Полупроводниковый датчик давления
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1303865
Авторы: Асадов, Мустафаева
Текст
СОВЕ ТСНИХЛИСТИЧЕСНИХБЛИК 1 Ь 21 00 РСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ГО ТЕНИЯ ПИСАН АВТ Бюл. Р 14ное конструкторско-техбюро по комплексной пеерального сырья с опыттвом АН АЗССРадов и С,Н.Мустафаева(088.8) ложен оси С 56) Авторское свидетельство СССР Р 281864, кл. С 01 Ь 21/10, 1969. ванных а нако Авторское свидетельство СССРИ 534662,кл. С 01 Ь 21/00, 1975 еличименем величи- аеделения е. 1 ил. 4) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТ.(71) Специальнологическоереработке минным производс(57) Изобретение может быть использовано в микроэлектронике и в вакуумной технике. Цель изобретения - расшире- ние диапазона измерений в сторону низких давлений. Датчик представляет собой параллелепипед 1 из моносульфида галлия с гексагональной структурой. Омические контакты 2 и 3 распоы вдоль кристаллографическойПриложенное к датчику постоянное электрическое поле вызывает скопление вблизи анода инжектир из катода электронов. Велич ленного заряда определяется ной электрического поля и в его выдержки. Регистрируемая на тока используется для оп остаточного давления в каме1303865 Формула изобр е тения 3,85 1 О т 4,75 10 4,76 10 Т, А Р,рт;ст. 10 10 6 10 5,510 5,0 1 О 4,8 10 1 ОО 10 Составитель Н.БогдановаТехред А. Кравчук Корректор А.Зимокосов Редактор З.Слиган Заказ 1298/41 Тираж 77 ПодписноеВНИИНИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к датчикам,служащим для измерения давления газовв вакуумных системах, и может бытьиспользовано в космической технике,микроэлектронике и в вакуумной технике.Цель изобретения - расширение диапазона измерений в сторону низких давлений.На чертеже схематически изображенполупроводниковый датчик давлениягазовой среды.Полуйроводниковый датчик давленияпредставляет собой параллелепипед,выполненный из моносульфида галлия 1,имеющего гексагональную структуру скрйсталлографической осью С, направленной перпендикулярно к слоям кристалла. На противоположных поверхностях кристалла расположены два омических контакта 2 и 3, к которым присоединены выводные электроды 4 и 5. Толщина параллелепипеда из моносульфида,галлия составляет 30 мкм, подконтакт-а 25ная площадь - 2,5 10 см , а удельноенсопротивление - 7 10 Ом см,Полупроводниковый датчик давленияработает следующим образом.Датчик давления помещается в ва 30куумную камеру. Для измерения давления газовой среды в камере к параллелепипеду из моносульфида галлияприкладывают постоянное электрическоеполе заданной напряженности. При при-ложении к образцу СаБ постоянного 35электрического поля происходит инжекция носителей заряда из контакта изахват их глубокими ловушками в полупроводнике, Присутствие барьера нааноде (в случае инжекции электронов) препятствует протеканию н- него инжектированных из катода электронов, в результате чего вблизи анода накапливаетсяотрицательный заряд. Величинанакопленного заряда линейно зависитот величины приложенного электрического поля и времени его выдержки,достигая насыщения при больших ихзначениях (Г5 10 В/см,с5 мин).Заполяризованные таким образом высокоомные полупроводники ведут себякак электреты. Режим поляризации электрета из СаЯ следующий: величина внешнего поля оптимально составляет Р =10 - 5 10 В/см, Затем производятвакуумирование камеры и регистрируютвеличину тока (Т, А).По величине тока определяют давление (Р, мм рт,ст) газовой среды(см. таблицу), т.е. остаточное давление в камере.Предлагаемый датчик давления позволяет измерять давление газовой среды в более широком диапазоне, а имен но 5 10 - 760 мм рт. ст,Полупроводниковый датчик давления, содержащий чувствительный элемент, выполненный в виде монокристалла, на поверхности которого расположены два омических контакта, о т л и - ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения диапазона измерений в сторону низких давлений, в нем монокристалл выполнен из моносульфида галлия, а омические контакты расположены вдоль кристаллографической оси С кристалла.
