Инструмент для отделочной обработки

Номер патента: 435916

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Аграновский, Особое, Фонд

МПК: B23Q 1/38, F15B 9/08, F16C 29/02

Метки: астатическогоуправления, гидростатической, замкнутой, непрямого, опоре, слояв, смазочного, толщиной

...подвижного узла 1. На ос новной направляющей расположена гидростатическая опора 2, а на дополнительной направляющей (планке) 3 - гидростатическая опора 4.От источника питания (на чертеже не пока зан) масло подается в опору 2 через золотник 5, а в опору 4 - через дроссель 6. Золотник 5 имеет ассиметричную конструкцию: площадь его левого торца больше правого. Обе торцовые камеры 7 и 8 соединены соответст венно с выходом и входом дросселя б. На рабочем пояске золотника 5 выполнена винтовая канавка для управления малым расходом масла.Устройство работает следующим образом.20 Золотник 5 находится в равновесии тольков том случае, если отношение давлений на выходе и на входе дросселя б равно отношению площадей правого и левого торцов...

Номер патента: 1243479

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Гусев, Зацепин, Пушкин

МПК: G01B 7/06

Метки: арматуры, бетона, диаметра, защитного, конструкций, слоя, строительных, толщины

1. Способ измерения толщины защитного слоя бетона и диаметра арматуры строительных конструкций, заключающийся в том, что по контролируемому объекту перемещают источник магнитного поля и регистрируют распределение напряженности вторичного магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, распределение напряженности вторичного магнитного поля регистрируют со скоростью, отличной от скорости перемещения источника магнитного поля, измеряют расстояние между точками, в которых значения нормальной или тангенциальной составляющей напряженности вторичного магнитного поля максимальны, по расстоянию между этими точками определяют толщину h защитного слоя бетона, а по толщине защитного слоя бетона и по напряженности...

Номер патента: 1665223

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Егоренков, Либерман, Лобанов

МПК: G01B 7/06

Метки: высокоомного, полупроводниковой, слоя, структуре, толщины

...дЧ/г 11) напряжение выброса не зависит от амплитуды импульсов.Реально существующие толщины 1- слоя, которые необходимо измерять, лежат -в пределах 5-200 мкм, Условно разобьем этот диапазон на 3 поддиапазона от 5 до 30, от 30 до 100 и от 100 до 200 мкм.При осуществлении способа верхнее значение крутизны Яц нарастания импульсов установлено равным 10 В/с(для поддиапазона толщин 1-слоя - равным 5-30 мкм). При больших значениях скорости нарастания напряжения, например, равных 10 В/с, напряжение выброса составит величину 300 В. Для надежного измерения таких сигналов, например, с помощью широкополосных осциллографов требуется не более десятков вольт. Кроме того, и это главное, для малых толщин 1-слоя напряжение выброса необходимо...

Номер патента: 1728648

Опубликовано: 23.04.1992

Автор: Стринадко

МПК: G01B 11/06

Метки: слоев, толщины, тонких

...временного сдвига Ь получим 10 21Ь= - п 3 - п з 1 п а, (7)ггде 1 - толщина пленки (слоя);с - скорость света в вакууме.Составим систему для двух углов паде ния а 1 иаг 2 т ц= -(8) где пс - показатель пр щей среды, в которой и ния.Решение системы уравн 25 дит к результатуЬ 11 С еломления окружаюроиэводятся измереия (8) привод,Ь п - Ь па ЗО пг=пТаким образом, зная временные задержки сигнала Ь 1 и Ьтгдлядвухугловоблучения а 1 и аг, а также показатель преломления окружающей среды пс. по формулам (9) находим толщину исследуемой пленки (слоя) и показатель преломления, Временная задержка Ь т определяется из диафрагмы (фиг,З) по экспериментально измеренной величине 4 О Ьм, определяющей частоту биений регистрируемого сигнала. На фиг.За...

Номер патента: 1824461

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Бабушкин, Гудинов, Иванов

МПК: C25F 7/00, G01B 7/06

Метки: методом, процессе, размерного, скорости, слоя, снимаемого, толщины, травления, химического

...и индикатор являются типовыми,Устройство работает следующим обраВыделяющийся в поверхности травления гаэ попадает в газособирвющий сосуд и постепенно заполняет его. При заполнении сосуда газом до определенного уровня сосуд перевОрачивается и выпускает газ, При этом магнит приближается к магнитоуправляемому контакту и замыкает его на короткое время. Поскольку магнитоуправляемый контакт подключает при этом источник питания ко входу генератора тактовых импульсов, то это является началом такта, Длительность тактового импульсв определяется времяэвдвющвй цепью, входящвй в задатчикдлительности такта, Значениадлительности тактового импульса в зависимости от твмп ературы раствора устанавливается либо вручную по шкале, нанесенной на панели...