Логическая схема “запрет”
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 142078
Автор: Гурвич
Текст
.сР ".ТЕУЮ; 11;1 Б 1 фБ "Г 3" в Ю ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ЗАВИСИМОМУ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВПодписная группп Л"17 Е. И. Гу ИЧЕСКАЯ СХЕМА ЗАПРЕТ Заявлено 26 декабря 1960за69062в Комитет по делам ивобретений и открыл ий при Совет Министров СССва 1961 г. Опуб.инованс и Бюллетене и обретенийя 1959 г. на имя того же лица Основное авт. св.130239 от 11 ию ненные на двух ферри оллекто ного питани Известны логические схемы запрет, выполтранзисторных ячейках с одним источником к Ря плавт. св. М 130239).Предлагаемая схема является дальнеишим усовершенствованием известной схемы и дает возможность уменьшить величину мощности, потребляемой от источника продвигающих импульсов, что достигнуто последовательным и встречным включением выходных обмоток основного и запрещающего сердечника в базовую цепь транзисторов и прим:- нением дополнительного сопротивления, создающего цепь для базового тока при блокинг-процессе.На чертеже изображена принципиальная схема описываемой схемы.Основная феррит-транзисторная ячейка содержит ферритовый сердечник 1 и полупроводниковый транзистор 2, а запрещающая - сердечник 3 и транзистор 4. Выходные обмотки 5 и б основного и запрещающего сердечников включены последовательно и встречно в базову:о цепь транзисторов 2 и 4. Эмиттеры транзисторов 2 и 4 соединены вместе и подключены к зажиму 7, к которому подключен плюс источника коллекторного питания. Между точкой соединения эмиттеров и общей точкой обмоток 5 и б включено сопротивление 8, служащее для создания цепи базового тока при блокинг-процессе. Обмотки 9 и 10 питаются от источника продвигающих импульсов, не показанного на чертеже. Обмотки 11 и 12 включены в коллекторные цепи транзисгоров 2 и 4. Свободный конец обмотки 11 подключен к нагрузке,В процессе осуществления запрета транзистор 2 основной ячейки остается запертым, а транзистор 4 запрещаюгцей ячейки входит в режим насыщения. При выходе из режима насыщения рассасывание неосновных носителей тока базы транзистора 4 может проходить не только через сопротивление 8, но также и через цепь эмиттер - база основногоЛо 142078 транзистора 2. При этом может иметь место открывание транзистора К сопровождающееся выдачей небольшого импульса помехи, Для устранения этого импульсасоцротивление 8 шунтируется диодом 13, через который и проходят неосновные.носители тока базы транзистора 4 в процессе его выхода,из насыщения. При сердечниках с малой прямоугольностью пЕтли гистерезиса последовательно с сопротивлением А зашунтированным диодом 13, может быть включен источник напряжения смещения.Использование в запрещающей ячейке транзистора вместо обычно применяемого в ней диода уменьшает в 2 - 2,5 раза потребляемую от источника продвигающих импульсов мощность ввиду наличия обмотки положительной обратной связи, способствующей перемагничиванию запрещающего сердечника, возбуждаемого продвигаюшими импульсами при списывании. Предмет изобрстс ни я актор Н, С, Кутафина Текред Т. П, Курилко ктор Г, Кудрявцева Поди. как 113 13,1-62 г. Формат бум. 70)(108/1 ВТираж 6801 тете по делам изобретенийСовете Министров ССГРентр, Ы Черкасский перд,м 0,18 изд. л. Цена 4 коп,при Ком при Москва, 1.открытий ипография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СГГР, Москва, Петровка, 14. Логическая схема запрет по авт. св,130239 на двух феррит- транзисторных ячейках с одним источником коллекторного питания, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности от источника продвигающих импульсов, выходные обмотки основного и запрещающего сердечников включены последовательно и встречно в базовую цепь обоих транзисторов, эмиттеры которых соединены между собой, и между точкой соединения эмиттеров и общей точкой обеих обмоток включено сопротивление, предназначенное для создания цепи баз - ного тока при блокинг-процессе, параллельно которому включен диод.
СмотретьЗаявка
690522, 26.12.1960
Гурвич Е. И
МПК / Метки
МПК: H03K 19/16
Метки: запрет, логическая, схема
Опубликовано: 01.01.1961
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-142078-logicheskaya-skhema-zapret.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Логическая схема “запрет”</a>
Многоканальный генератор импульсов на мдп-транзисторах
Номер патента: 512570
Опубликовано: 30.04.1976
МПК: H03K 3/78
Метки: генератор, импульсов, мдп-транзисторах, многоканальный
...цгц"5.:кехцем ца выходе 10 мультивибрато",2, НЯИО 5 жецс ца выходе элемента НЕ - ИЛИ разно г лю цз-за высокого готецциалая сс Входе, подклочегц 10 м к Выходху 32 ОдсЦ,";РДР.1:ТОЛЯ Ц.,ПЛЬСОВ.Б момент запирация усилителя 3 цапрякение ца его входе прцолизцтельцо равно поро- ГОВОМУ ЦаПРЯжЕЦИЮ У ТРЯНЗИСТОР 1, ВРСМЯЗЯ- дающий конде:сатор 9 зарякец до цапряже;ия Е - У;, а времязадающий конденсатор 8 рязр 5 и;Рп. Перспад напряжения запцряция, равьц 1 1:апряжеццо источника питания Е, пас.,пясг че;ез конденсатор 8 ца вход хсцли"ся 5 2 и Отпирает ОГО, 1 ОПВР 1 сатоо 9 Оазочжяеся:срез Выходию цепь открытого .Ри 1 ПТРЛя 2, 00 Ц,О ШИПМ ИСТОЧ,ИКОВ НаПО;1 жеи;я н стоковые р - и-переходы транзисторов 6 ц 7, смещенные В прямох цапОЯВлецци цяпряжением ца...
