Способ нанесения покрытия на внутреннюю поверхность труб
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1420300
Авторы: Кряжевских, Чаюк, Шишкин
Текст
ЮЗ СОВЕТСКИХ ЦИАЛИСТИЧЕСК 0300 А ЕСПУБ ЛИК(5 4 Е 1 6 1. 5 8,ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН 651546 2) -08 1 Р)И ИЬ 1 зластичнои об, ра ивант наизн И .1 КРСН,),Ь) И ИСРчс,1 С Н И 51 В И О,1 ОС Т И, ными ото нутыч т,1 чающий.)1 тс 1;ризволительно ук.)алы вант в В 1 н к 1 ж.сыи.,1 сл)св, чсжлу кот речнсс нис он)л нси части тр,бы женски.1)жсн. 1 11 яют из ср.1 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТ(53) 621.7.029(088 (56) Лвтрское с1024653, кл. Г (54 ) (57 ) С 110 СОТИЯ НА ВНУТРЕТРУБ, заклкчаю чки, к)нсп к) нн), тибан 1 на стснкс трб с)1 анин избыл образованнсй мновер;нстя)ч, что, с пелы сти, аластичн есколы о с,н)ев и наизн)нк рчи он расн )ЧЕК)С пиес 1 Н,1( , ( ( (; и,, 1 и , ) 1 ) 1 (ь1( и р М 11 и ии, Гслр(а 11 11 рс Кор)ил; р Ч 111;)росии3;л;3 ) ) 3) 1 краек)4 1)о.ии икИ)1111111 Гост.,)рсгвенного кочит( га (:(;(;Р ио е,л 3 зоГретений и открытий1)5, Москва, Ж,5, Ра) искан наВ )ь 4,511 рои но.,(гв(нно-и аиграфич(скос иреаиринтие,Уагороа, ).) 11 роекнан, 4 1 ибретение гнцстся к ксплл )тдиии л);) истрельыл и развц,5)иил систем наир 1 ь 1. грл ццпрцнОдОЯ, 3 че)снцсти к заните ца кррцз 1 И и цбр,)сгани)1.ел)н) иЗцбретени 51 5 в,ятся пцВып)ение нр(изьчдительнцсти ил геч уе)еличени 5 Длины нкрывделц ц ру кином трл бцнриидд(,уинцсть с пцсц 6 д пцясняется чертежцч.В трлбцпрц)ц;лклд.цвак)г нде)це с,юженный рлксм 3 2, при згцл Внлтрен 3 й рлкн ) длине(3 е ндржнцгц рлкдвд 3. лани 11, рук,- ин 31,1)цра ивкг и .дкрслянг нд сг)чкс грл 6 цнЯ)нцд 3 (.исеч; .1 нцд;чи реги) и г енгд пцсрлегич цгвц.нн 5 н 6 с лсгднц 3. ЛСННЫМИ и;) НИЛ .СКР(ЧДНИНЫЧИ К,)П;- ндчи 7 и 3 сццпен; ( Иц.цстьн) тру(цр- нц,1, рдпц, цж(н 1 ц ) кцн 1 цч 1)л к н)нцгцьн), цбреце 13 цн сепкин т р бц 3 р) ни,;3 и рл ки) ".(.ре. рлке)н;ми )кчинек 1 к.(й ткр 3 к 1 а,екгр(ма Ииный клдп;н 7 1,1(ктрцчд нигныи к,дпдн 8 3;крьт) нданг н рлцрцц, с,+,дтып )ц),ук, кццрич пее ч(ИЕднг рукав; ) и 3 пц грлсц нрцнц.л. 1 цс,с 1)внесения н; сс нкл рубц) н ,) ) к 13) н -1 1н с н ) 1 к . 1 11 ) 3 ж(ил сс) цяпн ц,цс н рлццнрцн(. .ц11)с,1( )л к,)1; ,11 Як)тс 511) н,(31 с и 1)л - (и) рцц.( р( кц и;).1;и , к,;)и; 3;)крыв;е(51,к,е)пан 8 Огкрьв 1 тся, и сжд)ыЙ Вцз,ул начинает пцступдть в пцлцсть между рлк 33 чи ) и 3 11 цс,е)еИе цтделяктся (еру от ,руга, конец рукава 2 цтделяется цт стенки грубцпрцвцд)3 и рукав 2 начидет переме- И 3ься нд с) седни Й уч )стцк трубопровода ьц ел нцр, пока нбудет улцжен пцлн(стьюсс нкл трубцнрцнцд 3. Принер. 1 цкрывают трлбцпрцвод о700 мч и длинцй 10 кч. Изготавливают рукав иИ,е нки 1 Б,( цлнеинцй 0,3 чм и длиной 1 О кч, нывцрачиввкг егц наизнанку и укла..1 в)кт вдвое нд длину 5 кч. Затем его устанднлиндкт в трубцпрцвцд разрезанными кон и;)чи ц кцду Икрытия. Оба кнна рукаве)ны нцр)И е)е)н)т на и 3 а кл и кр(.13 ят на стенке греб)ц 1 рц 13 ц;а, и пер(д рукаве)л здкачива- Н 1 80 К К,Ея к(:Прут 4. ЗатЕМ В трубцпрцнц. юдант с,+,тый вцздук под ддвгени( ч 0,4 .Ч 11 а и пцкр,пак)3 втренин)к) пцерлнцсгь труинрцвцдд на длил 5 кч, дание ии )ц 3,л ка пцни,+,ант дц 0,3 МГа и засч идднг еи в нрстрднствц между рука 3 л. цнысин давление до 0,( М 11 а, при зч лРс нний рл на в перечендется на 25 и.НИН ундетцк рубцнрцнцд 3 И ИМ ПцКрЫидк) и;иИиеся 5 км труб)прцнцда.
