Установка для исследования твердых материалов

Номер патента: 512633

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Алиханов, Зуй, Новиков

МПК: F17C 1/00, G01N 23/10

Метки: высоким, давлением, излучения, исследования, потоке

...месте конструкции и с относительно низкими показателями по другим параметрам, Тем самым предлагаемое устройство в целом обеспечивает достижение максимальных давлений и наивысшей прозрачности 55 (для данного излучения) при существующем наборе материалов с сохранением принципа цилиндр - поршеньДля реализации этого решения в камере высокого давления разработанагоризонтально-вертикальная (или радиально-осевая) слоевая конструкция.На чертеже изображено предлагаемоеустройство,Устройство состоит из цилиндракорпуса 1 и поршня 2, между которымирасполагается цилиндр-поршень 3, вверхней своей части За воспринимающей силовую нагрузку поршня 2 и средыдавления, а в нижней - Зб окружающийобъем высокого давления для образцаслоем...

Номер патента: 116310

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Гуменюк, Попов

МПК: H05B 6/26

Метки: вакууме, вакуумной, высоком, высокочастотной, индуктором, камеры, между, плавке, пробоев, стенками, устранения

...в зоне индуктора.На чертеже изображена схема осуществления описываемого способа.Как видно из схемы, тигель 1 находится в трубе 2 с глухим дном, переходящей в верхней части в перегородку, разделяющую камеру 3 на две части.Газы, выделяющиеся при нагреве шихты 4, откачиваются высоковакуумным насосом через патрубок 5. Газы из зоны индуктора 6 и керамического экрана 7 с подставкой 8 откачиваются через патрубок 9 дру. гим высоковакуумным насосом, Для обоих высоковакуумных насосов используется один механический насос предварительного разрежения.Труба 2 выполнена из проводящего материала с температурой плавления выше температуры плавления шихты; возможно применение трубы из графита, Кроме разделения вакуумной камеры на две части, тру. ба с...

Номер патента: 149924

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Новиков

МПК: G01L 27/00, G01M 9/02

Метки: давлений, импульсной, камера, трубы

...сопло с вкладышем 2, корпус верхнего электрода с магнитным устройством 3, корпус установки эл ктрического поджига 4, корпус нижнего электрода с воздухоподводящим штуцером б.Камера 1 установлена на основании б и перемещается по направляющим 7.Съемные элементы крепятся в корпусе камеры с помощью цилиндрических гаек, имеющих внутренние шлицы 8 и замки с рукоятками 9.Цилиндрические гайки позволяют регулировать степень сжати угслотнительных колец 10,Принцип действия работы прибора основан на том, что на нижний электрод, установленный на подвижном основании, надевается корпус камеры давлений и путем поворота рукоятки кулачково-шлицевого замка на 45 замок закрывается. Аналогичным образом крепят и остальные съемные детали, Лв 149924Перемещение...

Номер патента: 363618

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Архипов, Бакуль, Бутузов, Верещагин, Галактионов, Демяшкевич, Иванов, Лившиц, Попов, Прихна, Рябинин, Семерчан, Слесарев

МПК: B01J 3/00

Метки: высокими, высоких, давлений, создания, сочетании, температурами

1. Устройство для создания высоких давлений в сочетании с высокими температурами, состоящее из изолированных и упрочненных снаружи пуансонов, выполненных с вершинами в виде усеченного конуса и с токоподводами, а также механизма, передающего усилие на пуансоны, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения надежности его работы, в вершинах пуансонов сделаны углубления, образующие при сближении пуансонов рабочую камеру.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона создаваемых давлений, углубления с торцовой стороны усеченного конуса пуансонов выполнены в виде части сферы.

Номер патента: 1089549

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Баженов, Барабаш, Гринько, Заболотный, Кувшинский, Находкин, Соколов, Теологов, Чуприн

МПК: G03H 1/18

Метки: голографический, исследования, основе, полимерных, полупроводников, свойств, фототермопластических, фотоэлектретных

...модуляции интенсивности света, экспонирующего фототермопласти"ческий материал, при З 0 перемещении вдоль поверхности пленки; к - пространственная час- тота плоского волнового фронта, экспони" Руюшего голограммуЕо = 885 10 кф/м, . по которым судят о фотоэлектретных свойствах фототермопластических материалов.При осуществлении способа снача ла проводят зарядку поверхности пленки с помощью зарядного. устройства, экспонируют интерфференционной картиной, образованной опорным и предметными пучками. :, 45После разрядки поэерхности пленки .до потенциала подложки на поверхности остается заряд, экранируюший объемный, величина которого .:.определяется величиной и характером распределения объемного заряда по толщине пленки полимерного...