Динамический логический элемент «и-или», «и-или-не»

сесоюзВсспо,о-"М"-ИО ПИЗОБРЕТЕНИЯ Оове Соеетвиик Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ етельства М ависимое от авт, св. 21 ат, 361219015/18-24) аявлено 16.11,1968 исоединением за Г 1 К Н 03 Приоритет Комитет по делам изобретеиий и открытийУДК 681.325.65(088 69. Бюллетень Ло 10 писания 21 Л 11,1969 Опубликовано 10,111. Дата опубликования ри Совете Юииистрс СССРвторзобретения А. Г. филиппо осковский инженерно-физический институт дтгв ио з НАМИЧЕСКИЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ И-ИЛИ, И-ИЛИ-НЕ йствие и ыст кенного еменндя входнои 1 и 2 и первого транзиб через Предложенный динамический логический элемент предназначен для использования в качестве универсального логического элемента в цифровых вычислительных устройствах.Известны транзисторные динамические элементы с регенеративным расширением. Недостатком этих элементов является чрезмерная сложность схемы, значительное потребление мощности, наличие в схеме трансформаторов и использование большого количества источников питания.Предложенный элемент отличается тем, что в нем коллектор второго транзистора через два встречно включенных диода цепи регенеративного расширения и диод соединен с базой первого транзистора, а общая точка диодов регенеративного расширения через резистор подключена ко входу второго генераторд тактовых импульсов и к конденсатору :мещения,Это позволяет повысить б роде упростить схему. 11 а фиг. 1 приведена схема предло логического элемента; на фиг, 2 - вр диаграмма тактовых импульсов. Элемент И-ИЛИ-НЕ состоит из диодной схемы И-ИЛИ на диодах резисторе 8, подключенном ко входу 4 источника тактовых импульсов Го и сторов 5 и б. Коллектор транзисторадиоды 7 и 8 цепи регенсративного расширения и диод 9 соединен с базой транзистора 5. Общая точка диодов 7 и 8 через резистор 10 подсоединена ко входу 11 второго источника так товых импульсов ГИ, и конденсатору смещения 12, вторая оокладка которого соединена с диодом 18 п через резистор 14 и диод 15 - с базой транзистора 5, Коллектор последнего сосдинен с резистором 16 и через резистор 1710 и конденсатор 18 - с базой транзистора б. Входы схемы И - -19, 20, 21, вход схемы 14 ЛИ - 22, выход схемы И-И,ГИ - 28, а инверсный выход динамического элемента ИИЛИ-НЕ - 24,15 При наличии на обоих входах 19 и 20 принятого за 1 высокого уровня потенциала входные диоды 1 закрыты, и ток от источника ГИ, течет во время действия положит "льного импульса через резистор 8 и диоды 2 и 9 к20 точке А. Здесь полный ток, поступающий от :сточника Г 11 разделяется: основная его часть течет в базу транзистора 5, а небольшая часть ответвляется через диод 15 и резистор 14 и точке Б, куда подводятся смещенные25 по уровню с помощью конденсатора 12 и диода 18 такговые импульсы источника ГИ,. Ответвление тока происходит вследствие того, что положительному импульсу источника ГИ, соответствует по времени смещенный отрицд 30 тельный импульс источника 1 И.,238599 сокий уровень потенциала будет лишь в том случае, если во время действия положительного импульса источника ГИ, на всех входах элемента действует также высокий уровень 5 потенциала. Следовательно, элемент выполняет функцию И. На выходе 24 элемента потенциал во всех случаях имеет значения, противоположные значениям потенциала в точке 28, т. е, с выхода 24 снимается инверсное зня чение реализуемой функции.В элементе возможно подключение (черездиоды) дополнительных схем И ко входу 21. При этом реализуемая им функция приобретает вид И-ИЛИ, И-ИЛИ-НЕ,15 Задержка (запоминание) выходной информации в элементе происходит ровно на полпериода тактовых импульсов - Т 12. Поэтому у смежных элементов импульсы ГИ, и ГИ меняются местами.20 Динамический логический элеменг И ИЛИ, И-ИЛИ-НЕ, содержащий входну 1 одиодпую схему И-ИЛИ, два транзисторя, включенные по схеме с общим эмиттером, коллектор одного из которых через КС-цепочку соединен с базой другого, диоды и резистор 30 цепи регенеративного расширения и последовательно соединенные конденсатор и диод смещения, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и упрощения схемы, коллектор второго транзистора через два 35 встречно включенных диода цепи регенератизпого расширения и диод соединен с базой первого транзистора, а общая точка диодов регенеративного расширения через резистор подключена ко входу второго генераторя так товых импульсов и к конденсатору смещения,Г, С. КолотоваРедактор Л, А. Утехина Техред Т. П. Курил Корректор 3, И, Чванкина 4 Ь 0 Подписное открытий при Совете Министров ССС 1. Серова, д. 4 8Комитета по Закаа 1 б ЦИИИП Тираж етеннй и Центр, прлам иа Москва ипография, пр. Сапунова, 2 3Ток, втекающий в базу транзистора 5, открывает его и вводит в режим насыщения.При этом закрывается транзистор б за счеттока разряда конденсатора 18 и тока, текущего через резистор 1 б от базы транзистораб к коллектору транзистора 5.По окончании действия положительного импульса ГИтранзистор 5 остается в открытомсостоянии за счет тока, создаваемого цепьюрегенеративного расширения, состоящий издиодов 7 и 8 и резистора 10, Цепь регенеративпого расширения питается от источникаГИ 2. Диод 7 цепи регенеративного расширения закрыт, так как на коллекторе транзистора б в этот интервал времени действует высокий потенциал.Транзистор 5 закрывается после окончанияположительного импульса ГИв, если к этомувремени на одном из входов 20 или 19 окажется низкий уровень потенциала. При этом ток,идущий от источника ГИ, через резистор 8, ответвляется на соответствующий вход элемента.Транзистор 5 закрывается запирающим токомбазы, создаваемым через диод 15 и резистор14 отрицательным импульсом, который получается в результате смещения уровня импульсов источника ГИ.При закрывании транзистора 5 происходитбыстрое открывание транзистора б током, текущим через резисторы 1 б и 17 и конденсятор 18.Транзистор 5 остается в закрытом состоянии в течение всего времени, пока действуетнизкий уровень потенциала хотя бы на одномиз входов. При этом ток цепи регенерагивногорасширения во время положительных импульсов источника ГИв течет через диод 7 к коллектору открытого транзистора б.Таким образом, на выходе 28 элемента, подключенного к коллектору транзистора 6, выгу, гг,Предмет изобретения