СмотретьЗаявка
3870940, 22.03.1985
СПЕЦИАЛЬНОЕ КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ БЮРО ПО КОМПЛЕКСНОЙ ПЕРЕРАБОТКЕ МИНЕРАЛЬНОГО СЫРЬЯ С ОПЫТНЫМ ПРОИЗВОДСТВОМ АН АЗССР
АСАДОВ МИР САЛИМ МИР АЛАМ ОГЛЫ, МУСТАФАЕВА СОЛМАЗ НАРИМАНОВНА
МПК / Метки
МПК: G01L 21/00
Метки: давления, датчик, полупроводниковый
Опубликовано: 15.04.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1303865-poluprovodnikovyjj-datchik-davleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый датчик давления</a>
Полупроводниковый датчик давления
Номер патента: 545214
Опубликовано: 05.10.1978
Авторы: Бронштейн, Коробов, Лукичева, Маслов, Синицын, Сокуренко, Юрова
МПК: H01J 29/84
Метки: давления, датчик, полупроводниковый
...0,01-0,10.Кроме того, отношение объемов соседних участков выбрано в пределах от 1 до 10.На чертеже изображен полупроводниковый датчик. давления.Он представляет собой параллелепипед, состоящий иэ полуизолирующей подложки 1, выполненной, например, из арсенида.галлия, легированного хрбйом, и слоя 2 твердого раствора с изменяющимся по длине датчика содержанием компонент. На крайние слои чувствительного элемента нанесены контакты 3 и 4, к которым присоединены выводные электроды 5 и б.Чувствительность описанного выше датчика для случая дискретного йзменения компонент определяется Формулой:Яю,.ю,Цг 4где б - коэффициент чувствительности к давлению слоя состава Оо Аь-х; РхМ - начальное сопротивление-го слоя.В случае плавного изменения состава в...
Датчик давления
Номер патента: 1527524
Опубликовано: 07.12.1989
Авторы: Акимов, Албул, Давыдов, Зломанов, Рябова, Тамм
МПК: G01L 9/02
...при Т 300 К. При этом сопротивление датчика давления уменьшается. Величина коэФФициента преобразования достаточна для измерения давления при Т=ЗОО К с точностью 5 1 О Па. Далее камеру вы 6держивают при комнатной температуре в течение 6 ч. Стабильность сопротивления датчика при Фиксированной температуре в течение 6 ч. Стабильность сопротивления датчика при Фиксированной температуре свидетельствует об отсутствии течей в камере высокого давления. Затем в зависимости от целей проводимых экспериментов камеру охлажлают в криогенных жидкостях. При этом в результате раз,ции коэААициентов сжимаемости передающей давление жидкости и материала камеры происходит сброс давленияпри охлаждении, Полученное давлениев жидком гелии контролируется темже...
Тензорезисторный датчик давления и способ его настройки
Номер патента: 1624288
Опубликовано: 30.01.1991
Авторы: Зиновьев, Назаров, Халястов
МПК: G01L 9/04
Метки: давления, датчик, настройки, тензорезисторный
...натяга уменьшается чувствительность, От изменения величины натяга изменяется величина радиальных усилий в мембране, которые изменяют жесткость в мембране. Натяг обеспечивается в устройстве (см, чертеж) зд счет передачи радиального усилия от ТК через основдние на мембрану, Изменение натяга, а следовательно, изменение чувствительности датчика от температуры, выражается через5 10 15 разность ТКЛР УЭ и ТК, а также соотношения расстояний от мембраны до середины толщины основания и от середины толщины основания до ТК,Величина изменения натяга, а следовательно, величина изменения чувствительности датчика (термокомпенсации), регулируется путем перемещения кольца вдоль цилиндра ЧЭ, за счет изменения отношения расстояний приложения...
Датчик давления
Номер патента: 1735728
Опубликовано: 23.05.1992
МПК: G01L 9/04
...23,При изготовлении датчиков малых давлений с использованием эластичной мембраны, например, из резины в корпусе датчика перпендикулярно его оси и симметрично к конусному отверстию выполняют две канавки 24. При монтаже эластичной мембраны на корпусе ее растягивают, приклеивают к корпусу клеем и закрепляют стяжками совмещая их с канавками 24.Мембранный тензорезистор 13 имеет периферийные части колец, состоящих из токопроводящих нитей, расположенных радиально, и внутренних частей колец, состоящих из нитей, расположенных по дугам окружностей, центр которых является центром тензорезистора, например тензорезисторы типа КФ 5 М. Эластичную мембрану перед.приклеиванием к корпусу растягивают. Растяжение эластичной мембраны при ее монтаже...
Датчик давления
Номер патента: 1760409
Опубликовано: 07.09.1992
Авторы: Белозубов, Зиновьев, Любомиров, Чевтаева
МПК: G01L 9/04
...окружных и радиальных тензорезисторов равно сумме изменений сопротивлений соответствующих идентичных тензоэлементов, а во-вторых, изменения сопротивлений соответствующих элементов равны между собой,увеличение сопротивления противоположно включенных окружных резисторов и уменьшение противополокно включенных радиальных резисторов преобразуется мостовой схемой в электрический сигнал, который поступает на выходные контакты датчика. При воздействии нестационарной температуры измеряемой среды (термоудара) вследствие различных термических сопротивлений сравнительно тонкой мембраны и массивного опорного основания на мембране возникает неравномерное поле температур. В связи с тем, что тенэоэлементы радиальных и окружных тензореэисторов имеют...
Предыдущий патент: Сигнализатор давления
Следующий патент: Теплоэлектрический преобразователь давления
Случайный патент: Тепломассообменный аппарат