СмотретьЗаявка
3650605, 11.10.1983
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТРЕСТ "ЮЖВОДОПРОВОД"
ШИШКИН ВИКТОР ВАСИЛЬЕВИЧ, КРЯЖЕВСКИХ НИКОЛАЙ ФЕДОРОВИЧ, ЧАЮК ИГОРЬ АНТОНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: F16L 58/02
Метки: внутреннюю, нанесения, поверхность, покрытия, труб
Опубликовано: 30.08.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1420300-sposob-naneseniya-pokrytiya-na-vnutrennyuyu-poverkhnost-trub.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ нанесения покрытия на внутреннюю поверхность труб</a>
Логический элемент «и—или»
Номер патента: 217454
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Красин, Кутлер, Левитан, Раппопорт, Чаков
МПК: H03K 19/12
Метки: «и—или», логический, элемент
...2, а диоды Д и Д; - катодами к зажиму 11.Аноды диодов Дз и Д с помощью перемычки бсоединены между собой, а аноды диодов Дз и Дз Д 4 и Д; соединены соответственно между собой перемычками б - б, 7 - 8, образуя вторую диагональ моста. Между анодами диодов верхних и нижних плеч моста и в первую его диагональ включены перемычки, выведенные наружу и частично удаляемые при монтаже для получения требуемого варианта логической функции, Между зажимами 2 и 3, 11 и 12 включены соответственно резисторы Яи Рз, предназначенные для получения схемы И совместно с соответствую. щими диодами (в зависимости от количества входов), К зажимам 2 и 11 подключены со ответственно катоды диодов Д, и Д 6, аноды которых соединены с выходами 1 и 10 элемента,...
Динамический логический элемент «и-или», «и-или-не»
Номер патента: 238599
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Филиппов
МПК: H03K 19/084
Метки: «и-или-не», «и-или», динамический, логический, элемент
...импульсы источника ГИ,. Ответвление тока происходит вследствие того, что положительному импульсу источника ГИ, соответствует по времени смещенный отрицд 30 тельный импульс источника 1 И.,238599 сокий уровень потенциала будет лишь в том случае, если во время действия положительного импульса источника ГИ, на всех входах элемента действует также высокий уровень 5 потенциала. Следовательно, элемент выполняет функцию И. На выходе 24 элемента потенциал во всех случаях имеет значения, противоположные значениям потенциала в точке 28, т. е, с выхода 24 снимается инверсное зня чение реализуемой функции.В элементе возможно подключение (черездиоды) дополнительных схем И ко входу 21. При этом реализуемая им функция приобретает вид И-ИЛИ, И-ИЛИ-НЕ,15...
Логическая схема «и—или —не»
Номер патента: 239381
Опубликовано: 01.01.1969
МПК: H03K 19/08
Метки: «и—или», логическая, не, схема
...соединением и входов аналогичных элементов. Работоспособность одного выхода элемента на и вколов аналоги - ных элехентов обеспечивается путем использования в качестве источника выходного сигнала транзистора с высоким значением коэффициента усиления по току. Однако в известных схемах для обеспечения высокого значения коэффициента разветвления необходимы транзисторы. имеющие большие зн ачения коэффициента усиления по току (В ).Предлагаемая схема отличается тем, что для увеличения нагрузочной способности при использовании транзисторов с низким значением коэффициента усиления по току выход диодной схемы И - ИЛИ соединен с последовательно соединенными переходами база - эмиттер нвертируощих транзисторов.В предлагаемой логической...
Логический элемент «и—или—не» и «и-или»
Номер патента: 260680
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Гриккевич
МПК: H03K 19/088
Метки: «и-или», «и—или—не», логический, элемент
...возможности совмещенной во времени и месте реализации логических функций И - ИЛИ - НЕи И - ИЛИ, что важно для построения логических сетей быстродействующих вычислительных машин,Предложенный логический элемент отличается тем, что коллектор усилительного транзистора через инерционный диод подключен кбазе дополнительного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, коллекторкоторого соединен с выходом элемента, Это 30 12 для его надежного застор 14 подключена к шп260680 Предмет изобретения Составитель Ю. Н. Колотовнбицкая Техред А. А. Камышникова Корректор Н. С, Сударенков Редак Подписноеинистров СССР каз 1116/12 Тираж ЬООНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СоветМосква Ж, Раушская наб., д. 4/5 ипография, пр. Сапунова...
Импульсный двухфазный логический элемент «и—илии—или—не»
Номер патента: 304698
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Белопольский, Мастерских, Никишин, Паукова, Удовик, Филиппов, Хавкин
МПК: H03K 17/66
Метки: «и—илии—или—не», двухфазный, импульсный, логический, элемент
...8. Чем меньше напряжение на коллекторе транзистора 8, тем большая часть тока ответвляется в базу транзистора 12 и меньшая - в базу транзистора 8, вследствие чего уменыпается степень насыщения последнего. Уменьшение глубины насыщения транзистора 8 создает условия для последующего быстрого, выключения элемента.Одновременно с открыванием транзисторов 8 и 12 происходит быстрое закрыва 1 гие транзистора 9 током коллектора транзистора 12, обеспе швающим быстрое рассасывание накопленного в базе транзистора 9 избыточного заряда, На коллекторе транзистора 9 устапавлизается высокий уровень потенциала.После окончания действия положительного импульса ГИ 1 транзистор 8 закрывается обратным током коллектора транзистора 4, но транзистор 8...
Предыдущий патент: Способ нанесения покрытия на внутренюю поверхность трубопровода
Следующий патент: Устройство для нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность трубопровода
Случайный патент: Устройство для защиты от замыканий на землю обмотки статора генератора