Способ записи информации в монокристалле linbo

Номер патента: 1451766

Опубликовано: 15.01.1989

Авторы: Звездин, Зюбин, Курбатова, Филатов, Четкин

МПК: G11C 11/14

Метки: записи, информации, магнитооптический, транспарант

...1 позициями обозначены доменосодержащий магниточувствительный слой 1, например пластина ортоферрита иттрия, постоянные магниты 2 и 3, катушка 4 индуктивности, токовые петли 5 и 6, единственная доменная стенка 7.В исходном состоянии в отсутствии токов в катушке 4 и в токовых петлях 5 и 6 постоянные магниты 2 и 3, создающие градиентное магнитное поле, формируют единственную доменную стенку 7 в пластине ортоферрита, которая разделяет две области с противоположными направлениями векторов намагниченности. Положение доменной стенки строго определено в том месте, где магнитное поле равно нулю.Если в катушку 4 подать ток, то созданное им внешнее магнитное поле будет увеличивать область с направлением вектора намагниченности вдоль поля и...

Номер патента: 568079

Опубликовано: 05.08.1977

Авторы: Диденко, Карнаух, Конарев, Полященко, Ручинский, Шандрин

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, информации, накопитель

...блока контроля времени записи соединен с одним из выходовадресного коммутатора, а выходы блокаконтроля времени записи подключены соответственно к управляющему входу генерато-ра и выходу устройства.Тем самым обесгечивается подача нкаждый элемент памяти только того количества импульсов, которое необходимо для Мданного элемента, т. е, повышается надежность устройства и сокращается время записиНа чертеже изображена блок схема предложенного устройства,Устройство ддя записи информации в накс.,5питель содеркит генератор 1, адресный коммутатор 2, ключевые элементы записи 3и считывания 4, подключенные ко входу 5устройства, усилители считывания 6, блокконтроля уровня записи 7, блок контроля вре-мени записи 8Входы блока 7...

Номер патента: 1264237

Опубликовано: 15.10.1986

Автор: Андреев

МПК: G11B 7/085

Метки: записи, излучения, информации, лазерного, модуляции

...17 сформированные из них стробирующие импульсы, вызывая замыканиеэлектронного ключа 14 пикового детектора 13, В момент их прихода конден 237 2сатор 15 быстро заряжается через низ кое выходное сопротивление предварительного усилителя 12 до напряжения, равного амплитуде измеряемых импульсов. После окончания светового импульса усилитель-ограничитель 17 размыкает электронный ключ 14 и конденсатор 15 очень медленно разряжается через большое входное сопротивление буферного усилителя 16, настолько медленно, что уровень напряжения на конденсаторе 15, а значит, н на выходе буферного усилителя остается постоянным д появления следующего светового импульса.Таким образом, на выходе пикового детектора 13 подцерживается постоянное...

Номер патента: 368579

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Макарычев, Миколайтис, Юцис

МПК: G03G 13/04, G06K 13/04

Метки: записи, информации, электрофотографической

...2 осаждающихся на слой из газового промежутка, что,соответствует разряжению фотополупроводникового слоя.Основываясь на существовании критической напряженности поля, при которой коэффициент накопления заряда равен единице, предложен следующий способ записи информации. Фотополупроводниковый слой заряжают, например, коронным разрядом до потенциала, при котором напряженность поля в слое Еф,) Е,. Далее, приложив к проводящим подложкам диэлектрического и фотополупроводникового слоев напряжение,;величина которого равна потенциалу, до которого заряжен слой, чтобы предотвратить возникновение разряда при сближении слоев, производят сближение слоев до некоторого зазора, величина которого выбрана так, что определяющим механизмом переноса заряда...

Номер патента: 561929

Опубликовано: 15.06.1977

Авторы: Макарычев, Миколайтис

МПК: G03G 13/22

Метки: записи, информации, электрофотографической

...например16 цинкооксидного слоя, на диэлектрическии слоис проводящим покрытием (например, термопластическую пленку). Фотополупроводниковую пластину, обладающую устоичивой проводимостью в проэкспонированных местах, зазем 2 О ляют, равномерно заряжают и экспонируют.Далее на проводящую подложку диэлектрического слоя подают напряжение того же знака,что и заряд на фотополуyроводнике. Величинуэтого напряжения выбирают такой, чтобы не25 произошло пробоя воздушного промежутка взаряженных и незаряженных местах фотополупроводникового слоя во время сближениядиэлектрического и фото полупроводниковогослоев. 11 осле подачи напряжения на проводяЗО щую основу диэлектрического слоя пластинысближают до непосредственного контакта,561929 Составитель В....