Тензодатчик
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(72) в Ш.Б поли ТенэкрисВ 2Ташк нове динки.ед, инсти(54) (57) тель пере к иэмериции знако ощью тенОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ 4181673/25-2814.01.8707.08.88. Бюл. В 29Физико-технический инстит.Кутасов531.781.2 (088.8)Абдулаев Э.А., Атакулоэлектрические свойствааллических пленок на осЯЬТез, - Сб.:Полупровонт, Ташкентский гос. пим. Низами, 1981.ТЕНЗОДАТЧИКИзобретение относитсяой технике, к регистраенных деформаций с пом,8014150 зорезистивньм датчиков. Целью изобретения является расширение диапазона измерений в условиях знакопеременных деформаций путем повышения коэффициента тенэочувствительности тенэодатчика. Для этого в тенэодатчике подложка и тензорезистивный слой выполнены из материалов, коэффициенты линейного расширения которых. связаны соотношением р, э рр 0,1 р где д, - коэффициент линейного расширения подложки; р - коэффициент линейного расширения тензорезистивного слоя, а толщина подложки и тензорезистивного слоя удовлетворяет условию й ъ, 0,1 й р 3800 А, где д- толщина цодложки; с Й - толщина тензорезистивного слоя. 1 ип.1415047 А) цъ 0,1 д д 1 Ъ, Оэ 16 1 Ъ 800 ,Изобретение относится к измерительной технике, а именно к регистрации энакопеременных деформаций с помощью тензорезистивных датчиков.Целью изобретения является расширение диапазона измерений в условиях знакопеременнык деформаций путем повышения коэффициента тензочувствительности тензоцатчика.На чертеже схематически изображен тензодатчик.Тензодатчик включает в себя подложку 1 иэ полимерного или аморфного ,материала, тенэорезистивный слой 2 ,из полупроводникового материала7 Л.А - В - и медные электроды 3. Сое 2 3,динение подложки 1 с тенэореэистивным слоем 2 осуществляется методом дискретного испарения в вакууме, а электроды 3 крепятся на противоположных ,концах тензорезиптивного слоя.Материалы подложки 1 и тензорезистивного слоя 2 имеют коэффициенты линейно го расширения ри а, соответственно соотношение р, )/ьлО, 1 , обеспечивает при охлаждении подложки 1 до комнатной температуры в тензорезистивном слое 2 растягивающую дефор мацию порядка 10 Ь отн,ед. и выполнение условия соотношения толщин под" ложки Й, и тензорезистивного слоя Й Й 3 О, 1 й800 Ц также обеспечивает высокйе значения коэффициента тензочувствительности в условиях сжимающих деформаций. ВНИИПИ Заказ 3861/36Произв.-полигр. пр-тие,При деформации объекта исследования в подложке 1 и в тенэорезистивном слое 2 возникают упругие напряжения сжатия или растяжения, которые приводят к изменению злектросопротивления тенэореэистивного слоя 2, что регистрируется с помощью электродов 3 вторичной аппаратуры. Формула изобретения Тензодатчик, содержащий подложку, тензорезистивный слой из полупроводникового материала и электроды, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения диапазона измерений в условиях энакопеременных деформаций, подложка и тенэореэистивный слой выполнены из материалов, коэффициенты линейного расширения которых связаны соотношением где- коэффициент линейного расширения подложки;, - коэффициент линейного расши. ренин тензорезистивного слоя,а толщина подложки и тензореэистивного слоя удовлетворяет условию
СмотретьЗаявка
4181673, 14.01.1987
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. Ф. ИОФФЕ
БОЙКОВ ЮРИЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, ГРИБАНОВА ОЛЬГА СТАНИСЛАВОВНА, КУТАСОВ ВСЕВОЛОД АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01B 7/16
Метки: тензодатчик
Опубликовано: 07.08.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1415047-tenzodatchik.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Тензодатчик</a>
Предыдущий патент: Устройство для автоматического измерения диаметра цельнокатанных колес и бандажей по кругу катания
Следующий патент: Способ определения деформаций детали
Случайный патент: Регистрирующий материал для научнотехнической информации