Способ получения искусственного бархата

Номер патента: 1353653

Опубликовано: 23.11.1987

Авторы: Ермаков, Жуков

МПК: B29C 71/04, B29D 7/01

Метки: коронным, пленки, поверхности, полиэтиленовой, разрядом

...электродов длиной до 2 м состав. ляет не менее +-0,3 мм. Это приводит к тому, что при отсутствии механизма настройки для регулирования межэлектродного зазора а колеолется в широких пределах минимальное его значение, которое отличается от максимального на 0,6 мм.В связи с этим теряется возможность работы на оптимальном расстоянии между электродами, которое является индивидуальным для конкретной толщины пленки 14 и не 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 51 превыв:,ает 2 мм. Чем стабильнее поддерживается это оптимальное расстояние, тем меньше вероятность пробоя или снижения качества активирования и тем меньше процент брака в выпускаемых изделиях.При получении полиэтиленовых мешков с односторонни: рисунком необходимо активировать 30 - 35 Я...

Номер патента: 468200

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Лысый, Штельмахов

МПК: G01R 33/00

Метки: анизотропии, длине, магнитных, пленок, поля, тонких, цилиндрических

...намагничиваюшего поля.Если кривую намагничивания вдоль трудной оси представить в виде ломаной линии, первый участок которой проходит через начало координат под некоторым углом, а второй параллелен оси абсцисс, то пересечение обоих участков происходит в точке с координатами, соответствующими полю анизотропии (Нк) и индукции насыщения (ЬС),При воздействии на участке пленки синусоидального намагничивания поля индукции в пленке будет изменяться по гармоническому закону только на линейном участке кривой намагничивания. На втором участке кривой в ее составе появляются нечетные высшие составляющие, из которых максимальной амплитудой обладает третья гармоника. В составе вторичной, д. с, намагничиваюшего тока также повляются гармонические...

Номер патента: 1093995

Опубликовано: 23.05.1984

Автор: Силантьев

МПК: G01R 33/02

Метки: анизотропии, доменосодержащих, магнитоодноосной, напряженности, пленках, поля

...преобразователя подключен к второму входу второго регистра, выход усилителя подключен к .второму входу усилителя мощности, второй выход второго аналого-цифрового преобразователя соединен с вторым входом четвертого регистра, выход формирователя импульсов подключен к вторым входам первого и второ-. го блоков И, первый и второй выходы блока управления - соответственно к входу генератора пилообразного напряжения и к входу генератора тока, первый и второй входы блока индикации соединены с выходаьы соответственно первого и второго блоков И, а первый и второй входи регистратора соответственно с выходом усилителя н выходом нормирующего усилителя,На чертеже приведена структурная схема, поясняющая работу устройстга.Устройство для...

Номер патента: 1765847

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: анизотропии, магнитного, магнитной, одноосной, пленке, поля, эффективного

...во время действия импуль- (Я сного магнитного поля Ни, изменяют напря- ф женность внешнего магнитного поля Н = Ни ф - Нсм и определяют зависимость Р " от Н, по которой судят об эффективном магнитном поле однооснои анизотропии в магнитной пленке путем экстраполяции этой зависи- ф мости до пересечения с осью абсцисс,Изобретение поясняется чертежом, где приведена зависимость Р от Н, а также зависимость х от Н, по которой определяют эффективное магнитное поле одноосной анизотропии в прототипе, Здесь х - время перемагничивания магнитной пленки. На чертеже видно, что при экстраполяции кри1765847 но, что экстраполяция обеих кривых даетзначение эффективного магнитного поляодноосной анизотропии равное 108 Э,у оГн, РЗаказ 3387 Тираж Подписное...

Номер патента: 370561

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Темник

МПК: G01N 27/72, G01R 33/16

Метки: магнитных, магнитострикции, пленок, тонких

...Среднее значение линейно изменяющегося тока в катушке 8 измеряется прибором б магнитоэлектрической системы. Датчик 2 питается высокочастотным током измерителя приращений индуктивности датчика б, сигнал с которого подается на первое дифференцирующее устройство 7. Сигнал с выхода первого дифференцирующего устройства подается на формирователь 8, а с него - на второе дифференцирующее устройство 9, Выходной сигнал с последнего поступает на схему задержки 10, а после него - на устройство 11 управления источником тока, Сигнал с устройства управления подается на вход источника 4 тока и изменяет направление изменения выходного тока источника,Способ измерения магнитострикции тонких магнитных пленок заключается в следующем,Образец пленки...