Прибор для измерения толщины слоя накипи

Номер патента: 115321

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Жустарев, Кошелев, Левина, Петров, Фрейдкин, Шошина

МПК: B24B 1/00, B24B 37/04

Метки: доводка, плоских, плоско-параллельных, поверхностей

...последовательно на диске из красной меди, а затем на диске из стекла, со смазкой керосином в обоих случаях,На чертеже изображена схема предлагаемого устройства,На доводочный дискукладываются компенсационные кольца 2 с подлежащими обработке деталями 3, Компенсационные кольца 2 взаимодействуют с роликами 4, закрепленными на кронштейнах 5. При вращении доводочного диска 1 одновременно, за счет фрикционного сцепления с ним, приводятся в движение компенсационные кольца 2 и детали 3. Благодаря этому, одновременно с доводкой поверхностей обрабатываемых деталей, осуществляется правка поверхности доводочного диска. После доводки поверхности деталей на диске из красной меди осуществляют доводку на диске из стекла К. В обоих случаях применяется...

Номер патента: 1397981

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Куфман, Марченко, Нестерова, Черкашина, Штеренберг

МПК: H01G 13/00

Метки: анодов, конденсаторов, нанесения, подформовки, полупроводникового, слоя

...устанавливают осямн 15 в плэы 16 эвеев 17 конвейера 1, который перемещает их в ванну 3 пропиткц. 1.еле пропцткинижнего ряда анодов 23 кассе ы 2 перемещаются кавееров 1 ц, вэлимодействуя с копирами 20 паворачиваоются ца 180 для пропитки верхнего ряда анодов 23, По окоцчлции пропитки обоих рядов анодов 23 клсссты 2 перемещаются конвейером 1 в вертика.ьную печь 9 пиролиэа для разложения пропиточцого раствора и формирования первого полупроводникового слоя, при этом вследствие стеклния раствора ца нижней части боковой поверхности ацодац образуется утолщенный слой (фиг10 Оложецие Т),При дальнейел движ Рии конвейера ка:сеть 2 с анодами 23 попадают в следующие ванны ч пропит;ц, гдэ пропитываются поочередно с двух сзороМ и входят в горизонтальную...

Номер патента: 1829792

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, конденсатора, накопительного, обкладки, памяти, схем, элемента

...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...

Номер патента: 130584

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Драницын, Филипп

МПК: H01G 5/013

Метки: емкости, конденсатор, переменной, печатных, полупеременной, схем

...и возможностью снижения стоимости изготовления.Достигается это путем использования в качестве статорной пластины токонесущего проводника печатной схемы, форма которого выбирается в соответствии с заданным законом изменения емкости,На чертеже схематически показана конструкция конденсатора.Статорная пластина 1 представляет собой токонесущий проводник с подобранной, согласно заданному закону изменения емкости конденсатора, формой. Изготавливается статорная пластина одновременно с про водниками схемы и является ее составной частью, Ротор 2 конденсатора изготовляется из оксидной пленки алюминия или его сплавов, пленки полипропилена, фторопласта или другого пленочного высокочастотного диэлектрика и напрессовывается на ось 3, Токосъем с...

Номер патента: 1557454

Опубликовано: 15.04.1990

Автор: Третьяков

МПК: G01B 21/08

Метки: плоского, слоя, толщины

...материала слоя икоэффициент теплоотдачи. Плотностьпоглощаемого теплового потока мбыть найдена, например, по резутам фотометрических измерений с1557454 Ьо(2)=(С/2 АоС), 1+(1-8 оОоА 2/С)Ьо(о)=(С/2 АГС) 1 о(1-8 ооС Ао/С) Ьо(2)-(2 Со(оо/ВВ) -оо(С-оо/2/С,30 1 (8) 2 Цо,оо/В ) -оо-оо/2 /С,где В - скорость охлаждения поверхности слоя;л(- длительность импульса теплового потока. Формула изобретения Составитель Л.СтепановРедактор А.Огар Техред А.Кравчук Корректор Т,Иалец ю Заказ 712 Тираж 480 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул.Гагарина, 191 том данных по коэффициенту черноты,теплоемкость...