Имитатор дисбаланса полумоста
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1532878
Автор: Шевчук
Текст
(504001 Н 1 ь".ХАЗЫН 1: . ь Б.Ь.1 Г ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ 1(56) Малиновский В.Н. Цифровые измерительные мосты. М.:Энергия, 1976, с.96.Труды ЦАГИ, 1981, вып.2105, с,75. (54) ИМИТАТОР ДИСБАЛАНСА ПОЛУМОСТА (57) Изобретение относится к электро измерительной технике и может быть использовано для имитации сигналов полумостовых тензорезисторных датчиков в тензометрии при калибровке измерительных приборов. Цель изобретения - повышение точности заданияимитатором сигнала дисбаланса полумоста - достигается в результатеуменьшения погрешности коммутирующего элемента шунта, Имитатор дисбаланса полумоста содержит полумост 1,включенный в цепь многопроводной схемы, шунт 2, соединенный одним выводом со средней клеммой полумоста, авторым выводом - с коммутирующим элементом 3, резистор 4. В предложенномустройстве падение напряжения на до"полннтельном резисторе используетсядля получения возможности увеличениясопротивления шунтирующей цепи. 1 ил.1532878 Лно так как имеем 2 г 2 гО Во+ В 1Во+ В 1+ Вш где В,ВоИзобретение относится к электроиз мерительной технике и может быть использовано для имитации сигналов полумостовых тензорезисторных датчиков в тензометрии при калибровке измерительных приборов.Цель изобретения - повышение точности задания имитатором сигнала дисбаланса полумоста за счет уменьшения 10 погрешности коммутирующего элемента шунта.На чертеже представлена структурная схема имитатора дисбаланса полу- моста. 15Схема содержит полумост 1, включенный в цепь по многопроводной схеме, шунт 2, соединенный одним выводом со средней клеммой полумоста, а вторым выводом - с коммутирующим зле,". 20 ментом 3резистор 4, соединенный од,ним выводом с крайней клеммой полу- моста последовательно выводному проводнику, другим - с вторым выводом коммутирующего элемента 3. 25Имитатор работает следующим образом.Включают имитатор в измерительную цепь с использованием токовых и потенциальных выводных проводников. 30 Функционирование имитатора основано на использовании падения напряжения на вновь введенном резисторе 4 с возможностью увеличения сопротивленияшунтирующей цепи.В идеальном случае (при г = О) имеем систему уравнений: шВаЯ+И= ТВ.шВ 1+ оВо+ Воо+ а решая которую относительно выходного напряжения имитатора, получим 50 сопротивление резистора 4; сопротивление образцового. резистора полумоста;сопротивление шунта;сопротивление соединительного провода и коммутирую 55 щего элемента шунта;напряжение питания полумос- тав- выходное напряжение имитатора;Т - ток имитатора;токи образцового резистора и нунта соответственно.В реальном случае (г0) выходное напряжение имитатора равно+ Во+ ВЦ Е В+ В,+ 2 Вм+ 2 г иа относительная погрешность равна 2 В = Е- В + В),В О+В+ - -Во+В 1) Во В 1) К Положительный эффект реализуется также и при установке дополнительно" го резистора в токовый выводной проводник полумоста.Для конкретных значений тензомет рии при В= 200 Ом, Во =- 100 Ом, У/Е =" 0,002, г = 70 Ом 2 708 = ------ 0,002 100%1 00+200= 0,09%,что в 3 раза меньше, чем у прототипа,Формула и з о б р е т ения Имитатор дисбаланса полумоста, включенный в измерительную цепь по многопроводной схеме, содержащийшунт, соединенный первым выводом со средней клеммой полумоста,и вторым выводом - с коммутирующим элементом, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности, в него введен резистор, соединенный последовательно с выводным проводником, при этом первый вывод резистора соединен с одной из клемм полумоста, а второй вывод - с вторым выводом коммутирующего элемента.
СмотретьЗаявка
4234078, 22.04.1987
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4903
ШЕВЧУК ВЯЧЕСЛАВ ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 17/00
Метки: дисбаланса, имитатор, полумоста
Опубликовано: 30.12.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1532878-imitator-disbalansa-polumosta.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Имитатор дисбаланса полумоста</a>
Способ люминесцентного определения редкоземельных элементов в соединениях галлия
Номер патента: 977393
Опубликовано: 30.11.1982
Авторы: Антонов, Илькова, Стоколяс, Штенке
МПК: C01F 17/00
Метки: галлия, люминесцентного, редкоземельных, соединениях, элементов
...ведет к положительному г"- Ьаулатату и отноиениелюм. РЭ 3блюм.осн. остается малой величиной (табл. 1).Влиянне тЕМпературы кристаллофосфора на интенсивность люминесценции РЗЭ и основы (галлий-гадалйниевый гранат).Влияние температуры кристалЛофосфоров на основе галлий-гадолиниевопограната на пределы обнаруже ния РЗЭ представлены в табл.,2.П р и м е р 1, Образец кристаллофосфора галлий-гадолиниевого гра ната помещают в кювету с кварцевым окном, возбуждают люминесценцию излучением искры от вольфрамовых электродов в искровом фосфороскопе, спектры люминесценции регистрируют в режиме послесвечения через 2 10-"с.после прекращения возбуждения монохроматором МДРс ФЭУв области длин волн для праэеодима 480-495.нм, тербия - 360-390 нм, европия -...
