСН(, ,Ов) Н Н(Х Дгс)1 Н: )1(- )( НИ 51)(:ГХ ЛИ)ОВЯ 1 И 5 3 3 Н ГС, эио ООГ 1 С(. (." Яб 1;ЬНЬ Х 0 (.р сВ(. НО (0) с 1 ТЬ Х И) 51 КЫХ лс ) с 1 КТ",.)1 с 1 и)ИОД;и.1 РЕ)ГагсСХ 35 СХЕ)Я П 03 ВО)15(.Т Б П ПРОХ Днс(ис,30 Н( Е(ИЕРЯ ГУР от - 200 до +250) для вынхскае)1 х Б настяПс( время триодов ос(ГН С С Т ВЛ 51 Т Ь Т 0 Н О С И С Г:1 О ИЛ Ь Н 0 С 1) Е ГХ Л Н ) 0 В с Н И С П 1(3 Х С ) Е Н И ЕС М Н С ) с ) - )Ы. Ос 1 ООГс 1 Дс 1 ЕТ 13 КО 1(рн(ОсЬО103 ВОГ(Е 1013 ВО:Т измерения днстанцюнно Предмет изооретеиия МОС)ИЛОБЯЯ СХС)с С НОЛМНРСВОДНИК(ВЫХ Г)ПОДОХ и ОДНОМ 3 НГСЧ В КЗЧЕСТВС ТЕрХ 10 дс 1(1 НКЯ ДГ 5 И 3)С/)СНН 5 Н СЛировсНИЯ Т(ХНС)ЗТМ- рЫ, 0 Т Г Ис 1 10 Н я 5 С 51 ТСХ, ТО, " НЕ, Ь 0 НОВЫНЕНИ 51 СтсбиЛЫОСТИ (Х ВС ГБНГЕ 1 ЬНОСТИ, 3 М ИТТЕр Н Ы Н(0 СХОД Т)1 ОДс БКГ ОЕн Б П) Я )0) НЯН)с БЛЕНн ОТНОСИ (Х 1 Ь:О ПИГЗ Он С 0 Н с Н) ЯЯ(Сии 5, и КО.(иОП НОДКЛ ЮЧ ( Н К 3 с П П ) с) О НЕ )М Н С 1 0 Н И К У)( Н П. Н Н 5. ехред А. Л. Камышникова Ко 1 едактор Г. Ч ктор В, П. Фомина- Я г с т)(.В1.о)д(.35( ивооретени(ерова, .(. 4 Ооъс)( П,ЬЦена 4 к( и. и сткр и(1 С(Сц
СмотретьЗаявка
778348
МПК / Метки
МПК: G05D 23/19
Метки: 154110
Опубликовано: 01.01.1963
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-154110-154110.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">154110</a>
Способ определения температуры электроннодырочного перехода
Номер патента: 494628
Опубликовано: 05.12.1975
Автор: Пак
МПК: G01K 7/08
Метки: перехода, температуры, электроннодырочного
...ло цалряжеетшо лазичообразовая, линейно зависящему от темпера. туры во всем диапазоне рабочцх температур.Температура р - п-перехода определяется з конце импульса обратного тока, точнее,в момент спада тока лри воздействии импульсов практически любой длительности, в том числе .короче 100 мк сек, не лрибегая к использованию вспомогательного тока. Таким образом, измерение производят в момент, когда 3 яжение лавинообразовання температуре 1), 494628У - напряжение лавинообразаванияпрн температуре 1.Подавая на исследуемый прибор импульс обратного тока, после воздействия, которого необходимо определить темлературу р - г-перехода, фиксируют с помощью двухлучевого осциллографа одновременно импульс тока (фиг, 2, в) и импульс напряжения (фиг. 2,...