Формирователь импульсов на моп-транзисторах
Номер патента: 1236604
Опубликовано: 07.06.1986
Авторы: Буй, Животовский, Копытов, Солод
МПК: H03K 19/094, H03K 5/01
Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь
...транзисторов 9 и 12, способствуя ускоренному заряду емкости выходной шины 16 и разряду емкости транзистора 10 и, следовательно, его эапиранию. На выходной шине устанавливается сигнал с уровнем логической единицы.Поскольку Формирующие бутстрапное напряжение второй и третий каскады в устройстве непосредственно к выходной шине не подключены, скорость нарастания этого напряжения оказывается вьипе, что способствует повышению общего быстродействия устройства, 1(роме того, здесь вплоть до момента включения цепи ускоряющей обратной связи потенциал кочденсатора 8 поддерживается равным напряжению питания, что позволяет новы- сить амплитуду потенциала стока транзистора 5 и, тем самым, повысить быстродействие устройства эа счет более полного...
Формирователь импульсов на мдп-транзисторах
Номер патента: 1473072
Опубликовано: 15.04.1989
Авторы: Заболотный, Максимов, Петричкович, Филатов
МПК: H03K 19/00, H03K 5/00
Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь
...и не замедлял процесс переключения, его проводимость за счет, например, шириныканала выбирается минимальной. Обецепочки последовательно соединенныхтранзисторов 5, 7 и 6, 8 второго типа как в статическом состоянии, таки в начале процесса переключения закрыты, так как на затворах попарновключенньм транзисторов присутствуют инверсные сигналы. Поэтому эти це-пи такхе не препятствуют быстромунарастанию выходного сигнала на первой выходной шине 13. При достижениина .этой шине напряжения больше порогового напряжения транзисторов второго типа четвертый транзистор 6 вто1473072. Формула изобретения Составитель В.ЛементуевТехред Л.Сердюкова Корректор И.Муска Редактор А,Огар Заказ 1 72 7/56 Тираж 880 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета...
Формирователь импульсов на моп-транзисторах
Номер патента: 493029
Опубликовано: 25.11.1975
Авторы: Бочко, Высочина, Мерхалев, Солод, Яровой
МПК: H03K 19/08
Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь
...прнатом в выходной двухтактный усилительвведен транзистор в двухполюсном включеена прннципиальная20редлагаемого устройформироватепь импульсов на МОП-т знсторах содержащих двухчактный усили на транзисторах 1, 2, инвертор с токоНа затворе транзистора 3 потенциалиравен Епып-ОиОргде удар- порогавое напряжение транзистора 5.При уменьшении отрицательного потенци- ала на входе 20 (конец импульса) транзисторы 2 и 4 закрываются, и потенциалына левой обкладке конденсатора 8 й на затворе транзистора 1 повышаются. По . вышение потенциала передается на правук обкладку конденсатора 8, что повышает потенциал нв затворе транзистора 1. Пос дний еще больше открывается. Процесс открывания транзистора 1 протекает лавинообразно до тех пор, пока...
Формирователь импульсов на мдп-транзисторах
Номер патента: 503353
Опубликовано: 15.02.1976
Автор: Солод
МПК: H03K 5/02
Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь
...транзисторы 1 и 5, 3 и 9, 7 и 12, при этом потенциалы в точках а, б и в стремятся достигнуть потенциала, равного Е - Уо, где 1.1 о - пороговое напряжение МДП-транзисторов,ираж 1 Изд.11 Заказ 1504 И одписное Типография, пр. Сапунов С приходом на вход положительного перепада и установления на затворах транзисторов 5, 9 и 12 напряжения ниже порогового, последние закрываются и начинает увеличиваться потенциал в точке д, в точке а также возрастает отрицательный потенциал, составляющий сумму из уровня напряжения в точке в (Со) и напряжения на накопительном конденсаторе 2, которое равно Е - Ио, при этом транзистор 1 закрыт, так как напряжение между его затвором и истоком меньше порогового напряжения а= с - Епит - УОПри достижении напряжения в...
Предыдущий патент: Переносный электрорадиационный пылемер для измерения запыленности воздуха
Следующий патент: Пневматическое считывающее устройство
Случайный патент: Термостат