Способ определения редкоземельных элементов в соединениях галия и иттрия
Номер патента: 990668
Опубликовано: 23.01.1983
Авторы: Антонов, Штенке, Шульгин
МПК: C01F 17/00
Метки: галия, иттрия, редкоземельных, соединениях, элементов
...соотношение компонентов кристаллофосфора, мас. 3; окись 20 галлия 50-66; окись иттрия 34-501 окись тербия 0,00001-0,02 у окись празеодима 0,00001-0,02 у окись европия 0,00001-0,02. Изменениепроцентного содержания основных компонентов оксида галлия и оксида иттрия от оптимальных приводит к ухудшению преде" лов обнаружения РЗЭ в 2-10 раз. Иэ данных табл. 1 следует, что при содержании РЗЭ выев указанных пределов наблюдается концентрационное гашение и нарушается линейная зависимость между интенсивностью люминесценции и концентрацией РЗЭ, при содержании РЗЭ менее указанных пределов интенсивность люминесценции снижается, что нв позволяет устойчиво зарегистрировать ее на используемом оборудовании.При тВмпвратурах прокаливания ниже 1350 С...
Способ определения редкоземельных элементов в соединениях галлия
Номер патента: 990669
Опубликовано: 23.01.1983
Авторы: Антонов, Хасанова, Штенке, Шульгин
МПК: C01F 17/00
Метки: галлия, редкоземельных, соединениях, элементов
...соатношение компонентов кристаллофоСфора, мас. Ъ окисьгаллия 95-97; хлористый натрий 2,984-99998 у окись тербия 0,00001-0,01 у.окись диспрозия 0,00001-0,01. 35Из табл.2 видно, что при содержаниях РЗЭ выше укаэанных наблюдаетсяконцентрационное гашение и нарушается линейная зависимость между интенсивностью люминесценции и концентрацией РЗЭ; люминесценцию РЗЭ при содержаниях, менее указанных, невозможно устойчиво зарегистрировать на используемом оборудовании.П р и м е р 1300 мг окиси галлия помещают в платиновый тигель,.приливают 1,6 мл 13-ного водногораствора хлористого натрия и добавляют по 0,03 мл солянокислых растворовтербия и диспрбзия концентрацией10 мкг/мл по окиси, перемещают стеклянной. палочкой и упаривают досуха.Сухой продукт...
Имитатор участка регенерации проводной линии
Номер патента: 1127099
Опубликовано: 30.11.1984
Авторы: Воробиенко, Сердюк
МПК: H04B 3/40
Метки: имитатор, линии, проводной, регенерации, участка
...имитации переходных помех.Цель изобретения - повышение достоверности имитации переходных помех путем учета колебательного характера переходных влияний на ближнем конце проводной линии.Цель достигается тем, что в имитаторе участка регенерации проводной линии, содержащем первый четырехполюсник, имитирующий переходное влияние на ближнем конце проводной линии, и последовательно соединенные второй четырехполюсник, ими"тирующий передачу проводной линии,и симметрирующий блок, ко входу кото.рого подключен выход первого четырех 50полюсника, имитирующего переходноевлияние на ближнем конце проводнойлинии, первый четырехполюсник, имитирующий переходное влияние наближнем конце проводной линии, содержит удлинитель и...
Способ изготовления проводящего элемента резисторов
Номер патента: 538430
Опубликовано: 05.12.1976
МПК: H01C 17/30
Метки: проводящего, резисторов, элемента
...1. 2 о многократно корректиров овка объемных элементов за достигаемому результат способ изготовления пр тора, при котором в ф исходного материала фенолфурфуролформал подвергают термообраб такой температуре ук полупроводником со зн коэффициентом сопрот пользовать полученньй резисторах 2.Однако получаемые538430 3ким свойствам пирополимер фенолфурфуролформальдегидной смолы без дальнейшей термообработки может стать рабочим элементом переменногорезистора,По предлагаемому способу, с целью полученияпроводящих элементов объемных переменных низкоомных резисторов, имеющих высокую стабиль.ность характеристик, указанную термообработкуведут в интервале температур 850 - 1200 оС, причемконечную температуру выбирают в зависимости от 1 Ожелаемой величины...
Предыдущий патент: Способ количественного определения полипептидных компонентов средней молекулярной массы в крови
Следующий патент: Цифровой кондуктометрический мост
Случайный патент: Механизированная посадка лав при помощи канатов и лебедки