Способ и устройство для определения температуры сегнетоэлектрического перехода
Номер патента: 585431
Опубликовано: 25.12.1977
Автор: Заметин
МПК: G01N 21/00
Метки: перехода, сегнетоэлектрического, температуры
...температуры фанового перехода как в объеме образцатак и в тонком слое на его поверхности. Объясняется это тем, что приизмерении глубины модуляции прошедшегочерез образец потока излучения, в 6процессе модуляции участвует весьобъем находящегося на пути потокаизлучения вещества, т. . измеряетсятемпература, Фазового перехода объема.Прй измерении же глубины модуляции 1отраженного потока излучения в процессе модуляции участвует (взаимодействует со светом) лишь поверхностный слой, причем толщина слоя с 11(глубина проникновения потока электраглагнитного излучение в вещество)зависит от длины волны падающего потока излучения как д= + (см), гдесс - коэффициент поглощейия. Так каког.(оэ)может изгленяться от единиц довеличин порядка 10 см , то и...
Устройство для измерения температуры р перехода биполярных транзисторов
Номер патента: 1335820
Опубликовано: 07.09.1987
Авторы: Лихницкий, Сухоручкин
МПК: G01K 11/00, G01K 3/00, G01K 7/01
Метки: биполярных, перехода, температуры, транзисторов
...источник погрешности измерений.10 15 20 25 30 35 40 45 50 При выборе напряжения источника 8, равным падению напряжения на переходе оаза-эмиттер транзистора 1 с равным нулю падением напряжения на сопротивлении базовой цепи, сопротивление двухполюсника принимает значение, равное по модулю и противоположное по знаку сопротивлению базовой цепи контролируемого транзистора 1.Для достижения равенства напряжения генератора 8 напряжению на переходе базаэмиттер транзистора 1 с равным нулю падением напряжения на сопротивлении базовой цепи в качестве генератора 8 используют напряжение база-эмиттер другого вспомогательного транзистора 9, включенного по схеме (фиг. 2), в режиме, соответствующем начальному режиму контролируемого транзистора, т.е. в...
Способ определения критической температуры фазового перехода жидкость-пар
Номер патента: 1404913
Опубликовано: 23.06.1988
Авторы: Скрипов, Чепиков, Шутов
МПК: G01N 25/12
Метки: жидкость-пар, критической, перехода, температуры, фазового
...к измерительной технике, а именно к определению критической температуры фазовогоперехода жидкость - пар.Целью изобретения является повышение,точности измеряемой критическойтемпературы фазового перехода жидкость - пар,На чертеже приведена схема осущест 10вления способа.Ампула 1 с исследуемой жидкостьюпомещается в маятниковый подвес 2 иподвергается нагреванию в термостате 3. Ампула совершает периодическиеколебания в вертикальной плоскостимежду источником 4 света и фотодатчиком 5. В момент, когда ампула закрывает от источника света. фотодатчик,сигнал с последнего подается черездифференциальный каскад 6 на обмоткуэлектромагнита 7 и на блок 8 измерения периода колебаний.Импульсное магнитное поле от элек-.тромагнита 6 приводит к...
Способ определения смещения температуры вязкохрупкого перехода при разрушении
Номер патента: 1460659
Опубликовано: 23.02.1989
Авторы: Андренко, Караев, Кузьмин, Попов, Сугирбеков, Щукина
МПК: G01N 3/00
Метки: вязкохрупкого, перехода, разрушении, смещения, температуры
...температуру испытаний до значения Т соответствующего образованию излома, удовлетворяющего указанному условиюи за температуру Т принимают значение Т. При испытании образцов второй группы также определяют полную работу А разрушения и работу Ад вязкого распространения трещины и определяют значение С параметра трещинообразования при температуре Жщ.Затем испытывают образцы материала после эксплуатации (образцы третьей группы). Испытания ведут при температурах.Т, удовлетворяющих условию Т ) Т регистрируют полную работу А разрушения и работу Ав вязкого распространения трещины в охрупченном при эксплуатации материале, определяют значение температуры, при которой А /А = С и ее принимают за температуру То вязкохрупкого перехода материала...
Предыдущий патент: 154109
Следующий патент: 154111
Случайный патент: Способ получения лимонен-7-карбинола